ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

ΠŸΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

_________________
Π½Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ Π² ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ Π²Ρ‹ΠΉΡ‚ΠΈ Π·Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠžΠ‘Π 

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ Π΄Π²Π° ΠΊΡƒΠΏΠΎΠ½Π° ΠΏΠΎ 5$ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ:https://jlcpcb.com/cwc

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
Cat in ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
Π“Ρ€Ρ‹Π·Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°Π½ΠΈΡ„ΠΎΠ»ΡŒ
ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

ΠšΠ°Ρ€ΠΌΠ°: 2
Π Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ сообщСний: 21
ЗарСгистрирован: Π§Ρ‚ ΠΎΠΊΡ‚ 06, 2011 16:27:37
Π‘ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΉ: 289
Π Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ сообщСния: 0

ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ Π² инструкции написано для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ внСшний источник питания
Вопрос ΠΊΠ°ΠΊ это Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅?

_________________
Если Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Π΄Ρ‹ΠΌΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΉ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚!

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
Cat in ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
Π“Ρ€Ρ‹Π·Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°Π½ΠΈΡ„ΠΎΠ»ΡŒ
ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

ΠšΠ°Ρ€ΠΌΠ°: 2
Π Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ сообщСний: 21
ЗарСгистрирован: Π§Ρ‚ ΠΎΠΊΡ‚ 06, 2011 16:27:37
Π‘ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΉ: 289
Π Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ сообщСния: 0

_________________
Если Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Π΄Ρ‹ΠΌΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΉ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚!

Π’Π΅Π±ΠΈΠ½Π°Ρ€ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π² Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ Π½Π΅Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈΡ… источников питания ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… для систСм ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ для ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ примСнСния. Π‘ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ прСдставлСны основныС Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ источников питания ΠΏΠΎ конструктивным ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠ°ΠΌ ΠΈ ΠΏΠΎ областям примСнСния Π² контСкстС ΠΈΡ… стоимости ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΡ… особСнностСй, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹ Π½Π° элСктропитаниС ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства.

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
m.ix ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
Π”Ρ€ΡƒΠ³ ΠšΠΎΡ‚Π°
ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

ΠšΠ°Ρ€ΠΌΠ°: 52
Π Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ сообщСний: 846
ЗарСгистрирован: Π’Ρ‚ сСн 07, 2010 03:01:06
Π‘ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΉ: 16548
ΠžΡ‚ΠΊΡƒΠ΄Π°: Moscow-Izmaylovo
Π Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ сообщСния: 0

_________________
Π›Π΅Ρ‡Ρƒ Π»Π΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ WWW Π°ΡˆΡƒ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΡƒ.

ΠŸΡ€ΠΈΠ³Π»Π°ΡˆΠ°Π΅ΠΌ всСх ΠΆΠ΅Π»Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… 13 октября 2021 Π³. ΠΏΠΎΡΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π΅Π±ΠΈΠ½Π°Ρ€, посвящСнный искусствСнному ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρƒ, ΠΌΠ°ΡˆΠΈΠ½Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΠ±ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡΠΌ для ΠΈΡ… Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ Microchip. Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ срСды для Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ обучСния Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… сСтСй ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π±Π΅Π· Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ изучСния ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΌΠ΅Ρ‚Π° Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒ ΠΈΡΠΊΡƒΡΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ (ANN) Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микропроцСссорах ΠΈ ΠŸΠ›Π˜Π‘, Π½ΠΎ ΠΈ Π½Π° 32-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°Ρ…. А благодаря ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ„ΠΎΠ»ΠΈΠΎ Microchip, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ Π² сСбя Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² Π΄ΠΎ ΠŸΠ›Π˜Π‘, срСдств скоростной ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΈ хранСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ вСсь спСктр Π·Π°Π΄Π°Ρ‡, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ, Π²Π΅Ρ€ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Ρ€Π°Π·Π²Ρ‘Ρ€Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ANN.

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
Cat in ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
Π“Ρ€Ρ‹Π·Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°Π½ΠΈΡ„ΠΎΠ»ΡŒ
ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

ΠšΠ°Ρ€ΠΌΠ°: 2
Π Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ сообщСний: 21
ЗарСгистрирован: Π§Ρ‚ ΠΎΠΊΡ‚ 06, 2011 16:27:37
Π‘ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΉ: 289
Π Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ сообщСния: 0

_________________
Если Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Π΄Ρ‹ΠΌΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΉ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚!

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторовБтраница 1 ΠΈΠ· 1[ Π‘ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΉ: 6 ]

Часовой пояс: UTC + 3 часа

ΠšΡ‚ΠΎ сСйчас Π½Π° Ρ„ΠΎΡ€ΡƒΠΌΠ΅

БСйчас этот Ρ„ΠΎΡ€ΡƒΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚: Π½Π΅Ρ‚ зарСгистрированных ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ гости: 2

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

ΠŸΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов (Π±Π΅Ρ‚Π½ΠΈΠΊ)

ΠžΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ: 20 ΠΌΠ°Ρ€Ρ‚Π°, 2015 β€’ Π ΡƒΠ±Ρ€ΠΈΠΊΠ°: Π Π°Π·Π½ΠΎΠ΅

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

ВмСсто ΠΏΡ€ΠΎΠ»ΠΎΠ³Π°.

ΠŸΡ€ΠΈ сборкС ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π΅ усилитСлСй Π·Π²ΡƒΠΊΠ° довольно часто трСбуСтся ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ биполярных транзисторов. ΠšΠΈΡ‚Π°ΠΉΡΠΊΠΈΠ΅ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ тСстСры ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ (Π² Π½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ β€” коэффициСнт усилСния) биполярного транзистора, Π½ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ. Для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… каскадов ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Ρ‘Ρ‚. А ΠΊΠ°ΠΊ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ с ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ?

Для этих Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ Π² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Ρ, Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ конструированиСм ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚ΠΎΠΌ усилитСлСй, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов. Он Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния Π½Π° Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ…, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΌ.

Π’ Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π½Π΅Ρ‚Π΅ ΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΉ Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ΅ количСство Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² схСм ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов. Как довольно простых, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ слоТных, рассчитанных Π½Π° Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ ΠΈΠ»ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ процСсса ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ.

Для ΡΠ°ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ сборки Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ схСму ΠΏΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ наши Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ Π±Π΅Π· Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π° ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов своими Ρ€ΡƒΠΊΠ°ΠΌΠΈ. Π—Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ сразу, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ-Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ приходится ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π΄Π΅Π»ΠΎ с усилитСлями Π½Π° биполярных транзисторах, поэтому ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ²ΡˆΠΈΠΉΡΡ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ биполярных транзисторов.

Для справки: Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅ Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅Π΄Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π Π°Π΄ΠΈΠΎΠ“Π°Π·Π΅Ρ‚Ρ‹ измСрСния ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠ» старым дСдовским способом: Π΄Π²Π° ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ( Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ эмиттСра) ΠΈ Β«ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π½ΠΈΠΊΒ» для задания Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π”ΠΎΠ»Π³ΠΎ, Π½ΠΎ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ – ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π΅ просто ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы, Π½ΠΎ ΠΈ ΡΠ½ΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ h 21э ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π”ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎ быстро ΠΏΡ€ΠΈΡˆΠ»ΠΎ осознаниС бСсполСзности Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ занятия: для Π½Π°ΡˆΠΈΡ… транзисторов ΡΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ – ΠΎΠ΄Π½ΠΎ расстройство (Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅), для ΠΈΠΌΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… – пустая Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ (всС Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π² Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Π°Ρ…).

Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ² паяльник, Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅Π΄Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ принялся ΡΠΎΠ±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов своими Ρ€ΡƒΠΊΠ°ΠΌΠΈ.

Если Π½ΠΎΠ³ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΎ ΠΏΠ°Ρ…Π½ΡƒΡ‚, вспомнитС, ΠΎΡ‚ΠΊΡƒΠ΄Π° ΠΎΠ½ΠΈ растут.

НСмного ΠΏΠΎΠ³ΡƒΠ³Π»ΠΈΠ², я Π½Π°ΡˆΡ‘Π» схСму ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов, которая растираТирована Π½Π° довольно ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ количСствС сайтов. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ, портативная. Π½ΠΎ ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ самого Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π΅Ρ‘ Π½ΠΈΠΊΡ‚ΠΎ Π½Π΅ Ρ…Π²Π°Π»ΠΈΡ‚. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ сразу, Π½ΠΎ ΡƒΠ²Ρ‹.

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, исходная схСма (с Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ):

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΡƒ

По замыслу Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Π° здСсь ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ совмСстно с испытуСмым транзистором ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ источник ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ΠΎΠΊ эмиттСра Π² этой схСмС постоянный ΠΈ опрСдСляСтся Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ эмиттСрного рСзистора. Зная этот Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½Π°ΠΌ остаётся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΏΡƒΡ‚Ρ‘ΠΌ дСлСния ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ h21э. (Π² авторском Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π΅ шкала ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΠΈ сразу Π³Ρ€Π°Π΄ΡƒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π»Π°ΡΡŒ Π² значСниях h21э).

Π”Π²Π° биполярных транзистора Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ОУ слуТат для увСличСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ способности микросхСмы ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π° Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ…. Π”ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ мост Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Ρ‘Π½ для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ с Β«p-n-pΒ» Π½Π° Β«n-p-nΒ» транзисторы. Для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ точности ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€ биполярных транзисторов трСбуСтся ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ стабилитроны (Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС) с максимально Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ напряТСниями стабилизации.

МСня ΠΊΠ°ΠΊ-Ρ‚ΠΎ сразу смутило Β«Π½Π΅ совсСм ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ΅Β» Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΏΡ€ΠΈ однополярном ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ. Но макСтная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π° всё стСрпит, поэтому схСма Π±Ρ‹Π»Π° собрана ΠΈ ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠ²Π°Π½Π°.

Π‘Ρ€Π°Π·Ρƒ Π²Ρ‹ΡΠ²ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ нСдостатки. Π’ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор сильно зависСл ΠΎΡ‚ напряТСния питания, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρƒ Π½Π΅ Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΌ умудрился ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€ схСмы, питая ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΎΡ‚ аккумулятора, остаётся большой Π·Π°Π³Π°Π΄ΠΊΠΎΠΉ. По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ разряда аккумулятора Β«ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉΒ» Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠΏΠ»Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ довольно Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ. ΠŸΠΎΡ‚ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡˆΠ»ΠΎΡΡŒ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Β«ΡƒΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌΒ» Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ОУ ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅ схСма нСустойчиво Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ транзисторов Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ мощности. ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π»ΠΎΡΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзистора, Π° ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌ я ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡˆΡ‘Π» Π½Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ «классичСский» Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ умощнитСля. А двухполярноС (ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅) ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ ОУ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΠ»ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡƒ с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ.

Π’ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ схСма ΠΏΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Π»Π° Π²ΠΈΠ΄:

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΡƒ

Но Ρ‚ΡƒΡ‚ выявился Π΅Ρ‰Ρ‘ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ нСдостаток – Ссли Π²Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°Π΅Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ биполярного транзистора (Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π΅ Β«p-n-pΒ», Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ транзистор Β«n-p-nΒ»), Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΈΠ· большого количСства транзисторов Π²Ρ‹ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ€Π°Π½ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π΄Π½ΠΎ Π·Π°Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΈΠ· строя ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· транзисторов «умощнитСля» ΠΈ придётся Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. Π”Π° ΠΈ ΠΊ Ρ‡Π΅ΠΌΡƒ Π½Π°ΠΌ слоТности с двухполярным ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΈΠΊ, ΡƒΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π΅Π΅?

Всё гСниальноС просто!

Π― задался Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠ½Π°Π΄Ρ‘ΠΆΠ½Π΅Π΅. ИдСя с источником Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ½Π΅ ΠΏΠΎΠ½Ρ€Π°Π²ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ, проводя измСрСния Π½Π° фиксированном (Π·Π°Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ извСстном) Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ эмиттСра, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΡΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ количСство ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² (Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²).
Π’ΡƒΡ‚ я вспомнил ΠΏΡ€ΠΎ свою Π»ΡŽΠ±ΠΈΠΌΡƒΡŽ микросхСму TL431. Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π½Π΅ΠΉ строится всСго ΠΈΠ· 4-Ρ… Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ: ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторовУчитывая Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ этой микросхСмы (Π° Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π΅Ρ‘ ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ Π½Π΅ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ), для испытания ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡΡ ΠΈΠ΄Π΅Π΅ΠΉ господина Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°:
ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π·Π°Π³Π²ΠΎΠ·Π΄ΠΊΠ° – Π½ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ справочникС Π½Π΅Ρ‚ схСмы источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° TL431 ΠΈ транзисторС Β«p-n-pΒ» структуры. Π Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ эту ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π»Π° идСя Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ΡƒΠ²Π°ΠΆΠ°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ мною господина Π¨ΠΈΠΊΠ»Π°ΠΈ:ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

Π”Π°, ΠΏΡ‹Ρ‚Π»ΠΈΠ²Ρ‹ΠΉ Π³Π»Π°Π· Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор здСсь ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов, Ρ‡Ρ‚ΠΎ вносит Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² измСрСния. Но, Π²ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, ΠΏΡ€ΠΈ значСниях коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора Π’2 Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 20, ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ составит ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 5%, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΡ… Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ допустимо (ΠΌΡ‹ Π½Π΅ Π¨Π°Ρ‚Ρ‚Π» ΠΊ Π’Π΅Π½Π΅Ρ€Π΅ запускаСм).

Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, Ссли ΠΌΡ‹ всё ΠΆΠ΅ запускаСм Π¨Π°Ρ‚Ρ‚Π», ΠΈ Π½Π°ΠΌ трСбуСтся высокая Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, эту ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΡƒΡ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π² расчётах. Π’ΠΎΠΊ эмиттСра транзистора Π’1 практичСски Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора Π’2, Π° Π΅Π³ΠΎ-Ρ‚ΠΎ ΠΌΡ‹ ΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅, ΠΏΡ€ΠΈ расчётС h21э (Π° это ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ Excel) вмСсто Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρ‹: h21э=Iэ/IΠ± Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρƒ: h21э=Iэ/IΠ±-1

Для ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, Π° Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ для обСспСчСния Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ микросхСмы TL431 Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π² качСствС транзистора Π’1 слСдуСт ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ транзистор с ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ h21э. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ биполярный транзистор, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ² наш ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ китайским ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ. МнС ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ всСго ΠΈΠ· 5 ΡˆΡ‚ΡƒΠΊ транзисторов КВ3102 Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ экзСмпляр со Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ 250.

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ сСгодня Π² хозяйствС любого Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Ρ найдётся китайский ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ (Π° Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π½Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½), Π΅Π³ΠΎ-Ρ‚ΠΎ ΠΌΡ‹ ΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС измСритСля Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ Π½Π°ΠΌ Π½Π΅ Π³ΠΎΡ€ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΡŽ для Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² (Ρƒ мСня ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ с автоматичСским Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ), Π° Π·Π°ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· схСмы Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ мост – Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρƒ Π±Π΅Π· Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Ρ‹ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈ мСня, Π¨ΠΈΠΊΠ»Π°ΠΈ ΠΈ Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°.

Для объСдинСния Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρ‘Π½Π½Ρ‹Ρ… схСм Π² ΠΎΠ΄Π½Ρƒ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΠΌ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… элСмСнтов, источник питания ΠΈ для большСй ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΠΈΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ эмиттСрных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ². Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ Π²ΠΎΡ‚ такая схСма ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов:

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΡƒ

ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° схСмС Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°Ρ… расчСтный Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра обСспСчиваСтся ΡƒΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ +4Π’ ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π Π°Π΄ΠΈ экспСримСнта я ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ Ρ€Π°Π· ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π» транзисторы Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΉ структуры. НичСго Π½Π΅ сгорСло! Π₯отя ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ стоило Ρ‚ΠΎΠΊ побольшС Π·Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ? Π‘ΠΊΠ°ΠΆΡƒ чСстно, испытаний Π½Π° Π²Ρ‹Π½ΠΎΡΠ»ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ этого ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎ, врСмя ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚, Π½ΠΎ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ ΠΌΠ½Π΅ нравится.

Π’ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅, ΠΏΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ нСстабилизированного источника, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ стабилизация Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² схСмС осущСствляСтся Π² ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… напряТСний. Но! Π‘Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ транзисторы (особСнно отСчСствСнныС), Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ сильно зависит ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈΠ·-Π·Π° Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ сСти, Π² схСмС прСдусмотрСн стабилизированный источник питания. ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ, ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Β«ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ…Β» транзисторов слСдуСт ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ измСрСния ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Ρ€Ρ‘Ρ… Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, схСма ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ простой, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт Π±Π΅Π· ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ этот ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΡΠ°ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, своими Ρ€ΡƒΠΊΠ°ΠΌΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ позволяСт ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… биполярных транзисторов Β«p-n-pΒ» ΠΈ Β«n-p-nΒ» структуры ΠΏΡƒΡ‚Ρ‘ΠΌ измСрСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ фиксированном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ эмиттСра.

Для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… биполярных транзисторов Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Ρ‹ значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра: 2мА, 5мА, 10мА.
Для ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… биполярных транзисторов измСрСния проводятся ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… эмиттСра: 50мА, 100мА, 500мА.
Ни ΠΊΡ‚ΠΎ Π½Π΅ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ транзисторы срСднСй мощности ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… 10мА, 50мА, 100мА. Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ, Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² масса.
ЗначСния эмиттСрных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° своё усмотрСниС ΠΏΡƒΡ‚Ρ‘ΠΌ пСрСсчёта ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ рСзистора ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅:

Π³Π΄Π΅ UΠΎ β€” ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС TL431 (2,5Π’), Iэ β€” Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра испытуСмого транзистора.

Π’ΠΠ˜ΠœΠΠΠ˜Π•: Π’ ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Π΅ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ микросхСмы TL431 с ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм 1,2Π’ (Π½Π΅ помню ΠΊΠ°ΠΊ отличаСтся ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°). Π’ этом случаС значСния всСх Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… рСзисторов, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° схСмС, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ!

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ ΠΈ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ.

Из-Π·Π° простоты устройства пСчатная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π° Π½Π΅ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π»Π°ΡΡŒ, всС элСмСнты Ρ€Π°ΡΠΏΠ°ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ Ρ€Π°Π·ΡŠΡ‘ΠΌΠΎΠ². Π’ΡΡŽ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π² корпусС нСбольшого Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°, всё Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‘Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ трансформатора ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ.

ΠŸΡ€ΠΈ испытании ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… биполярных транзисторов Π½Π° Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… (100мА ΠΈ 500мА) ΠΈΡ… Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅! Если пластинчатый Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΡΠΌΠΎΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· стСнок ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ сам Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС стСнки ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, Ρ‚ΠΎ это сдСлаСт пользованиС устройством Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΌ. Π Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ всСгда с собой! Π­Ρ‚ΠΎ сущСствСнно ускорит процСсс испытания ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов Π² корпусах ВО220, ВО126, ВОР3, ВО247 ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ….

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡƒ стабилизатора Π±Π»ΠΎΠΊΠ° питания Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° нСбольшой Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€. Π”ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ мост ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Ρ‘Ρ‚ любой Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ 1А ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. Π’ качСствС трансформатора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ подходящий ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ, ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ 10Π’Ρ‚ с напряТСниСм Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ 10-14Π’.

ΠžΠΏΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ: Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π΅ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов прСдусмотрСны Π³Π½Ρ‘Π·Π΄Π° для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° (Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ измСрСния постоянного напряТСния Π½Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» 2-3Π’). ΠŸΠΎΠ΄ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π» эту идСю Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠ· Ρ„ΠΎΡ€ΡƒΠΌΠΎΠ². Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Uбэ транзистора (ΠΏΡ€ΠΈ нСобходимости Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρƒ). Данная функция ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π΅ биполярных транзисторов ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ структуры для ΠŸΠΠ ΠΠ›Π›Π•Π›Π¬ΠΠžΠ“Πž Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада усилитСля. Если ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ напряТСния Uэб ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 60ΠΌΠ’, Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ транзисторы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π‘Π•Π— эмиттСрных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… рСзисторов. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚Π΅, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ усилитСли Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ Accuphase, Π³Π΄Π΅ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΎ 16 транзисторов, стоят Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π΄Π΅Π½Π΅Π³?

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… элСмСнтов:

РСзисторы:
R3 β€” 820 Ом, 0,25Π’Ρ‚,
R4 β€” 1ΠΊ2, 0,25Π’Ρ‚,
R5 β€” 510 Ом, 0,25 Π’Ρ‚,
R6 β€” 260 Ом, 0,25Π’Ρ‚
R7 β€” 5,1 Ом, 5Π’Ρ‚ (Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ большС),
R8 β€” 26 Ом, 1 Π’Ρ‚,
R9 β€” 51 Ом, 0,5Π’Ρ‚,
R10 β€” 1ΠΊ8, 0,25 Π’Ρ‚.

Π‘1 β€” 100nF, 63V,
C2 β€” 1000uF, 35V,
C3 β€” 470uF, 25V

T3 β€” транзистор Ρ‚ΠΈΠΏΠ° КВ3102 ΠΈΠ»ΠΈ любой ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ n-p-n Ρ‚ΠΈΠΏΠ° с высоким коэффициСнтом усилСния,
D3 β€” TL431,
VR1 β€” ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ стабилизатор 7812 (КР142ЕН8Π‘),
LED1 β€” свСтодиод Π·Π΅Π»Ρ‘Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†Π²Π΅Ρ‚Π°,
BR1 β€” Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ мост Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ 1А.

Tr1 β€” трансформатор ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ 10Π’Ρ‚, с напряТСниСм Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ 10-14Π’,
F1 β€” ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° 100mA. 250mA,
ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ (подходящиС доступныС) для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ испытуСмого транзистора.

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° с ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов.

2. Если Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы с ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Uбэ, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌ ΠΊ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π³Π½Ρ‘Π·Π΄Π°ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ измСрСния напряТСния Π½Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» 2-3Π’.

3. ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΊ сСти ΠΈ Π½Π°ΠΆΠΈΠΌΠ°Π΅ΠΌ ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΡƒ Β«Π’ΠΊΠ»Β» (S5).

4. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ S3 Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ структуру испытуСмого транзистора Β«p-n-pΒ» ΠΈΠ»ΠΈ Β«n-p-nΒ», Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ S2 Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏ β€” ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ S1 устанавливаСм минимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

5. ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌ ΠΊ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π³Π½Π΅Π·Π΄Π°ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ испытуСмого транзистора. ΠŸΡ€ΠΈ этом, Ссли транзистор ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ, Π΅Π³ΠΎ слСдуСт Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅.

6. НаТимаСм Π½Π° 2-3 сСкунды ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΡƒ S4 Β«Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅Β». Π‘Ρ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌ показания ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, заносим ΠΈΡ… Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ.

7. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ S1 устанавливаСм ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ повторяСм ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ 6.

8. По ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌ транзистор ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ β€” ΠΎΡ‚ сСти. Π’ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅, ΠΏΠ°Ρ€Π½Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ значСниям ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Если трСбуСтся Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ коэффициСнт h 21э ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΈ, Ρ‚ΠΎ слСдуСт пСрСнСсти Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ Excel ΠΈΠ»ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ.

9. Π‘Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ ΠΈ ΠΎΡ‚Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ транзисторы с Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ значСниями.

ВмСсто эпилога.

НСмного Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌ биполярным транзисторам ( Π½Π΅ зря ΠΆΠ΅ я для Π½ΠΈΡ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ прСдусмотрСл?).
ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ-Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ наибольшСС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ построСнии усилитСлСй Π½Π° транзисторах ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ ( ΠΈ Ρ‚ΠΎ Π² Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ΠΌ случаС) ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… экзСмпляров для ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада.

ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚Π΅ΠΌ, Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ каскады ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠ΅ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π½Π°ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΡŒ забываСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для получСния ΠΎΡ‚ Π΄ΠΈΡ„. каскада ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ ΠΎΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎ максимуму всСх Π΅Π³ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… свойств транзисторы Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ каскадС Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Π½Ρ‹!

Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, для обСспСчСния максимально Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° корпуса транзисторов дифкаскада Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΡΠΊΠ»Π΅ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой (ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΊ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ Ρ…ΠΎΠΌΡƒΡ‚ΠΈΠΊΠΎΠΌ), Π° Π½Π΅ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌ сторонам ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторных сборок устраняСт эти ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹, Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ сборки ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠΉ стоят Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ просто Π½Π΅ доступны Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡΠΌ.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ испытатСлСй биполярных транзисторов

Π‘ практичСской Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ биполярного транзистора ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ нСуправляСмый ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° IΠšΠ‘Πž ΠΈ статичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° h21э. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ измСрСния этих ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Ρ€-ΠΏ-Ρ€ транзисторов ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рис. 57.

Для транзисторов структуры ΠΏ-Ρ€-ΠΏ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ GB ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° РА Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊΠ±ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ эмиттСрС (рис. 57, Π°). Π§Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ мСньшС, Ρ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ качСство ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора.

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ h21э, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊ ΠΊ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π²ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ‘, (рис. 57, Π±), Ρ‚. Π΅. h2lэ

IΠΊ/IΠ². Π§Π΅ΠΌ большС числСнноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, Ρ‚Π΅ΠΌ большС усилСниС сигнала, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор.

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

Для измСрСния этих Π΄Π²ΡƒΡ… основных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… биполярных транзисторов ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΊΡ€ΡƒΠΆΠΊΠ΅ приставку ΠΊ ΡΠ°ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π°Π²ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρƒ, описанному Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ приставки ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 58, Π°. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ транзистор V ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ элСктродов ΠΊ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π·Π°ΠΆΠΈΠΌΠ°ΠΌ Β«Π­Β», Β«Π‘Β» ΠΈ «К» приставки, соСдинСнной (Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π·Π°ΠΆΠΈΠΌΡ‹ XI, Π₯2 ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΡˆΡ‚Π΅ΠΏΡΠ΅Π»ΡΠΌΠΈ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π°Ρ…) с ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π°Π²ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» измСрСния Β«1 мА». ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S2 ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ структурС провСряСмого транзистора. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ транзистора структуры ΠΏ-Ρ€-ΠΏ с Π³Π½Π΅Π·Π΄ΠΎΠΌ Β«ΠžΠ±Ρ‰.Β» Π°Π²ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ Π·Π°ΠΆΠΈΠΌ XI приставки (ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° рис. 58, Π°), Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ транзистора структуры Ρ€-ΠΏ-Ρ€ β€” Π·Π°ΠΆΠΈΠΌ Π₯2.

Установив ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S1 Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Β«I ΠšΠ‘ΠžΒ», ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ сначала ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ, пСрСвСдя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S1 Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Β«h21э», β€” статичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠžΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ стрСлки ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π½Π° всю ΡˆΠΊΠ°Π»Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° I ΠšΠ‘0 ΡƒΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° провСряСмого транзистора.

ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΏΡ‚ для измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов

Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° h21э происходит ΠΏΡ€ΠΈ фиксированном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΌ рСзистором R1 Π΄ΠΎ 10 мкА. ΠŸΡ€ΠΈ этом транзистор открываСтся ΠΈ Π² Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ (Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€) Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнту h21э. Если, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ фиксируСт Ρ‚ΠΎΠΊ 0,5 мА (500 мкА), Ρ‚ΠΎ коэффициСнт h21э провСряСмого транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ 50 (500 : 10 = 50). Π’ΠΎΠΊ 1 мА (ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ стрСлки ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ ΡˆΠΊΠ°Π»Ρ‹), ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, соотвСтствуСт коэффициСнту h21э Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΡƒ 100. Если стрСлка ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π·Π°ΡˆΠΊΠ°Π»ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚, ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π°Π²ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π½Π°Π΄ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» измСрСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” Β«10 мА». Π’ этом случаС вся шкала ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ коэффициСнту h21э, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΡƒ 1000, Π° каТдая дСсятая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π΅Π΅ β€” 100.

РСзистор R2, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π΄ΠΎ 3 мА, Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ для прСдупрСТдСния ΠΏΠΎΡ€Ρ‡ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ·-Π·Π° пробоя провСряСмого транзистора.
ВозмоТная конструкция приставки ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 58, Π±. Для Π»ΠΈΡ†Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Π½Π΅Π»ΠΈ, Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 130X75 ΠΌΠΌ, ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ листовой гСтинакс ΠΈΠ»ΠΈ тСкстолит Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 1,5β€”2 ΠΌΠΌ.

Π—Π°ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Β«Π­Β», Β«Π‘Β» ΠΈ «К> для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзистора Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Β«ΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΄ΠΈΠ»Β». ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π²ΠΈΠ΄Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ S1 β€” Ρ‚ΡƒΠΌΠ±Π»Π΅Ρ€ ВП2-1, структуры транзистора S2 β€” ВП1-2. Π‘Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΡŽ питания GB1 β€” 3336Π› ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… элСмСнтов 332, крСпят Π½Π° ΠΏΠ°Π½Π΅Π»ΠΈ снизу, Ρ‚Π°ΠΌ ΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ рСзисторы R1 ΠΈ R2. Π—Π°ΠΆΠΈΠΌΡ‹ (ΠΈΠ»ΠΈ Π³Π½Π΅Π·Π΄Π°) для соСдинСния приставки с Π°Π²ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ Π² любом ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠΌ мСстС, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π½Π° Π·Π°Π΄Π½Π΅ΠΉ Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ стСнкС ящика. Π‘Π²Π΅Ρ€Ρ…Ρƒ Π½Π° панСль Π½Π°ΠΊΠ»Π΅ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΡƒΡŽ ΠΈΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с приставкой-ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзисторов срСднСй ΠΈ большой мощности ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ простого ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, схСма ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 59. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ транзистор V ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΊ Π·Π°ΠΆΠΈΠΌΠ°ΠΌ, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π΅Π³ΠΎ элСктродам. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ транзистора оказываСтся Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ РА1 Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ отклонСния стрСлки 1A, Π° Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ β€” ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· рСзисторов R1β€”R4. БопротивлСния рСзисторов ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ с Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ расчСтом, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ 3, 10, 30 ΠΈ 50 мА. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° транзистора осущСствляСтся ΠΏΡ€ΠΈ фиксированных Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, устанавливаСмых ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ S1. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌ питания слуТат Ρ‚Ρ€ΠΈ элСмСнта 373, соСдинСнныС ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈΠ»ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ напряТСниС 4,5 Π’ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π΄ΠΎ 2А.

ЧислСнноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ статичСского коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° провСряСмого транзистора ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π²ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹. НапримСр, Ссли ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S1 установлСн Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ 10 мА, Π° Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ PA 1 фиксируСт Ρ‚ΠΎΠΊ 500 мА, Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, коэффициСнт h21э Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 50 (500 : 10 = 50).

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° β€” испытатСля транзисторов ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ. Π•Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ приставку ΠΊ Π°Π²ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρƒ, Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ рассчитан Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ постоянных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΡƒ транзистора Π½Π°Π΄ΠΎ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ быстрСС, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 250. 300 мА ΠΎΠ½ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ самым Π²Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ.

Π’.Π“. Борисов. ΠšΡ€ΡƒΠΆΠΎΠΊ радиотСхничСского конструирования

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *