транзистор к3567 параметры цоколевка

11.07.202211.07.2022 admin 0 Comments

Транзистор к3567 параметры цоколевка

Наименование прибора: 2SK3567

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 16 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Выходная емкость (Cd): 60 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm

2SK3567 Datasheet (PDF)

0.1. 2sk3567.pdf Size:223K _toshiba

2SK3567 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI) 2SK3567 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.5S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.0

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolute Maximum

8.1. 2sk356.pdf Size:137K _toshiba

8.2. 2sk3566.pdf Size:214K _toshiba

2SK3566 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIV) 2SK3566 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 5.6 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 720 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absol

8.3. 2sk3562.pdf Size:232K _toshiba

2SK3562 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI) 2SK3562 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.9 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.0

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Maximum Ratings (

8.4. 2sk3563.pdf Size:348K _toshiba

TENTATIVE 2SK3563 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) 2SK3563 unit Switching Regulator Applications 100.3 2.70.23.20.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.35 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 3.5S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2

8.5. 2sk3561.pdf Size:227K _toshiba

2SK3561 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI) 2SK3561 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.0

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Maximum Ratings

8.6. 2sk3568.pdf Size:245K _toshiba

2SK3568 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI) 2SK3568 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.4 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.0

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolute Maximum

8.7. 2sk3565.pdf Size:341K _toshiba

TENTATIVE 2SK3565 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) 2SK3565 unit Switching Regulator Applications 100.3 2.70.23.20.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 2.0 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 720 V) Enhancement-mode: Vth = 2

8.8. 2sk3569.pdf Size:236K _toshiba

2SK3569 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI) 2SK3569 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.54 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.0

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolute Maximum

8.9. 2sk3564.pdf Size:248K _toshiba

2SK3564 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIV) 2SK3564 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 3.7 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.6 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 720 V) Enhancement mode: Vth = 2.0

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolute Maximum

8.10. 2sk3560.pdf Size:76K _panasonic

Power MOSFETs2SK3560Silicon N-channel power MOSFETUnit: mm4.60.210.50.31.40.1For PDP/For high-speed switching Features Low on-resistance, low Qg1.40.1 High avalanche resistance2.50.20.80.12.540.30 to 0.3 Absolute Maximum Ratings TC = 25C(10.2)Parameter Symbol Rating Unit(8.9)Drain-source surrender voltage VDSS 230 V1 2 3Gat

8.11. 2sk3566.pdf Size:225K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3566I2SK3566FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 6.4.Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

8.12. 2sk3568.pdf Size:253K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3568FEATURES Drain-source on-resistance:RDS(on) 0.52@10VLow leakage current:IDSS

8.13. 2sk3565.pdf Size:237K _inchange_semiconductor

iscN-Channel MOSFET Transistor 2SK3565I2SK3565FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =2.0 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

8.14. 2sk3569.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3569DESCRIPTIONDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching RegulatorsDC-DC Converter,Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV D

8.15. 2sk3564.pdf Size:236K _inchange_semiconductor

iscN-Channel MOSFET Transistor 2SK3564I2SK3564FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 3.7 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

Источник

2SK3567, Полевой транзистор, N-канальный, 600В 3.5А 35Вт (Recommended replacement: TK4A60DA)

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Технические параметры

Описание 2SK3567

Полевой транзистор, N-канальный, 600В 3.5А 35Вт (Recommended replacement: TK4A60DA)

Характеристики

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	3700
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	40
Крутизна характеристики, S	2.6
Корпус	to220fp
Пороговое напряжение на затворе	4

Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.

Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)

Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.

Источник

Зарядное устройство для аккумуляторов HITACHI UC18YG

Нужна электрическая схема HITACHI UC18YG,это от шурика DS12DVF3. Дело в том что сгорел транзистор который стоит на радиаторе за трансформатором и два сопротивления справа и слева от него. Помогите найти схему или скажите номинал оных,всех трёх! Дело в том что на ножки транзистора попала пайка откуда то и замкнуло. Все пронумерованные детали на рисунке сгорели,хотелось бы перепаять их,а какие хз. И если можно подскажите можно ли их чем нибудь нашим заменить? А то там написано маде ин джапан.

Доброго дня.
Облазил весь инет, но схемы тоже не нашел. Ищу сейчас хотя бы быушное (или неисправное) зарядное uc18yg, что бы из двух одно собрать. Народ, если кто может помочь.
Заранее больше спасибо.

Похоже там импульсное зарядное устройство. Если не найдёте аналогичное, скачивайте pdf на силовые транзисторы (или ИС, часто и они там стоят с 4-5-ю ножками) и по нему восстанавливайте. Я так часто делаю, пока получалось . Отечественным не замените, да и вообще ремонт импульсных БП вещь специфическая, там прямая связь с сетью (!!) и без опыта и осциллографа с развязывающим трансформатором лучше не лезть.

2sorub А поиск не пробовали? Помогает.
Спасибо тому форумчанину, который это дело рисовал.
Ищите, была тема

П.С. Высоковольтная часть стандартный обратноходовый источник, на UC3842(10руб)
соответсвенно номиналы и пр из даташита(на нее или аналог
)» > ). Полевик(это силовой ключевой транзистор) тоже любой подходящий для этого применения. (20руб).

Источник

Транзистор к3567 параметры цоколевка

Наименование прибора: 2SK3564

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 17 nC

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 75 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.3 Ohm

2SK3564 Datasheet (PDF)

0.1. 2sk3564.pdf Size:248K _toshiba

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolute Maximum

0.2. 2sk3564.pdf Size:236K _inchange_semiconductor

8.1. 2sk356.pdf Size:137K _toshiba

8.2. 2sk3566.pdf Size:214K _toshiba

8.3. 2sk3562.pdf Size:232K _toshiba

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Maximum Ratings (

8.4. 2sk3563.pdf Size:348K _toshiba

8.5. 2sk3561.pdf Size:227K _toshiba

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Maximum Ratings

8.6. 2sk3568.pdf Size:245K _toshiba

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolute Maximum

8.7. 2sk3567.pdf Size:223K _toshiba

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolute Maximum

8.8. 2sk3565.pdf Size:341K _toshiba

8.9. 2sk3569.pdf Size:236K _toshiba

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolute Maximum

8.10. 2sk3560.pdf Size:76K _panasonic

8.11. 2sk3566.pdf Size:225K _inchange_semiconductor

8.12. 2sk3568.pdf Size:253K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3568FEATURES Drain-source on-resistance:RDS(on) 0.52@10VLow leakage current:IDSS

8.13. 2sk3565.pdf Size:237K _inchange_semiconductor

8.14. 2sk3569.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

Источник

Транзистор к3567 параметры цоколевка

Наименование прибора: 2SK3566

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 12 nC

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 50 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6.4 Ohm

2SK3566 Datasheet (PDF)

0.1. 2sk3566.pdf Size:214K _toshiba

0.2. 2sk3566.pdf Size:225K _inchange_semiconductor

8.1. 2sk356.pdf Size:137K _toshiba

8.2. 2sk3562.pdf Size:232K _toshiba

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Maximum Ratings (

8.3. 2sk3563.pdf Size:348K _toshiba

8.4. 2sk3561.pdf Size:227K _toshiba

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Maximum Ratings

8.5. 2sk3568.pdf Size:245K _toshiba

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolute Maximum

8.6. 2sk3567.pdf Size:223K _toshiba

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolute Maximum

8.7. 2sk3565.pdf Size:341K _toshiba

8.8. 2sk3569.pdf Size:236K _toshiba

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolute Maximum

8.9. 2sk3564.pdf Size:248K _toshiba

4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolute Maximum

8.10. 2sk3560.pdf Size:76K _panasonic

8.11. 2sk3568.pdf Size:253K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3568FEATURES Drain-source on-resistance:RDS(on) 0.52@10VLow leakage current:IDSS

8.12. 2sk3565.pdf Size:237K _inchange_semiconductor

8.13. 2sk3569.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

8.14. 2sk3564.pdf Size:236K _inchange_semiconductor

Источник

Что и как устроено в мире?

транзистор к3567 параметры цоколевка

Транзистор к3567 параметры цоколевка

2SK3567 Datasheet (PDF)