подбор мосфета по параметрам
Как выбрать mosfet.
1. Для начала надо узнать напряжение цепи в которой будет работать транзистор, это напряжение будет приложено к выводам Drain и Source.
Далее, необходимо отобрать транзисторы параметр Vds(Drain to Source Voltage ) которых минимум в 1.5 — 2 раза выше.
2. Другой не менее важный параметр — это ток, который мы хотим пропустить через транзистор. Максимальное значение тока, который можно пропустить через mosfet определяет параметр Id(Drain Current). Его значение также должно превышать реальный ток в 1.5 — 2 раза. Но это ещё не все, Id, в свою очередь, зависит от температуры.
На графике видно, что с увеличением температуры корпуса ток, который может пропустить через себя транзистор уменьшается. Поэтому реальное значение Id надо выбирать исходя из того, при какой температуре mosfet будет работать.
3.Так как мы собираемся управлять нагрузкой, у нас наверняка должна быть управляющая схема и нам необходимо узнать какое напряжение у неё на выходе. Это напряжение подаётся на вывод, именуемый затвором или gate.
Напряжение на затворе транзистора ограничивают два параметра:
Зная Rds можно найти ток, который потечёт через транзистор, для этого надо к сопротивлению нагрузки прибавить значение Rds и напряжение цепи поделить на получившееся сопротивление.
5.Осталось только разобраться какая мощность будет выделяться на кристалле и способен ли эту мощность рассеять транзистор. И здесь есть один нюанс, обычно в даташите указывают максимальную мощность кристалла при температуре корпуса 25°
Как подобрать замену для MOSFET-транзистора
На что нужно обратить внимание
Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).
Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.
Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.
Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов
Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.
Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.
Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.
Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора
При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде. Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой. Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник. Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.
Как подобрать замену для MOSFET-транзистора
Как подобрать замену для MOSFET-транзистора
Для большинства MOSFET-транзисторов достаточно просто подобрать аналоги, схожие по параметрам. Если заменить MOSFET-транзистор на такой же невозможно, то для поиска аналога необходимо:
Изучить схему включения MOSFET-транзистора для определения режима его работы (ключ в цепях коммутации, импульсное устройство, линейный стабилизатор и т.д.).
Найти даташит для неисправного MOSFET-транзистора и заполнить форму для подбора аналога на сайте.
Выбрать наиболее подходящий аналог MOSFET-транзистора, учитывая режим его работы в устройстве.
На что нужно обратить внимание
Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).
Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.
Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.
Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов
Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.
Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.
Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.
Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора
При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде.
Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой.
Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник.
Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.
Простой метод выбора ключевых транзисторов для импульсных источников питания
При проектировании или сборке по готовой схеме ИИП одним из острых вопросов является выбор ключей. И если по остальным деталям можно как-то подстроиться (мотать трансформатор в 2 провода вместо 1, если не хватает сечения или ставить два конденсатора параллельно вместо одного, если не хватает емкости и т.д.), то с ключами не так-то всё и просто. Неправильный выбор ведет к большому БУМУ (вспоминая знаменитый фильм Люка Бессона: «Бада-бум!») из-за теплового или электрического пробоя. И здесь тоже не всё просто. Электрический пробой произойдет сразу (или почти сразу), а вот тепловой можно ждать долго, и случится он в самый неподходящий ответственный момент.
В первый раз я задался вопросом выбора ключей около 8 лет назад. Куда же я пошел первым делом? В интернет, естественно, ага. В общем и целом могу теперь сказать так: зря я это сделал. Вопрос выбора ключей для импульсной техники в интернете оброс кучей недостоверных фактов, мифов и неправильными интерпретациями графиков в даташитах.
Мой способ выбора ключей тоже неидеальный и неполный. Однако в подавляющем большинстве случаев в радиолюбительской практике его окажется достаточно и даже за глаза, сами рады не будете.
Начнем!
Содержание / Contents
Создайте тему на любом форуме, связанным с радиоэлектроникой, с вопросом: «Как выбрать ключи в ИИП?».
Ответы будут самые разнообразные: от «выбирай ключи по напряжению и максимальному току» до «выбирай ключи по графику Maximum Safe Operating Area». Сюда входят все вариации типа «выбирай на ток вдвое больше максимального тока первичной обмотки» до «надо чтобы мощность, выделяемая при падении напряжения на сопротивлении открытого перехода, была меньше максимальной рассеиваемой мощности корпуса».
Вот весь этот бред читают новички и далее «делятся опытом» с другими. Жуть, да и только.
Вот, к примеру, знаменитый график Maximum Safe Operating Area (оно же ОБР, область безопасной работы) для ключа IRFS840B:
Посмотрите на него внимательно. Посмотрите, какие оси создают этот график. Посмотрели? Больше никогда не смотрите в его сторону.
На этот график призывают смотреть люди, пришедшие из аналоговой линейной техники, линейных усилителей или линейных стабилизаторов.
Чем может быть полезен этого график для разработки импульсных преобразователей или импульсных же усилителей (они же D-класс или цифровые)? Ничем.
А, ну не совсем так: этот напоминание о том, что у полевых транзисторов отсутствует вторичный пробой и что транзистор может быть пробит как при превышении максимального рабочего напряжения, так и при превышении максимального тока через него.
Много это нам дало? Не-а, вообще ничего, это всё в начале даташита указывается словами.
Надо сказать честно, что тот график в отдельных даташитах действительно вводит в заблуждение неподготовленного человека, ибо иногда к таким графикам идет ещё один, указывающий зависимость выхода за ОБР от частоты работы транзистора. Но это всё для линейной техники, для тех ситуаций, когда есть недооткрытое или недозакрытое состояние транзисторов, когда есть некие переходные процессы.
↑ Процесс выбора транзистора
Теперь, попробуем разобраться с вопросом подбора транзистора. С вопросом максимального напряжение ни у кого не должно возникнуть сомнений. Просто для страховки берем ключ на 200 Вольт больше, чем максимальное действующее напряжение в схеме. Например, в ИИП я советую 600-вольтовые ключи, не ниже.
Вопрос в том, что делать с температурой. Она таки считается! Для теплового расчета надо всего лишь узнать, сколько Ватт потерь получится при работе ключа и как сильно надо его охладить, чтобы не случилось теплового пробоя.
Если результат меньше Tj, то использовать такой транзистор можно. Если больше, увы и ах, но надо выбирать дальше.
Из чего состоит нагревание? Для начала из статических потерь, связанных с сопротивлением перехода Rds on, которое влияет на падение напряжения на переходе, в зависимости от протекающего через ключ тока. Это падение напряжение вызывает выделение мощности на кристалле и нагрев транзистора в открытом состоянии. Считается как произведение квадрата среднего тока импульса Iимп на сопротивление перехода Rds on и коэффициента заполнения Кзап. Последний показывает, какую часть времени транзистор открыт.
В большинстве радиолюбительских конструкции мостовых и полумостовых преобразователей и усилителей Кзап не выше 0.45, а дальнейшее увеличение его не приводит ни к чему особенно хорошему, кроме сильной боли в голове или ж…
Так, ладно, со статическими потерями разобрались.
Теперь динамические потери. Эти потери — основная проблема в преобразователях на полевых транзисторах с жесткой коммутацией ключей. Они возникают в момент включения и выключения ключа. Так сказать, потери на переходных процессах. И чем выше частота преобразования, тем выше динамические потери. А ниже делать частоту тоже не хочется, ведь тогда вырастают размеры трансформатора.
Есть резонансные или квазирезонансные схемы, позволяющие значительно снизить динамические потери, но это уже сложная техника, к которой никак не подходит выражение «простой расчет».
Итак, динамические потери состоят из потерь при включении и потерь при выключении. Считается как произведение тока в начале (Ir) или конце (If) импульса, напряжения питания (Uпит) и времени нарастания (Tr) или спада (Tf), разделенное на двойной период импульса. Хочу сразу заметить: отдельно считаются потери при включении и отдельно при выключении, а потом суммируются.
Теперь охлаждение. Основная проблема охлаждения — тепловое сопротивление между разными материалами. У транзистора таких мест 2: между кристаллом и корпусом транзистора, а так же между корпусом транзистора и радиатором. Эти значения табличные и не требующие вычислений. Первое значение берется из даташита на транзистор. Второе тоже можно взять оттуда, если оно там имеется. Если нет, то берётся усредненное значение.
Итак, потери подсчитаны, пора применять в деле. Первым делом, складываем потери динамические и статические, получаем общие потери — это сколько Ватт надо отвести от кристалла.
Затем складываем тепловые сопротивления.
Теперь умножаем общие потери на тепловое сопротивление. Получившийся результат — та температура, которую нужно «сдувать» с радиатора. Вычтем из ожидаемой рабочей температуры получившуюся, и на выходе нас ждет ожидаемая температура радиатора.
Именно по ней можно оценить, подходит или нет транзистор.
Как? Очень просто. Ожидаемая температура радиатора не может быть ниже температуры окружающей среды при естественном охлаждении. То есть, если у вас получился результат +24°, а на улице +32° то всё, кранты! Транзисторы ждёт тепловой пробой, потому как никакой супервентилятор не сможет охладить радиатор до 24 градусов, если температура воздуха выше. Совсем печально, если результат получился отрицательным. Если у вас нет фреоновой или азотной системы охлаждения, лучше выбрать другой транзистор.
↑ Тонкости
Разумеется, в деле, подобном этому, есть свои тонкости и особенности. В целом, можно это охарактеризовать выражением «не доводи до крайностей», которое весьма полно объясняет чего нельзя делать, чтобы не бабахнуло.
В первую очередь это касается температур. Tj — это максимальная рабочая температура кристалла транзистора, фактически потолок его работоспособности. Было бы как минимум нелепо использовать это значение при расчете. Никогда не загоняйте параметры в угол, всегда оставляйте место для маневра.
Я, к примеру, использую в расчёте температуру на 5-10° ниже, и обзываю ее «Температура ожидаемая» — Tож.. Так как наиболее часто Tj указывается в районе 125° Цельсия, я использую в расчете 115-120°.
Далее, температуру окружающей среды для оценки тоже не следует брать наобум. Есть утвержденные ГОСТы, хотя можно просто принять для средней полосы +35° и +45° для южных регионов. Это для того, чтобы в набитом людьми помещении летом техника не сгорела синим пламенем. Ну и для случаев колебания температур.
Для работы на открытом воздухе под солнцепеком есть еще более жесткие условия, но это уже за рамками радиолюбительства.
Далее о напряжениях. Всегда стоит сделать запас прочности по допустимому напряжению. Опять-таки, в даташите параметр Vdss — предельный. И подбор транзистора строго под выпрямленное напряжение сети может сыграть злую шутку. Посчитаем: при напряжении в сети 220 Вольт на выходе мостового выпрямителя будет 310 Вольт. Однако в реальности в сети редко бывает 220 Вольт, и скачки до 20%, увы, обыденное явление. И что же будет, если напряжение в сети увеличится на эти 20%? На выходе выпрямителя будет уже 378 Вольт. Добавим сюда шум от сварочника и, вуаля, 400-вольтовый ключ искрится и взрывается.
Мне довелось отремонтировать очень много усилителей, в которых многочисленные дядюшки Ляо экономили на транзисторах. Не делайте так, разочарований будет куда больше экономии.
Как-то блуждая по просторам интернета, я наткнулся на аппноут IR, рекомендовавший выбирать ключи с запасом в 200 — 250 Вольт от максимального напряжения в схеме. Увы, этот аппноут я не сохранил, а затем найти его не смог. У кого-то есть сомнения, что он вообще существует, но сама рекомендация звучит достаточно трезво, пусть и относительно недёшево.
Теперь о сопротивлении перехода. В открытом состоянии идеальный ключ должен пропускать весь ток без потерь. Увы, живём мы в неидеальном мире. В настолько неидеальном, что маркетологи с удовольствием этим пользуются. Открывая даташит любого полевого транзистора можно увидеть маленькую характеристику Rds on, написанную большим шрифтом. Так вот: это сопротивление перехода при некоей „комнатной“ температуре в 20-25 градусов. Для того же IRFS840B указывается 0,8 Ома.
Это всё красиво только на словах, на деле кристалл в процессе работы будет нагреваться, что неизбежно приведет к увеличению сопротивления открытого перехода. Об этом мало кто помнит, но именно на это надо опираться, при выборе подходящего транзистора.
Чаще всего в даташитах не указывают эти печальные цифры, а лишь приводят график температурного коэффициента сопротивления ТКС, вот он для выбранного нами транзистора:
Как видно на графике, при нагревании сопротивление открытого перехода быстро увеличивается, и для рекомендованных мною максимальных рабочих 120° ТКС открытого канала уже составляет 2,1 Ома, а значит из приятных 0,8 Ом уже получаются малоприятные 1,68 Ома. Печаль, да и только, но с этим надо считаться.
Ну и последняя из тонкостей. Обязательно учитывайте крайние характеристики транзистора. В таблицах даташита всегда указывается три значения: минимальное, типичное и максимальное (или лучшее, типичное и худшее). Это касается практически всего. Например, время открытия и время закрытия. Причем с маркетинговой точки зрения делается упор именно на типичное время открытия и закрытия. Так, например, для IRFS840B типичное время нарастания составляет 65 нс, что и пишется всюду, хотя отдельные экземпляры доходят до 140 нс, что более чем в 2 раза дольше! Соответственно, для расчета необходимо использовать именно худшее значение, если нет желания отбирать транзисторы для конструкции.
↑ Подытожим
Для выбора ключевого транзистора необходимо:
Все остальное считается и выбирается.
И вот здесь у меня для вас есть бонус. Так как я всё же ленив, то сделал таблицу в Excel, которая сама всё посчитает. Остается только сделать вывод о пригодности или непригодности транзистора.
↑ Файлы
▼ thermal_calc.zip 2,33 Kb ⇣ 231
Краткая инструкция по использованию: редактируются только желтые ячейки, данные вписываются исходя из проектируемой конструкции (частота преобразования, напряжение питания, коэффициент заполнения) и из даташита на транзистор (все остальное).
В зеленых ячейках получаем результаты. Как интерпретировать, читайте выше.
Для преобразователей с жесткой коммутацией ключей (традиционные) ток в начале импульса (Ir) и ток в конце импульса (If) равны среднему току импульса.
Для нетрадиционных вариантов типа резонансных ZVC и прочих — согласно расчету, вплоть до 0.
Для примера, в таблицу уже внесены данные на полюбившийся IRFS840B, в полумостовом преобразователе с жесткой коммутацией ключей со средним током первичной обмотки 2А.
Камрад, рассмотри датагорские рекомендации
🌼 Полезные и проверенные железяки, можно брать
Опробовано в лаборатории редакции или читателями.
Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок
N-канальные MOSFET транзисторы одноканальные
Корпуса для поверхностного монтажа
20-25 В
20V, 4A, 43 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
20V, 6.4A, 21 mOhm, 8 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
25V, 5.7A, 24 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23
30 В
30V, 2.7A, 100 mOhm, 1.0 nC Qg, SOT-23
30V, 5.2A, 27 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23
30V, 3.3A, 77 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
30V, 6.3A, 34 mOhm, 7.5 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
40 В
40V, 3.6A, 56 mOhm, 2.6 nC Qg, SOT-23
60V, 1.2A, 460 mOhm, 0.4 nC Qg, SOT-23
60V, 2.7A, 92 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23
100 В
100V, 1.6A, 220 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20V, 8.5A, 11.7 mOhm, 14 nC Qg, 2.5V drive capable
25V, 8.5A, 13 mOhm, 4.3 nC Qg
30 В
30V, 8.5A, 16.2 mOhm, 11nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 16 mOhm, 4.2 nC Qg
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20V, 40A, 2.5 mOhm, 52 nC Qg, 2.5V drive capable
30 В
30V, 16A, 7.1 mOhm, 9.6 nC Qg
30V, 12A, 12.4 mOhm, 5.4 nC Qg
30V, 24A, 7.8 mOhm, 7.3 nC Qg
30V FETky, 40A, 4.3 mOhm, 13 nC Qg
30V, 40A, 3.8 mOhm, 15 nC Qg
30V, 40A, 3.5 mOhm, 41 nC Qg, 2.5V drive capable
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20 – 25 В
20V, 20A, 4.4 mOhm, 22 nC Qg, SO-8
25V, 25A, 2.7 mOhm, 35 nC Qg, SO-8
20V, 27A, 2.45 mOhm, 130 nC Qg, 2.5V drive capable
30 В
30V, 8.5A, 21mOhm, TSOP-6
30V, 11A, 11.9 mOhm, 6.2 nC Qg, SO-8
30V, 14A, 8.7 mOhm, 8.1 nC Qg, SO-8
30V, 14A, 8.5 mOhm, 8.3 nC Qg, SO-8
30V, 18A, 4.8 mOhm, 17 nC Qg, SO-8
30V, 21A, 3.5 mOhm, 20 nC Qg, SO-8
30V, 21A, 3.3 mOhm, 30 nC Qg, SO-8
30V, 24A, 2.8 mOhm, 44 nC Qg, SO-8
30V, 9.9A, 14.6 mOhm, 11 nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 20mOhm, 2.5V drive capable, TSOP-6
40 В
40V, 18A, 5 mOhm, 33 nC Qg, SO-8
60V, 12A, 9.4 mOhm, 26 nC Qg, SO-8
80V, 9.2A, 15 mOhm, 31 nC Qg, SO-8
80V, 10A, 13.4 mOhm, 27 nC Qg, SO-8
100 В
100V, 7.3A, 22 mOhm, 34 nC Qg, SO-8
100V, 8.3A, 18 mOhm, 28 nC Qg, SO-8
150 В
150V, 5.2A, 44 mOhm, 36 nC Qg, SO-8
150V, 5.1A, 43 mOhm, 25 nC Qg, SO-8
200 В
200V, 3.7A, 79 mOhm, 39 nC Qg, SO-8
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20
—
25 В
20V, 100A, 1.2 mOhm, 155 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6
20V, 50A, 3.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6
25V, 51A, 6 mOhm, 7 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6
25V, 100A, 1.15 mOhm, 52 nC Qg, PQFN 5×6
25V FETky, 100A, 1.4 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
30 В
30V, 16A, 13 mOhm, 4.7 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 9 mOhm, 7.1 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 44A, 8.1 mOhm, 7.8 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 6.6 mOhm, 9.3 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 5 mOhm, 15 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 79A, 4.5 mOhm, 16 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 82A, 4.2 mOhm, 15 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6
30V, 50A, 4.1 mOhm, 14 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 50A, 3.1 mOhm, 19 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 50A, 2.1 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, PQFN 5×6
30V FETky, 100A, 2.5 mOhm, 26 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 1.85 mOhm, 37 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 1.4 mOhm, 50 nC Qg, PQFN 5×6
40 В
40V, 100A, 4.3 mOhm, 42 nC Qg, PQFN 5×6
40V, 100A, 3.5 mOhm, 53 nC Qg, PQFN 5×6
40V, 100A, 2.6 mOhm, 73 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 40A, 14.4 mOhm, 23 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 89A, 6.7 mOhm, 40 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 100A, 5.6 mOhm, 50nC Qg, PQFN 5×6
60V, 100A, 4.1 mOhm, 67 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 75A, 8.5 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 71A, 9.6 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 100A, 5.9 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6
100 В
100V, 55A, 14.9 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
100V, 63A, 12.4 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6
100V, 100A, 9.0 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6
150 В
150V, 27A, 58 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6
150V, 56A, 31 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6
200 В
200V, 20A, 100 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6
200V, 41A, 59 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6
250 В
250V, 31A, 104 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6
25 В
25V, 39A, 7.8 mOhm, 8.1 nC Qg, Small Can
25V, 37A, 5.9 mOhm, 8.8 nC Qg, Small Can
25V, 68A, 4.9 mOhm, 13 nC Qg, Small Can
25V, 95A, 3.0 mOhm, 21 nC Qg, Small Can
25V, 166A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, Med Can
25V, 180A, 1.6 mOhm, 40 nC Qg, Med Can
25V, 180A, 1.6 mOhm, 39 nC Qg, Med Can
25V, 220A, 1.25 mOhm, 46 nC Qg, Med Can
25V, 160A, 1.8 mOhm, 35 nC Qg, Med Can
25V, 210A, 1.4 mOhm, 45 nC Qg, Med Can
25V, 270A, 0.7 mOhm, 64 nC Qg, Large Can
30 В
30V, 35A, 8.0 mOhm, 7.9 nC Qg, Small Can
30V, 36A, 8.9 mOhm, 6.6 nC Qg, Small Can
30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual
30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual
30V, 56A, 7.7 mOhm, 11 nC Qg, Med Can
30V, 58A, 7.3 mOhm, 11 nC Qg, Small Can
30V, 60A, 7.3 mOhm, 11.7 nC Qg, Small Can
30V, 140A, 2.5 mOhm, 28 nC Qg, Med Can
30V, 150A, 2.5 mOhm, 33 nC Qg, Med Can
30V, 170A, 2.2 mOhm, 36 nC Qg, Med Can
30V, 180A, 1.7 mOhm, 51 nC Qg, Med Can
30V, 180A, 1.7 mOhm, 49 nC Qg, Med Can
30V, 190A, 1.8 mOhm, 42 nC Qg, Med Can
40 В
40V, 55A, 8.3 mOhm, 19 nC Qg, Small Can
40V, 106A, 5.0 mOhm, 29 nC Qg, Med Can
40V, 150A, 3.4 mOhm, 42 nC Qg, Med Can
40V, 270A, 1.0 mOhm, 220 nC Qg, Large Can
60V, 67A, 11.2 mOhm, 25 nC Qg, Med Can
60V, 86A, 7.0 mOhm, 36 nC Qg, Med Can
60V, 108A, 1.3mohms, 220nC, Large Can
80V, 55A, 15 mOhm, 22 nC Qg, Med Can
80V, 68A, 9.5 mOhm, 36 nC Qg, Med Can
75V, 83.8, 2.2 mohms, 220nC, Large Can
100 В
100V, 19A, 62 mOhm, 8.7 nC Qg, Small Can
100V, 14.7A, 60 mOhm, 8.3 nC Qg, Small Can
100V, 25A, 35 mOhm, 14 nC Qg, Small Can
100V, 47A, 22 mOhm, 22 nC Qg, Med Can
100V, 60A, 13 mOhm, 35 nC Qg, Med Can
100V, 124A, 3.5 mOhm, 200 nC Qg, Large Can
150 В
150V, 28A, 47 mOhm, 25 nC Qg, Med Can
150V, 35A, 35 mOhm, 39 nC Qg, Med Can
150V, 67A, 11 mOhm, 97 nC Qg, Large Can
200 В
200V, 15A, 100 mOhm, 26 nC Qg, Med Can
200V, 26A, 60 mOhm, 34 nC Qg, Med Can
250 В
250 В, 35A, 38 mOhm, 110 nC Qg, Large Can
20V—25V
20V, 37A, 15 mOhm, 4.7 nC Qg, D-Pak
20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, D-Pak
20V, 60A, 8.4 mOhm, 9.3 nC Qg, D-Pak
20V, 93A, 5.7 mOhm, 18 nC Qg, D-Pak
20V, 120A, 4.2 mOhm, 21 nC Qg, D-Pak
20V, 42A, 4.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, D-PAK
25V, 81A, 5.7 mOhm, 10 nC Qg, D-PAK
25V, 57A, 8.7 mOhm, 6.8 nC Qg, D-PAK
30V, 43A, 13.8 mOhm, 7 nC Qg, D-Pak
30V, 71A, 8.6 mOhm, 10 nC Qg, D-PAK
30V, 65A, 8.4 mOhm, 8.5 nC Qg, D-Pak
30V, 85A, 6.0 mOhm, 18 nC Qg, D-PAK
30V, 94A, 6 mOhm, 22 nC Qg, D-Pak
30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, D-Pak
40V, 77A, 9 mOhm, 30 nC Qg, D-Pak
40V, 119A, 5.5 mOhm, 59 nC Qg, D-Pak
55V, 30A, 24.5 mOhm, 18 nC Qg, D-Pak
60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D-Pak
55V, 62A, 11 mOhm, 40 nC Qg, D-Pak
60V, 77A, 8.4 mOhm, 46 nC Qg, D-Pak
75V, 45A, 22 mOhm, 34 nC Qg, D-Pak
75V, 53A, 16 mOhm, 50 nC Qg, D-Pak
75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D-Pak
100V
100V, 8.7A, 190 mOhm, 6.9 nC Qg, D-Pak
100V, 35A, 28.5 mOhm, 39 nC Qg, D-Pak
100V, 56A, 18 mOhm, 69 nC Qg, D-Pak
150V
150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D-Pak
200V
200V, 24A, 78 mOhm, 25 nC Qg, D-Pak
20- 25 В
20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, D2-Pak
20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, D2-Pak
20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, D2-Pak
20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, D2-Pak
24V, 340A, 1.65 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
24V, 429A, 1 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak 7-pin
30 В
30V, 59A, 9.5 mOhm, 9.7 nC Qg, D2-Pak
30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, D2-Pak
30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, D2-Pak
30V, 150A, 3.8 mOhm, 32 nC Qg, D2-Pak
30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
40 В
40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, D2-Pak
40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak
40V, 270A, 2.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
40V, 320A, 1.6 mOhm, 170 nC Qg, D2-Pak 7-pin
40V, 400A, 1.25 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin
60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D2-Pak
55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, D2-Pak
60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak
55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, D2-Pak
60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, D2-Pak
60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak
60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak
60V, 293A, 2.1 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak 7-pin
75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak
75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, D2-Pak
75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak
75V, 230A, 3.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
75V, 260A, 2.6 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin
100 В
100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak
100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak
100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, D2-Pak
100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, D2-Pak
100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak
100V, 180A, 4.7 mOhm, 143 nC Qg, D2-Pak
100V, 190A, 4.0 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak 7-pin
150 В
150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak
150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, D2-Pak
150V, 99A, 12.1 mOhm, 77 nC Qg, D2-Pak
150V, 105A, 11.8 mOhm, 78 nC Qg, D2-Pak 7-pin
200 В
200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, D2-Pak
200V, 24A, 77.5 mOhm, 25 nC Qg, D2-Pak
200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak
200V, 76A, 21 mOhm, 110 nC, D2-Pak
250 В
250V, 45A, 48 mOhm, 72 nC Qg, D2-Pak
Корпуса для монтажа в отверстие
20
—
25 В
20V, 37A, 15 mOhm, 4.7 nC Qg, I-Pak
20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, I-Pak
20V, 60A, 8.4 mOhm, 9.3 nC Qg, I-Pak
20V, 93A, 5.7 mOhm, 18 nC Qg, I-Pak
20V, 120A, 4.2 mOhm, 21 nC Qg, I-Pak
25V, 81A, 5.7 mOhm, 10 nC Qg, I-pak
25V, 57A, 8.7 mOhm, 6.8 nC Qg, I-pak
30 В
30V, 43A, 13.8 mOhm, 7 nC Qg, I-Pak
30V, 71A, 8.6 mOhm, 10 nC Qg, I-Pak
30V, 65A, 8.4 mOhm, 8.5 nC Qg, I-Pak
30V, 85A, 6.0 mOhm, 18 nC Qg, I-Pak
30V, 94A, 6 mOhm, 22 nC Qg, I-Pak
30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, I-Pak
40 В
40V, 77A, 9 mOhm, 30 nC Qg, I-Pak
40V, 119A, 5.5 mOhm, 59 nC Qg, I-Pak
55-60 В
55V, 30A, 24.5 mOhm, 18 nC Qg, I-Pak
60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, I-Pak
55V, 62A, 11 mOhm, 40 nC Qg, I-Pak
60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, I-Pak
75 В
75V, 45A, 22 mOhm, 34 nC Qg, I-Pak
75V, 53A, 16 mOhm, 50 nC Qg, I-Pak
75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, I-Pak
100 В
100V, 8.7A, 190 mOhm, 6.9 nC Qg, I-Pak
100V, 56A, 18 mOhm, 69 nC Qg, I-Pak
150 В
150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, I-Pak
200 В
200V, 24A, 78 mOhm, 25 nC Qg, I-Pak
20
—
25 В
20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, TO-220AB
20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, TO-220AB
20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, TO-220AB
20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, TO-220AB
24V, 353A, 1.5 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
30 В
30V, 50A, 9 mOhm, 8 nC Qg, TO-220AB
30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, TO-220AB
30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, TO-220AB
30V, 78A, 4.8 mOhm, 15 nC Qg, TO-220AB
30V, 150A, 3.2 mOhm, 36 nC Qg, TO-220AB
30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
30V, 260A, 1.95 mOhm, 57 nC Qg, TO-220AB
40 В
40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, TO-220AB
40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, TO-220AB
40V, 270A, 2.3 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
55-60 В
60V, 43A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, TO-220AB
55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, TO-220AB
55V, 61A, 11 mOhm, 43 nC Qg, TO-220AB
60V, 79A, 8.4 mOhm, 46 nC Qg, TO-220AB
55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, TO-220AB
60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, TO-220AB
60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB
60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, TO-220AB
75 В
75V, 80A, 9.0 mOhm, 56 nC Qg, TO-220AB
75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, TO-220AB
75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB
75V, 210A, 3.3 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
100 В
100V, 18A, 72.5 mOhm, 15 nC Qg, TO-220AB
100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB
100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, TO-220AB
100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, TO-220AB
100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, TO-220AB
100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB
100V, 180A, 4.5 mOhm, 150 nC Qg, TO-220AB
150 В
150V, 17A, 95 mOhm, 13 nC Qg, TO-220AB
150V, 35A, 39 mOhm, 26 nC Qg, TO-220AB
150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, TO-220AB
150V, 104A, 11 mOhm, 77 nC Qg, TO-220AB
200 В
200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, TO-220AB
200V, 25A, 72.5 mOhm, 25 nC Qg, TO-220AB
200V, 65A, 24 mOhm, 70 nC Qg, TO-220AB
200V, 76A, 20 mOhm, 100 nC, TO-220AB
250 В
250V, 46A, 46 mOhm, 72 nC Qg, TO-220AB
250V, 60A, 33 mOhm, 99 nC Qg, TO-220AB
40 В
40V, 350A, 1.7 mOhm, 220 nC Qg, TO-247AC
55-60 В
60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, TO-247AC
60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC
75 В
75V, 170A, 4.5 mOhm, 180 nC Qg, TO-247AC
75V, 210A, 3.3 mOhm, 160 nC Qg, TO-247AC
75V, 350A, 1.85 mOhm, 380 nC Qg, TO-247AC
100 В
100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, TO-247AC
100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC
100V, 168A, 4.6 mOhm, 152 nC Qg, TO-247AC
100V, 290A, 2.6 mOhm, 360 nC Qg, TO-247AC
150 В
150V, 78A, 15.5 mOhm, 71 nC Qg, TO-247AC
150V, 171A, 5.9 mOhm, 151 nC Qg, TO-247AC
200 В
200V, 65A, 25 mOhm, 70 nC Qg, TO-247AC
200V, 130A, 9.7 mOhm, 161 nC Qg, TO-247AC
250 В
250V, 44A, 46 mOhm, 72 nC Qg, TO-247AC
250V, 57A, 33 mOhm, 99 nC Qg, TO-247AC
250V, 93A, 17.5 mOhm, 180 nC Qg, TO-247AC
N-канальные транзисторы 40-100В с логическим управлением
40 В
40V, 100A, 2.4 mOhm max, 43 nC Qg, PQFN 5×6, Logic Level
60V, 100A, 4.4 mOhm max, 44 nC Qg, PQFN 5×6, Logic Level
100 В
100V, 100A, 9.0 mOhm max, 44 nC Qg, PQFN 5×6, Logic Level
40 В
40V, 130A, 4.9 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, D-Pak
55V, 16A, 58 mOhm, 6.6 nC Qg, Logic Level, D-Pak
55V, 60A, 13.5 mOhm, 23 nC Qg, Logic Level, D-Pak
55V, 89A, 8 mOhm, 44 nC Qg, Logic Level, D-Pak
60V, 99A, 6.8 mOhm, 33 nC Qg, Logic Level, D-Pak
100 В
100V, 11A, 185 mOhm, 13.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak
100V, 15A, 105 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, D-Pak
100V, 63A, 14 mOhm, 34 nC Qg, Logic Level, D-Pak
40 В
40V, 104A, 8 mOhm, 45.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40V, 200A, 3.1 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40V, 291A, 1.62 mOhm, 130 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40V, 347A, 1.24 mOhm, 130 nC Qg, Logic Level, D2-Pak 7-pin
55V, 18A, 60 mOhm, 10 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
55V, 51A, 13.5 mOhm, 24 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
55V, 86A, 8 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
60V, 270A, 2.4 mOhm, 91 nC Qg, Logic Level, D2-PAK
60V, 300A, 1.9 mOhm, 110 nC Qg, Logic Level, D2-Pak-7
100 В
100V, 10A, 180 mOhm, 13.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
100V, 17A, 100 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
100V, 36A, 44 mOhm, 49.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
100V, 55A, 26 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
100V, 180A, 4.3 mOhm, 87 nC Qg, Logic Level, D2-PAK
100V, 190A, 3.9 mOhm,93 nC Qg, Logic Level, D2-PAK-7
40 В
40V, 104A, 8 mOhm, 45.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40V, 200A, 3.1 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40V, 343A, 1.7 mOhm, 108 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40V, 327A, 1.7 mOhm, 108 nC Qg, Logic Level, TO-247AC
55V, 18A, 60 mOhm, 10 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
55V, 51A, 13.5 mOhm, 24 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
55V, 86A, 8 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
60V, 370A, 2.4 mOhm, 91 nC Qg, Logic Level, TO220
100 В
100V, 10A, 180 mOhm, 13.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
100V, 17A, 100 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
100V, 36A, 44 mOhm, 49.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
100V, 48A, 260 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
100V, 180A, 4.3 mOhm, 87 nC Qg, Logic Level, TO-220
N-канальные MOSFET транзисторы двухканальные
-30 В
30 В
двухканальный N-транзистор, 30В, 9.7A
двухканальный N-транзистор, 30В, 9.1A
двухканальный N-транзистор, 30В, 8.9A
двухканальный N-транзистор, 30В, 8.0A
двухканальный N-транзистор, 30В, 7.6A
двухканальный N-транзистор, 30В, 8.1A, 2.5В drive capable
60 В
двухканальный N-транзистор, 60В, 8.0A
-30 В
DUAL N-CHANNEL, 20V, 3.4A, 2.5V drive capable, PQFN2x2
DUAL N-CHANNEL, 30V, 3.4A, 2.5V drive capable, PQFN 2×2
30 В
DUAL N-CHANNEL, 30V, 10A, PQFN3x3
100 В
DUAL N-CHANNEL, 100V, 3.4A, PQFN3x3
30 В
30V POL control and syncrhonous, PQFN5x6
P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные
-20 В
-30 В
-20 В
-30 В
-30 В
-30 В
Аудио MOSFET транзисторы класса D