таблица параметров полевых транзисторов irf
Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок
N-канальные MOSFET транзисторы одноканальные
Корпуса для поверхностного монтажа
20-25 В
20V, 4A, 43 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
20V, 6.4A, 21 mOhm, 8 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
25V, 5.7A, 24 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23
30 В
30V, 2.7A, 100 mOhm, 1.0 nC Qg, SOT-23
30V, 5.2A, 27 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23
30V, 3.3A, 77 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
30V, 6.3A, 34 mOhm, 7.5 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
40 В
40V, 3.6A, 56 mOhm, 2.6 nC Qg, SOT-23
60V, 1.2A, 460 mOhm, 0.4 nC Qg, SOT-23
60V, 2.7A, 92 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23
100 В
100V, 1.6A, 220 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20V, 8.5A, 11.7 mOhm, 14 nC Qg, 2.5V drive capable
25V, 8.5A, 13 mOhm, 4.3 nC Qg
30 В
30V, 8.5A, 16.2 mOhm, 11nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 16 mOhm, 4.2 nC Qg
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20V, 40A, 2.5 mOhm, 52 nC Qg, 2.5V drive capable
30 В
30V, 16A, 7.1 mOhm, 9.6 nC Qg
30V, 12A, 12.4 mOhm, 5.4 nC Qg
30V, 24A, 7.8 mOhm, 7.3 nC Qg
30V FETky, 40A, 4.3 mOhm, 13 nC Qg
30V, 40A, 3.8 mOhm, 15 nC Qg
30V, 40A, 3.5 mOhm, 41 nC Qg, 2.5V drive capable
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20 – 25 В
20V, 20A, 4.4 mOhm, 22 nC Qg, SO-8
25V, 25A, 2.7 mOhm, 35 nC Qg, SO-8
20V, 27A, 2.45 mOhm, 130 nC Qg, 2.5V drive capable
30 В
30V, 8.5A, 21mOhm, TSOP-6
30V, 11A, 11.9 mOhm, 6.2 nC Qg, SO-8
30V, 14A, 8.7 mOhm, 8.1 nC Qg, SO-8
30V, 14A, 8.5 mOhm, 8.3 nC Qg, SO-8
30V, 18A, 4.8 mOhm, 17 nC Qg, SO-8
30V, 21A, 3.5 mOhm, 20 nC Qg, SO-8
30V, 21A, 3.3 mOhm, 30 nC Qg, SO-8
30V, 24A, 2.8 mOhm, 44 nC Qg, SO-8
30V, 9.9A, 14.6 mOhm, 11 nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 20mOhm, 2.5V drive capable, TSOP-6
40 В
40V, 18A, 5 mOhm, 33 nC Qg, SO-8
60V, 12A, 9.4 mOhm, 26 nC Qg, SO-8
80V, 9.2A, 15 mOhm, 31 nC Qg, SO-8
80V, 10A, 13.4 mOhm, 27 nC Qg, SO-8
100 В
100V, 7.3A, 22 mOhm, 34 nC Qg, SO-8
100V, 8.3A, 18 mOhm, 28 nC Qg, SO-8
150 В
150V, 5.2A, 44 mOhm, 36 nC Qg, SO-8
150V, 5.1A, 43 mOhm, 25 nC Qg, SO-8
200 В
200V, 3.7A, 79 mOhm, 39 nC Qg, SO-8
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20
—
25 В
20V, 100A, 1.2 mOhm, 155 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6
20V, 50A, 3.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6
25V, 51A, 6 mOhm, 7 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6
25V, 100A, 1.15 mOhm, 52 nC Qg, PQFN 5×6
25V FETky, 100A, 1.4 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
30 В
30V, 16A, 13 mOhm, 4.7 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 9 mOhm, 7.1 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 44A, 8.1 mOhm, 7.8 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 6.6 mOhm, 9.3 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 5 mOhm, 15 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 79A, 4.5 mOhm, 16 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 82A, 4.2 mOhm, 15 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6
30V, 50A, 4.1 mOhm, 14 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 50A, 3.1 mOhm, 19 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 50A, 2.1 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, PQFN 5×6
30V FETky, 100A, 2.5 mOhm, 26 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 1.85 mOhm, 37 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 1.4 mOhm, 50 nC Qg, PQFN 5×6
40 В
40V, 100A, 4.3 mOhm, 42 nC Qg, PQFN 5×6
40V, 100A, 3.5 mOhm, 53 nC Qg, PQFN 5×6
40V, 100A, 2.6 mOhm, 73 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 40A, 14.4 mOhm, 23 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 89A, 6.7 mOhm, 40 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 100A, 5.6 mOhm, 50nC Qg, PQFN 5×6
60V, 100A, 4.1 mOhm, 67 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 75A, 8.5 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 71A, 9.6 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 100A, 5.9 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6
100 В
100V, 55A, 14.9 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
100V, 63A, 12.4 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6
100V, 100A, 9.0 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6
150 В
150V, 27A, 58 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6
150V, 56A, 31 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6
200 В
200V, 20A, 100 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6
200V, 41A, 59 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6
250 В
250V, 31A, 104 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6
25 В
25V, 39A, 7.8 mOhm, 8.1 nC Qg, Small Can
25V, 37A, 5.9 mOhm, 8.8 nC Qg, Small Can
25V, 68A, 4.9 mOhm, 13 nC Qg, Small Can
25V, 95A, 3.0 mOhm, 21 nC Qg, Small Can
25V, 166A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, Med Can
25V, 180A, 1.6 mOhm, 40 nC Qg, Med Can
25V, 180A, 1.6 mOhm, 39 nC Qg, Med Can
25V, 220A, 1.25 mOhm, 46 nC Qg, Med Can
25V, 160A, 1.8 mOhm, 35 nC Qg, Med Can
25V, 210A, 1.4 mOhm, 45 nC Qg, Med Can
25V, 270A, 0.7 mOhm, 64 nC Qg, Large Can
30 В
30V, 35A, 8.0 mOhm, 7.9 nC Qg, Small Can
30V, 36A, 8.9 mOhm, 6.6 nC Qg, Small Can
30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual
30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual
30V, 56A, 7.7 mOhm, 11 nC Qg, Med Can
30V, 58A, 7.3 mOhm, 11 nC Qg, Small Can
30V, 60A, 7.3 mOhm, 11.7 nC Qg, Small Can
30V, 140A, 2.5 mOhm, 28 nC Qg, Med Can
30V, 150A, 2.5 mOhm, 33 nC Qg, Med Can
30V, 170A, 2.2 mOhm, 36 nC Qg, Med Can
30V, 180A, 1.7 mOhm, 51 nC Qg, Med Can
30V, 180A, 1.7 mOhm, 49 nC Qg, Med Can
30V, 190A, 1.8 mOhm, 42 nC Qg, Med Can
40 В
40V, 55A, 8.3 mOhm, 19 nC Qg, Small Can
40V, 106A, 5.0 mOhm, 29 nC Qg, Med Can
40V, 150A, 3.4 mOhm, 42 nC Qg, Med Can
40V, 270A, 1.0 mOhm, 220 nC Qg, Large Can
60V, 67A, 11.2 mOhm, 25 nC Qg, Med Can
60V, 86A, 7.0 mOhm, 36 nC Qg, Med Can
60V, 108A, 1.3mohms, 220nC, Large Can
80V, 55A, 15 mOhm, 22 nC Qg, Med Can
80V, 68A, 9.5 mOhm, 36 nC Qg, Med Can
75V, 83.8, 2.2 mohms, 220nC, Large Can
100 В
100V, 19A, 62 mOhm, 8.7 nC Qg, Small Can
100V, 14.7A, 60 mOhm, 8.3 nC Qg, Small Can
100V, 25A, 35 mOhm, 14 nC Qg, Small Can
100V, 47A, 22 mOhm, 22 nC Qg, Med Can
100V, 60A, 13 mOhm, 35 nC Qg, Med Can
100V, 124A, 3.5 mOhm, 200 nC Qg, Large Can
150 В
150V, 28A, 47 mOhm, 25 nC Qg, Med Can
150V, 35A, 35 mOhm, 39 nC Qg, Med Can
150V, 67A, 11 mOhm, 97 nC Qg, Large Can
200 В
200V, 15A, 100 mOhm, 26 nC Qg, Med Can
200V, 26A, 60 mOhm, 34 nC Qg, Med Can
250 В
250 В, 35A, 38 mOhm, 110 nC Qg, Large Can
20V—25V
20V, 37A, 15 mOhm, 4.7 nC Qg, D-Pak
20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, D-Pak
20V, 60A, 8.4 mOhm, 9.3 nC Qg, D-Pak
20V, 93A, 5.7 mOhm, 18 nC Qg, D-Pak
20V, 120A, 4.2 mOhm, 21 nC Qg, D-Pak
20V, 42A, 4.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, D-PAK
25V, 81A, 5.7 mOhm, 10 nC Qg, D-PAK
25V, 57A, 8.7 mOhm, 6.8 nC Qg, D-PAK
30V, 43A, 13.8 mOhm, 7 nC Qg, D-Pak
30V, 71A, 8.6 mOhm, 10 nC Qg, D-PAK
30V, 65A, 8.4 mOhm, 8.5 nC Qg, D-Pak
30V, 85A, 6.0 mOhm, 18 nC Qg, D-PAK
30V, 94A, 6 mOhm, 22 nC Qg, D-Pak
30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, D-Pak
40V, 77A, 9 mOhm, 30 nC Qg, D-Pak
40V, 119A, 5.5 mOhm, 59 nC Qg, D-Pak
55V, 30A, 24.5 mOhm, 18 nC Qg, D-Pak
60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D-Pak
55V, 62A, 11 mOhm, 40 nC Qg, D-Pak
60V, 77A, 8.4 mOhm, 46 nC Qg, D-Pak
75V, 45A, 22 mOhm, 34 nC Qg, D-Pak
75V, 53A, 16 mOhm, 50 nC Qg, D-Pak
75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D-Pak
100V
100V, 8.7A, 190 mOhm, 6.9 nC Qg, D-Pak
100V, 35A, 28.5 mOhm, 39 nC Qg, D-Pak
100V, 56A, 18 mOhm, 69 nC Qg, D-Pak
150V
150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D-Pak
200V
200V, 24A, 78 mOhm, 25 nC Qg, D-Pak
20- 25 В
20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, D2-Pak
20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, D2-Pak
20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, D2-Pak
20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, D2-Pak
24V, 340A, 1.65 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
24V, 429A, 1 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak 7-pin
30 В
30V, 59A, 9.5 mOhm, 9.7 nC Qg, D2-Pak
30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, D2-Pak
30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, D2-Pak
30V, 150A, 3.8 mOhm, 32 nC Qg, D2-Pak
30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
40 В
40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, D2-Pak
40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak
40V, 270A, 2.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
40V, 320A, 1.6 mOhm, 170 nC Qg, D2-Pak 7-pin
40V, 400A, 1.25 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin
60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D2-Pak
55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, D2-Pak
60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak
55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, D2-Pak
60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, D2-Pak
60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak
60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak
60V, 293A, 2.1 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak 7-pin
75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak
75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, D2-Pak
75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak
75V, 230A, 3.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
75V, 260A, 2.6 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin
100 В
100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak
100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak
100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, D2-Pak
100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, D2-Pak
100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak
100V, 180A, 4.7 mOhm, 143 nC Qg, D2-Pak
100V, 190A, 4.0 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak 7-pin
150 В
150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak
150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, D2-Pak
150V, 99A, 12.1 mOhm, 77 nC Qg, D2-Pak
150V, 105A, 11.8 mOhm, 78 nC Qg, D2-Pak 7-pin
200 В
200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, D2-Pak
200V, 24A, 77.5 mOhm, 25 nC Qg, D2-Pak
200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak
200V, 76A, 21 mOhm, 110 nC, D2-Pak
250 В
250V, 45A, 48 mOhm, 72 nC Qg, D2-Pak
Корпуса для монтажа в отверстие
20
—
25 В
20V, 37A, 15 mOhm, 4.7 nC Qg, I-Pak
20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, I-Pak
20V, 60A, 8.4 mOhm, 9.3 nC Qg, I-Pak
20V, 93A, 5.7 mOhm, 18 nC Qg, I-Pak
20V, 120A, 4.2 mOhm, 21 nC Qg, I-Pak
25V, 81A, 5.7 mOhm, 10 nC Qg, I-pak
25V, 57A, 8.7 mOhm, 6.8 nC Qg, I-pak
30 В
30V, 43A, 13.8 mOhm, 7 nC Qg, I-Pak
30V, 71A, 8.6 mOhm, 10 nC Qg, I-Pak
30V, 65A, 8.4 mOhm, 8.5 nC Qg, I-Pak
30V, 85A, 6.0 mOhm, 18 nC Qg, I-Pak
30V, 94A, 6 mOhm, 22 nC Qg, I-Pak
30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, I-Pak
40 В
40V, 77A, 9 mOhm, 30 nC Qg, I-Pak
40V, 119A, 5.5 mOhm, 59 nC Qg, I-Pak
55-60 В
55V, 30A, 24.5 mOhm, 18 nC Qg, I-Pak
60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, I-Pak
55V, 62A, 11 mOhm, 40 nC Qg, I-Pak
60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, I-Pak
75 В
75V, 45A, 22 mOhm, 34 nC Qg, I-Pak
75V, 53A, 16 mOhm, 50 nC Qg, I-Pak
75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, I-Pak
100 В
100V, 8.7A, 190 mOhm, 6.9 nC Qg, I-Pak
100V, 56A, 18 mOhm, 69 nC Qg, I-Pak
150 В
150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, I-Pak
200 В
200V, 24A, 78 mOhm, 25 nC Qg, I-Pak
20
—
25 В
20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, TO-220AB
20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, TO-220AB
20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, TO-220AB
20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, TO-220AB
24V, 353A, 1.5 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
30 В
30V, 50A, 9 mOhm, 8 nC Qg, TO-220AB
30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, TO-220AB
30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, TO-220AB
30V, 78A, 4.8 mOhm, 15 nC Qg, TO-220AB
30V, 150A, 3.2 mOhm, 36 nC Qg, TO-220AB
30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
30V, 260A, 1.95 mOhm, 57 nC Qg, TO-220AB
40 В
40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, TO-220AB
40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, TO-220AB
40V, 270A, 2.3 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
55-60 В
60V, 43A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, TO-220AB
55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, TO-220AB
55V, 61A, 11 mOhm, 43 nC Qg, TO-220AB
60V, 79A, 8.4 mOhm, 46 nC Qg, TO-220AB
55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, TO-220AB
60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, TO-220AB
60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB
60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, TO-220AB
75 В
75V, 80A, 9.0 mOhm, 56 nC Qg, TO-220AB
75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, TO-220AB
75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB
75V, 210A, 3.3 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
100 В
100V, 18A, 72.5 mOhm, 15 nC Qg, TO-220AB
100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB
100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, TO-220AB
100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, TO-220AB
100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, TO-220AB
100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB
100V, 180A, 4.5 mOhm, 150 nC Qg, TO-220AB
150 В
150V, 17A, 95 mOhm, 13 nC Qg, TO-220AB
150V, 35A, 39 mOhm, 26 nC Qg, TO-220AB
150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, TO-220AB
150V, 104A, 11 mOhm, 77 nC Qg, TO-220AB
200 В
200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, TO-220AB
200V, 25A, 72.5 mOhm, 25 nC Qg, TO-220AB
200V, 65A, 24 mOhm, 70 nC Qg, TO-220AB
200V, 76A, 20 mOhm, 100 nC, TO-220AB
250 В
250V, 46A, 46 mOhm, 72 nC Qg, TO-220AB
250V, 60A, 33 mOhm, 99 nC Qg, TO-220AB
40 В
40V, 350A, 1.7 mOhm, 220 nC Qg, TO-247AC
55-60 В
60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, TO-247AC
60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC
75 В
75V, 170A, 4.5 mOhm, 180 nC Qg, TO-247AC
75V, 210A, 3.3 mOhm, 160 nC Qg, TO-247AC
75V, 350A, 1.85 mOhm, 380 nC Qg, TO-247AC
100 В
100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, TO-247AC
100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC
100V, 168A, 4.6 mOhm, 152 nC Qg, TO-247AC
100V, 290A, 2.6 mOhm, 360 nC Qg, TO-247AC
150 В
150V, 78A, 15.5 mOhm, 71 nC Qg, TO-247AC
150V, 171A, 5.9 mOhm, 151 nC Qg, TO-247AC
200 В
200V, 65A, 25 mOhm, 70 nC Qg, TO-247AC
200V, 130A, 9.7 mOhm, 161 nC Qg, TO-247AC
250 В
250V, 44A, 46 mOhm, 72 nC Qg, TO-247AC
250V, 57A, 33 mOhm, 99 nC Qg, TO-247AC
250V, 93A, 17.5 mOhm, 180 nC Qg, TO-247AC
N-канальные транзисторы 40-100В с логическим управлением
40 В
40V, 100A, 2.4 mOhm max, 43 nC Qg, PQFN 5×6, Logic Level
60V, 100A, 4.4 mOhm max, 44 nC Qg, PQFN 5×6, Logic Level
100 В
100V, 100A, 9.0 mOhm max, 44 nC Qg, PQFN 5×6, Logic Level
40 В
40V, 130A, 4.9 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, D-Pak
55V, 16A, 58 mOhm, 6.6 nC Qg, Logic Level, D-Pak
55V, 60A, 13.5 mOhm, 23 nC Qg, Logic Level, D-Pak
55V, 89A, 8 mOhm, 44 nC Qg, Logic Level, D-Pak
60V, 99A, 6.8 mOhm, 33 nC Qg, Logic Level, D-Pak
100 В
100V, 11A, 185 mOhm, 13.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak
100V, 15A, 105 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, D-Pak
100V, 63A, 14 mOhm, 34 nC Qg, Logic Level, D-Pak
40 В
40V, 104A, 8 mOhm, 45.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40V, 200A, 3.1 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40V, 291A, 1.62 mOhm, 130 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40V, 347A, 1.24 mOhm, 130 nC Qg, Logic Level, D2-Pak 7-pin
55V, 18A, 60 mOhm, 10 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
55V, 51A, 13.5 mOhm, 24 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
55V, 86A, 8 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
60V, 270A, 2.4 mOhm, 91 nC Qg, Logic Level, D2-PAK
60V, 300A, 1.9 mOhm, 110 nC Qg, Logic Level, D2-Pak-7
100 В
100V, 10A, 180 mOhm, 13.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
100V, 17A, 100 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
100V, 36A, 44 mOhm, 49.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
100V, 55A, 26 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
100V, 180A, 4.3 mOhm, 87 nC Qg, Logic Level, D2-PAK
100V, 190A, 3.9 mOhm,93 nC Qg, Logic Level, D2-PAK-7
40 В
40V, 104A, 8 mOhm, 45.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40V, 200A, 3.1 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40V, 343A, 1.7 mOhm, 108 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40V, 327A, 1.7 mOhm, 108 nC Qg, Logic Level, TO-247AC
55V, 18A, 60 mOhm, 10 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
55V, 51A, 13.5 mOhm, 24 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
55V, 86A, 8 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
60V, 370A, 2.4 mOhm, 91 nC Qg, Logic Level, TO220
100 В
100V, 10A, 180 mOhm, 13.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
100V, 17A, 100 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
100V, 36A, 44 mOhm, 49.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
100V, 48A, 260 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
100V, 180A, 4.3 mOhm, 87 nC Qg, Logic Level, TO-220
N-канальные MOSFET транзисторы двухканальные
-30 В
30 В
двухканальный N-транзистор, 30В, 9.7A
двухканальный N-транзистор, 30В, 9.1A
двухканальный N-транзистор, 30В, 8.9A
двухканальный N-транзистор, 30В, 8.0A
двухканальный N-транзистор, 30В, 7.6A
двухканальный N-транзистор, 30В, 8.1A, 2.5В drive capable
60 В
двухканальный N-транзистор, 60В, 8.0A
-30 В
DUAL N-CHANNEL, 20V, 3.4A, 2.5V drive capable, PQFN2x2
DUAL N-CHANNEL, 30V, 3.4A, 2.5V drive capable, PQFN 2×2
30 В
DUAL N-CHANNEL, 30V, 10A, PQFN3x3
100 В
DUAL N-CHANNEL, 100V, 3.4A, PQFN3x3
30 В
30V POL control and syncrhonous, PQFN5x6
P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные
-20 В
-30 В
-20 В
-30 В
-30 В
-30 В
Аудио MOSFET транзисторы класса D
Новая серия МОП-транзисторов IRFP4xxx с ультранизким сопротивлением канала
Отличительная особенность новой серии IRFP4xxx, производимой по новейшей технологии Trench HEXFET Power MOSFETs, — уменьшенное сопротивление Rds(on) до 2,5 раз по сравнению с транзисторами предыдущего поколения. Все они выпускаются в стандартном популярном корпусе TO-247AC, что позволяет существенно снизить стоимость готового устройства. Производитель рекомендует следующие области применения новых МОП-транзисторов:
Преимущества по отношению к предыдущим поколениям MOSFET
На рисунке 1 представлено сравнение Rds(on) новых транзисторов (выделены желтым цветом) и лучших приборов предыдущего поколения IR (выделены синим цветом).
Рис. 1. Сравнение Rds(on) транзисторов новой серии IRFP4xxx и приборов предыдущих
поколений
В таблицу 1 сведены для сопоставления основные параметры транзисторов, производимых по новейшей технологии, и некоторых предыдущих серий MOSFET в корпусе ТО-247АС.
Таблица 1. Параметры новых полевых транзисторов IRFP4xxx и транзисторов IR предыдущих поколений в корпусе TO-247AC
| Наименование | Vси, макс, В | Rds(on) макс., мОм, Vзи=10 В | Iстока, A, t° = 25°C | Iстока, A, t° = 100°C | Qg.*, тип., нКл | Qgd**, тип., нКл | Rth(JC)***, К/Вт | Мощ- ность, Вт, макс. (при t°=25°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP4004PBF (New) | 40 | 1,7 | 350**** | 250**** | 220 | 75 | 0,40 | 380 |
| IRFP044N | 55 | 20,0 | 53 | 37 | 40,7 | 16,0 | 1,5 | 100 |
| IRFP1405 | 55 | 5,3 | 160 | 110 | 120,0 | 53,3 | 0,49 | 310 |
| IRFP064N | 55 | 8,0 | 98 | 69 | 113,3 | 50,0 | 1,0 | 150 |
| IRFP054N | 55 | 12,0 | 72 | 51 | 86,7 | 35,3 | 1,2 | 130 |
| IRFP048N | 55 | 16,0 | 62 | 44 | 59,3 | 26,0 | 1,2 | 130 |
| IRFP064V | 60 | 5,5 | 130 | 95 | 173,3 | 62,7 | 0,60 | 250 |
| IRFP054V | 60 | 9,0 | 93 | 66 | 113,3 | 39,3 | 0,85 | 180 |
| IRFP3206PBF | 60 | 3,0 | 200 | 140 | 120,0 | 35,0 | 0,54 | 280 |
| IRFP3306PBF | 60 | 4,2 | 160 | 110 | 85,0 | 26,0 | 0,67 | 220 |
| IRFP2907Z | 75 | 4,5 | 170 | 120 | 180,0 | 65,0 | 0,49 | 310 |
| IRFP4368PBF (New) | 75 | 1,8 | 350**** | 250**** | 380,0 | 105,0 | 0,29 | 520 |
| IRFP3077PBF | 75 | 3,3 | 200 | 140 | 160,0 | 42,0 | 0,44 | 340 |
| IRFP2907 | 75 | 4,5 | 177 | 125 | 410,0 | 140,0 | 0,45 | 330 |
| IRFP4710 | 100 | 14,0 | 72 | 51 | 110,0 | 40,0 | 0,81 | 190 |
| IRFP4410ZPBF | 100 | 9,0 | 97 | 69 | 83,0 | 27,0 | 0,65 | 230 |
| IRFP150V | 100 | 24,0 | 46 | 32 | 86,7 | 28,7 | 1,1 | 140 |
| IRFP150N | 100 | 36,0 | 39 | 28 | 73,3 | 38,7 | 1,1 | 140 |
| IRFP140N | 100 | 52,0 | 27 | 19 | 62,7 | 28,7 | 1,6 | 94 |
| IRFP3710 | 100 | 25,0 | 51 | 36 | 66,7 | 17,3 | 0,83 | 180 |
| IRFP4310ZPBF | 100 | 6,0 | 134 | 95 | 120,0 | 35,0 | 0,54 | 280 |
| IRFP4468PBF (New) | 100 | 2,6 | 290**** | 200**** | 360,0 | 89,0 | 0,29 | 520 |
| IRFP4110PBF | 100 | 4,5 | 180 | 130 | 150,0 | 43,0 | 0,40 | 370 |
| IRFP3415 | 150 | 42,0 | 43 | 30 | 133,3 | 65,3 | 0,75 | 200 |
| IRFP4321PBF | 150 | 15,5 | 78 | 55 | 71,0 | 21,0 | 0,49 | 310 |
| IRFP4568PBF (New) | 150 | 5,9 | 171**** | 121**** | 151,0 | 55,0 | 0,29 | 517 |
| IRFP4227PBF | 200 | 25,0 | 65 | 46 | 70,0 | 23,0 | 0,45 | 330 |
| IRFP260N | 200 | 40,0 | 49 | 35 | 156,0 | 73,3 | 0,50 | 300 |
| IRFP4668PBF (New) | 200 | 9,7 | 130 | 92 | 161,0 | 52,0 | 0,29 | 520 |
| IRFP90N20D | 200 | 23,0 | 94 | 66 | 180,0 | 87,0 | 0,26 | 580 |
| IRFP250N | 200 | 75,0 | 30 | 21 | 82,0 | 38,0 | 0,70 | 214 |
| IRFP4332PBF | 250 | 33,0 | 57 | 40 | 99,0 | 35,0 | 0,42 | 360 |
| IRFP4229PBF | 250 | 46,0 | 44 | 31 | 72,0 | 26,0 | 0,49 | 310 |
| IRFP4232 | 250 | 35,7 | 60 | 42 | 160,0 | 60,0 | 0,35 | 430 |
| IRFP4242PBF | 300 | 59,0 | 46 | 33 | 165,0 | 61,0 | 0,35 | 430 |
| * Qg — Total Gate Charge — суммарный (полный) заряд затвора ** Qgd — Gate-to-Drain («Miller») Charge — заряд затвора, обусловленный эффектом Миллера *** Rth(JC) — тепловое сопротивление «переход-корпус» (Junction-to-Case), измеренное ри температуре около 90°С **** Максимальный ток, ограниченный кристаллом ток, ограниченный выводами корпуса, см. в документации производителя). | ||||||||
Необходимо обратить внимание на то, что новые транзисторы IRFP4004PBF, IRFP4368PBF, IRFP4468PBF, IRFP4568PBF имеют ограничение тока из-за сопротивления выводов корпуса ТО-247АС, а не из-за кристалла (кристалл способен на гораздо большее). При расчетах схем с этими транзисторами и сравнении с аналогичными приборами целесообразнее ориентироваться на сопротивление канала в открытом состоянии, не забывая об ограничении тока выводами корпуса ТО-247АС. В новой серии появился транзистор IRFP4004PBF с максимальным напряжением сток-исток 40 В (см. рисунок 1), обладающий рекордно низким сопротивлением Rds(on) 1,7 мОм (это максимальное значение, типовое значение обычно еще меньше). Однако за это приходится расплачиваться увеличением заряда затвора, что влечет за собой выбор драйверов MOSFET с большими выходными токами, короткими фронтами и малыми задержками, хотя выбор таких драйверов достаточно велик и обычно не вызывает никаких затруднений. Все новые транзисторы обладают очень низкими значениями теплового сопротивления переход-корпус, что позволяет более эффективно отводить тепло от кристалла. Нужно отметить, что пять новых транзисторов заменяют большое количество транзисторов предыдущего поколения International Rectifier (см. таблицу 1) и некоторые MOSFET известных фирм Fairchild, ST, IXYS (см. таблицы 2 и 3).
Таблица 2. Сравнение параметров новых транзисторов IR серии IRFP4xxx с аналогичными от других производителей
| Произво- дитель | Наименова- ние | Vси, макс., В | Rds(on) макс., мОм, Vзи= 10 В | Iстока, A, t°= 25°C | Qg.*, тип., нКл | Qgd**, тип., нКл | Rth(JC) *** К/Вт | Мощ- ность, Вт, макс. (при t°= 25°C) | Корпус | (Rds IR)/ (Rds другого произво- дителя) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IR | IRFP4004PBF | 40 | 1,7 | 350**** | 220,0 | 75,0 | 0,40 | 380 | TO-247AC | |
| Fairchild | FDA8440 | 40 | 2,1 | 100 | 345 | 74 | 0,49 | 306 | TO-247AC | 0,81 |
| IR | IRFP4368PBF | 75 | 1,8 | 350**** | 380,0 | 105,0 | 0,29 | 520 | TO-247AC | |
| Fairchild | FD038AN08A1 | 75 | 3,5 | 80 | 125 | 0,33 | 450 | TO-247AC | 0,51 | |
| STM | STW220NF75 | 75 | 4,4 | 120 | 500 | 135 | 0,3 | 460 | TO-247AC | 0,4 |
| IR | IRFP4468PBF | 100 | 2,6 | 290**** | 360,0 | 89,0 | 0,29 | 520 | TO-247AC | |
| Fairchild | HUF75652G3 | 100 | 8 | 75 | 475 | 74 | 0,29 | 515 | TO-247AC | 0,32 |
| IXYS | IXTR200N10P | 100 | 8 | 120 | 235 | 0,5 | 300 | Super247 | 0,32 | |
| IXYS | IXFX250N10P | 100 | 6,5 | 250 | 205 | 0,12 | 1250 | Super247 | 0,31 | |
| IR | IRFP4568PBF | 150 | 5,9 | 171**** | 151,0 | 55,0 | 0,29 | 517 | TO-247AC | |
| Fairchild | HUF7588G3 | 150 | 16 | 75 | 480 | 66 | 0,3 | 500 | TO-247AC | 0,4 |
| IXYS | IXTQ120N15P | 150 | 16 | 120 | 150 | 0,25 | 600 | TO-3P | 0,35 | |
| IXYS | IXTQ150N15P | 150 | 13 | 150 | 190 | 0,21 | 714 | TO-3P | 0,45 | |
| IR | IRFP4668PBF | 200 | 9,7 | 130 | 161,0 | 52,0 | 0,29 | 520 | TO-247AC | |
| Fairchild | FQA65N20 | 200 | 32 | 65 | 200 | 75 | 0,4 | 310 | TO-3P | 0,3 |
| IXYS | IXTH96N20 | 200 | 24 | 96 | 145 | 0,25 | 600 | TO-247AC | 0,4 | |
| IXYS | IXTQ120N20 | 200 | 22 | 120 | 152 | 0,21 | 713 | TO-3P | 0,44 | |
| *, **, ***, **** — расшифровка приведена в таблице 1. | ||||||||||
Таблица 3. Рекомендуемые замены от IR для транзисторов с близкими параметрами других производителей
| Произво- дитель | Наименова- ние | Прямая замена от IR | Замена от IR с улучшением параметров | Возмож- ная замена от IR | Корпус других произво- дителей | Корпус IR | Внешний вид корпусов |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDA8440 | — | IRFP4004PBF | — | TO-3P | TO-247 |  |
| FDH038AN08A1 | — | IRFP4368PBF | — | TO-247 | TO-247 | ||
| HUF75653G3 | — | IRFP4468PBF | — | TO-247 | TO-247 | ||
| HUF75882G3 | — | IRFP4568PBF | — | TO-247 | TO-247 | ||
| FQA65N20 | — | IRFP4668PBF | — | TO-247 | TO-247 | ||
 | STW200NF75 | IRFP4368PBF | — | — | TO-247 | TO-247 |  |
 | IXTR200N10P | — | — | IRFP4468PBF | ISO247 | TO-247 |  |
| IXFX250N10P | — | — | IRFP4468PBF | PLUS247 | TO-247 | ||
| IXTQ120N15P | — | IRFP4568PBF | — | TO-3P | TO-247 | ||
| IXTQ150N15P | — | — | — | TO-3P | TO-247 | ||
| IXTH96N20 | IRFP4668PBF | — | — | TO-247 | TO-247 | ||
| IXTQ120N20 | — | IRFP4668PBF | — | TO-3P | TO-247 |
Сравнение новых Trench HEXFET Power MOSFETs с аналогами других производителей
Среди транзисторов с напряжением сток-исток 40 В прибор IRFP4004PBF не имеет аналогов. По сопротивлению канала с ним может конкурировать только транзистор IR в дорогом 7-выводном корпусе для поверхностного монтажа IRF2804S-7P. Самый близкий прибор от другого производителя — это FDA8440 с сопротивлением канала 2,1 мОм от компании Fairchild (параметры для сравнения приведены в таблице 2). В крайнем правом столбце таблицы 2 для всех транзисторов других производителей указано отношение сопротивлений Rds(on) близкого по параметрам транзистора IR к Rds(on) конкретного транзистора другого производителя. Все эти соотношения меньше 1, что говорит о том, что сопротивление канала транзисторов IR меньше или гораздо меньше аналогичного параметра приборов фирм Fairchild, ST и IXYS.
В диапазоне напряжений сток-исток 55…75 В бесспорным лидером является IRFP4368PBF. Сопротивление канала 1,8 мОм в сочетании с остальными параметрами обеспечивают ему большой отрыв от популярных IRFP044N, IRFP048N и IRFP064N (диапазон 55 В). 75-вольтовый новый транзистор IRFP4368PBF с успехом заменяет 60-вольтовые IRFP064V, IRFP054V, IRFP3206PBF, IRFP3306PBF и очень популярный 75-вольтовый IRFP2907Z. У нового транзистора IRFP4368PBF сопротивление канала снижено в 2,5 раза по сравнению с лучшим прибором IR предыдущего поколения IRFP2907Z. Ближайшие конкуренты для напряжения 75 В от компаний Fairchild — FD038AN08A1 и от компании ST — STW220NF75 имеют сопротивление канала 3,5 и 4,4 мОм соответственно (см. таблицу 2).
В диапазоне 100 В тон задает IRFP4468PBF c сопротивлением канала 2,6 мОм. 100-вольтовый транзистор IR предыдущего поколения IRFP4110PBF имеет Rds(on) 4,5 мОм, а ближайшие по параметрам 100-вольтовые HUF75652G3 (Fairchild) и IXTR200N100P (IXYS) — 8 мОм, а IXFX250N10P (IXYS) — 6,5 мОм. Однако последние два транзистора фирмы IXYS выпускаются в более дорогих корпусах Super247.
Диапазон 150 В. Здесь в большом отрыве IRFP4568PBF с сопротивлением канала 5,9 мОм. Среди догоняющих — 150-вольтовые HUF75882G3 компании Fairchild с Rds(on) 16 мОм, а также IXTQ120N15P и IXTQ150N15P компании IXYS с сопротивлениями канала 16 и 13 мОм соответственно. Справедливости ради нужно отметить, что транзисторы IXYS производятся в более дорогих корпусах ТО-3Р.
Наконец, мы подошли к диапазону 200 В. Здесь самый сильный игрок — новый транзистор IRFP4668PBF с сопротивлением канала 9,7 мОм, что для 200-вольтовых приборов является эталонным показателем при таком напряжении. Ближайшие транзисторы этого класса FQA65N20 (Fairchild) имеют Rds(on) 32 мОм, а IXTH96N20 и IXTQ120N20 компании IXYS — 24 и 22 мОм соответственно. Однако кристаллы FQA65N20 и IXTQ120N20 упакованы в более дорогие корпуса ТО-3Р, что дает дополнительное преимущество транзистору IRFP4668PBF. 200-вольтовые транзисторы предназначены для работы в телекоммуникационных источниках питания с шиной с постоянным напряжением до 80 В.
В таблице 3 приведены рекомендуемые замены от International Rectifier для МОП-транзисторов компаний Fairchild, ST, IXYS.
В некоторых случаях один новый МОП-транзистор IR может заменить до трех параллельно включенных транзисторов IR предыдущих поколений в диапазоне 100…200 В. Кроме того, при параллельном соединении транзисторов добавляются сопротивления соединительных проводников, которые при токах десятки и сотни Ампер могут существенно ухудшать статические и динамические параметры эквивалентного транзистора. Цена одного нового транзистора меньше стоимости трех параллельно включенных приборов предшествующих поколений. При этом можно уменьшить размер радиатора и снизить температуру в блоке. Следует учесть, что при снижении температуры в блоке на 10 процентов срок службы электролитических конденсаторов удваивается. Как известно, именно электролитические конденсаторы в большинстве случаев определяют время безотказной работы силового преобразователя.
Графические зависимости основных параметров 40-вольтового IRFP4004PBF
На рисунке 2 приведены зависимости сопротивления канала в открытом состоянии (максимальное значение при Uзи = 10 В) от температуры перехода и полного заряда затвора Qg от напряжения Uзи для транзистора IRFP4004PBF.
Рис. 2. Зависимости Rds(on) от температуры перехода, заряда затвора от напряжения затвор-исток для транзистора IRFP4004PBF
Новейшая технология Trench HEXFET обеспечивает низкий рост сопротивления открытого канала от температуры перехода. Новые транзисторы серии IRFPxxx обеспечивают высокие динамические характеристики при низкой мощности управления, устойчивость к лавинному пробою и надежную работу в режимах жесткого переключения в широком диапазоне частот.
На рисунке 3 приведены выходные характеристики IRFP4004PBF (графики снимались при длительности импульсов менее 60 мкс и температурах перехода 25°С и 175°С).
Рис. 3. Выходные характеристики IRFP4004PBF при длительности импульса менее 60 мкс
Нижние кривые иллюстрируют работу транзистора при управляющем напряжении 4,5 В, что близко к логическим уровням цифровых микросхем с питанием от 5 В.
На рисунке 4 иллюстрируется зависимость максимально допустимых токов транзистора IRFP4004PBF от температуры корпуса, ограниченных кристаллом и выводами корпуса транзистора.
Рис. 4. Максимальные токи IRFP4004PBF, ограниченные кристаллом и выводами
корпуса TO-247AC
К сожалению, полностью реализовать потенциал кристалла транзистора IRFP4004PBF в корпусе ТО-247АС невозможно (для этого нужен более мощный корпус), однако и корпус ТО-247АС ограничивает ток для IRFP4004PBF на уровне 195 А (режимы измерения см. в документации производителя), что является очень высоким показателем для приборов такого класса.
Главные преимущества новых МОП-транзисторов IR — ультранизкое сопротивление открытого канала и недорогой стандартный корпус ТО-247АС. При модернизации серийно выпускаемых преобразователей энергии в большинстве случаев достаточно без изменения схемы и печатной платы заменить используемые ранее транзисторы на новые из серии IRFP4xxx. При замене нескольких параллельно включенных транзисторов на один новый получается ощутимый выигрыш в цене и надежности за счет снижения выделяемого тепла и увеличения срока службы электролитических конденсаторов. Всего пять новых транзисторов могут заменить большое количество транзисторов IR предыдущих поколений и довольно большое количество аналогичных приборов других производителей (см. таблицы 1, 2 и 3 данной статьи). В статье рассмотрены транзисторы только наиболее популярных мировых производителей MOSFET, хорошо известных нашим разработчикам, но, конечно, читатель может попробовать заменить и транзисторы от производителей, не рассмотренных выше.
Ответственный за направление в КОМПЭЛе — Людмила Горева