Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний. 1968 г.
—>
Лот размещен:
23/08/2021 06:10:21
Предложение действительно до:
22/10/2021 06:10:21
Лот находится в городе:
Брянск (Россия)
Доставка:
по городу:
Самовывоз.
по стране и миру:
Стоимость доставки по стране 150.00 р.
Покупая несколько лотов продавца, Вы экономите на доставке. Лоты доставляются одним отправлением.
Отправлю почтой РФ
Оплата: Наличные, Банковский перевод, ЮMoney.
Состояние товара:
Б/у.
4
1
№115990937
Подробное описание
ред. Бергельсон, И.Г. и др. Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний Издательство: М., Советское радио Переплет: твердый; 504 страниц; 1968 г. ISBN: [не указан]; Формат: стандартный Язык: русский
Внимание покупателям! Состояние лота смотрите на фотографиях. Отвечу на ваши вопросы.
В связи с тем, что Почта РФ постоянно увеличивает тарифы, а так же с разными тарифами Почты РФ по магистральным поясам, и учитывая, что большенство лотов выставлено с 1 01 2019 года, стоимость доставки по стране указана приблизительно и подлежит уточнению.
Оплата на карту СБ, банковский перевод. Выход на связь в течении 3-х дней, в случае отказа будет выставлен отрицательный отзыв, чтобы вернуть комиссию за несостоявшуюся сделку. Отправка после 100% предоплаты. Почтовые расходы в Калининградскую обл. + 30%.
Перед покупкой просьба задать вопрос Продавцу лота о наличии лота, так как лот одновременно выставлен на продажу также и на других торговых площадках в интернете и может быть продан на другой площадке на момент заказа лота Покупателем
С отправкой не затягиваю. Идентификатор отправления обязательно сообщаю покупателю.
Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний. 1968 г.
—>
Лот размещен:
23/08/2021 06:10:21
Предложение действительно до:
22/10/2021 06:10:21
Лот находится в городе:
Брянск (Россия)
Доставка:
по городу:
Самовывоз.
по стране и миру:
Стоимость доставки по стране 150.00 р.
Покупая несколько лотов продавца, Вы экономите на доставке. Лоты доставляются одним отправлением.
Отправлю почтой РФ
Оплата: Наличные, Банковский перевод, ЮMoney.
Состояние товара:
Б/у.
3
1
№115990937
Подробное описание
ред. Бергельсон, И.Г. и др. Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний Издательство: М., Советское радио Переплет: твердый; 504 страниц; 1968 г. ISBN: [не указан]; Формат: стандартный Язык: русский
Внимание покупателям! Состояние лота смотрите на фотографиях. Отвечу на ваши вопросы.
В связи с тем, что Почта РФ постоянно увеличивает тарифы, а так же с разными тарифами Почты РФ по магистральным поясам, и учитывая, что большенство лотов выставлено с 1 01 2019 года, стоимость доставки по стране указана приблизительно и подлежит уточнению.
Оплата на карту СБ, банковский перевод. Выход на связь в течении 3-х дней, в случае отказа будет выставлен отрицательный отзыв, чтобы вернуть комиссию за несостоявшуюся сделку. Отправка после 100% предоплаты. Почтовые расходы в Калининградскую обл. + 30%.
Перед покупкой просьба задать вопрос Продавцу лота о наличии лота, так как лот одновременно выставлен на продажу также и на других торговых площадках в интернете и может быть продан на другой площадке на момент заказа лота Покупателем
С отправкой не затягиваю. Идентификатор отправления обязательно сообщаю покупателю.
Книга: «Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний»
В книге излагаются краткие сведения о физических основах работы полупроводниковых приборов, рассматриваются электрические характеристики и параметры транзисторов, включая высокочастотные и импульсные параметры, а также методы их измерения. Специальная глава посвящена анализу погрешностей методов измерения и их расчету. Даются понятия предельных режимов работы транзисторов и рекомендации по выбору режимов работы приборов в схемах. Приводятся методы расчета теплоотводов. Обращается внимание на необходимость сохранения «запаса прочности», имеющегося в транзисторах Ряд разделов посвящен изложению вопросов, охватывающих не только транзисторы, но и другие классы полупроводниковых приборов: технические условия на полупроводниковые приборы, методы механических и климатических испытаний, надежности полупроводниковых приборов, методы ее количественной оценки. Приводятся сведения о видах отказов полупроводниковых приборов и зависимости их надежности от режимов иусловий.
Издательство: «Советское радио» (1968)
Формат: 84×108/32, 504 стр.
См. также в других словарях:
коэффициент полезного действия — 3.1 коэффициент полезного действия : Величина, характеризующая совершенство процессов превращения, преобразования или передачи энергии, являющаяся отношением полезной энергии к подведенной. [ГОСТ Р 51387, приложение А] Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
входное — входное: Давление газа на входе в устройство контроля пламени; Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Электронный усилитель — Электронный усилитель усилитель электрических сигналов, в усилительных элементах которого используется явление электрической проводимости в газах, вакууме и полупроводниках. Электронный усилитель может представлять собой как самостоятельное … Википедия
Усилитель (электроника) — Электронный усилитель усилитель электрических сигналов, в усилительных элементах которого используется явление электрической проводимости в газах, вакууме и полупроводниках. Электронный усилитель может представлять собой как самостоятельное… … Википедия
29.200 — Випрямлячі. Перетворювачі. Стабілізовані джерела електроживлення ГОСТ 4.139 85 СПКП. Преобразователи электроэнергии полупроводниковые. Номенклатура показателей ГОСТ 4.375 85 СПКП. Преобразователи, усилители, стабилизаторы и трансформаторы… … Покажчик національних стандартів
время — 3.3.4 время tE (time tE): время нагрева начальным пусковым переменным током IА обмотки ротора или статора от температуры, достигаемой в номинальном режиме работы, до допустимой температуры при максимальной температуре окружающей среды. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Средняя — периодическое увлажнение пола, при котором поверхность покрытия пола влажная или мокрая; покрытие пола пропитывается жидкостями. Источник: МДС 31 12.2007: Полы жилых, общественных и производственных зданий с применением м … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
1: — Терминология 1: : dw Номер дня недели. «1» соответствует понедельнику Определения термина из разных документов: dw DUT Разность между московским и всемирным координированным временем, выраженная целым количеством часов Определения термина из… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
максимальная — максимальная: Максимально возможная длина ЗО, в пределах которой выполняются требования настоящего стандарта и технических условий (ТУ) на извещатели конкретных типов, Источник: ГОСТ Р 52651 2006: И … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
напряжение — 3.10 напряжение: Отношение растягивающего усилия к площади поперечного сечения звена при его номинальных размерах. Источник: ГОСТ 30188 97: Цепи грузоподъемные калиброванные высокопрочные. Технические условия … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний
Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний / под ред. И. Г. Бергельсона, Ю. А. Каменецкого, И. Ф. Николаевского М. Сов. радио 1968г. 503 с., ил. твердый переплет, обычный формат. В книге излагаются краткие сведения о физических основал работы полупроводниковых приборов, рассматриваются электрические характеристики и параметры транзисторов, включая высокочастотные и импульсные параметры, а также методы их измерения. Специальная глава посвящена анализу погрешностей методов измерения и их расчету Даются понятия предельных режимов работы транзисторов и рекомендации по выбору режимов работы приборов в схемах. Приводятся методы расчета теплоотводов. Обращается внимание на необходимость сохранения «запаса прочности», имеющегося в транзисторах Ряд разделов посвящен изложению вопросов, охватывающих не только транзисторы, но и другие классы полупроводниковых приборов: технические условия на полупроводниковые приборы, методы механических и климатических испытаний, надежности полупроводниковых приборов, методы се количественной опенки Приводятся сведения о видах отказов полупроводниковых приборов и зависимости их надежности от режимов и условий работы. Книга предназначена для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и эксплуатацией аппаратуры на полупроводниковых приборах. Она будет полезна учащимся вузов, специализирующимся в области радиотехники и полупроводниковой электроники
добавил(a): dbk2003 (Дмитрий)
100 RUB руб
продам
10 августа 2021
состояние
год выпуска
1968
город
Санкт-Петербург
жанры
электроника Физика
комментарий владельца: Состояние очень хорошее
Передача при личной встрече у метро. Отправка по почте после предоплаты. Наложеным платежом не отправляю. Книги в мягком переплете отправляю по договоренности с покупателем либо простой, либо заказой бандеролью. Брошюры можно отправить письмом. Средняя стоимость отправки книги простой бандероли по РФ 100-150 рублей (в зависимости от веса книги), заказной + 50 рублей к стоимости простой. При отправке заказных отправлений получателю высылается трэк-номер для отслеживания. Простые отправления не предусматривают трэк-номер, но для них есть возможность отправки «до востребования» (на случай если вы не доверяете соседям или почтальону и боитесь что отправление пропадет на пути к вашему почтовому ящику или уже из ящика). Книги в твердых переплетах целесообразно отправлять только заказными отправлениями или отправлениями «до востребования»
Измерение основных параметров радиоэлементов и проверка их работоспособности
Для изготовления аппаратуры высокого качеств, измерительных и высокоточных схем, часто требуется подобрать радиоэлементы с одинаковыми или возможно более близкими параметрами. Ниже приведены простые схемы измерения основных параметров часто используемых элементов радиосхем, с помощью которых можно измерить: — вольт-амперные характеристики диодов, в том числе фото-, свето-, туннельных- и обращенных диодов ( в интервале напряжений 0… 4,5 В и токов 1мкА … 0,5 А ); — обратный и прямой токи коллектора и ток базы биполярных транзисторов; — ток стока, начальный ток стока, напряжение «затвор-исток» и напряжение отсечки полевых транзисторов; — ток через тиристор в открытом и закрытом состоянии, ток через управляющий переход и напряжение на нем, открывающее тиристор при напряжении на аноде 4,5В; — межбазовый ток и напряжение на эмиттере однопереходных транзисторов.
В качестве измерительных приборов используются стрелочные или цифровые измерительные приборы (микроамперметр и вольтметр), можно использовать обычный тестер. Элемент питания – батарея напряжением 4,5 В или стабилизированный блок питания с таким напряжением.
На рис.1 показан способ измерения обратного тока коллекторного перехода (Iкбо) транзистора структуры n-p-n. Для транзисторов обратной структуры следует изменить полярность питания и включения микроамперметра. Резистор R1 нужен для ограничения тока при пробитом переходе, чтобы защитить измерительный прибор от больших токов. Эта схема позволяет также проверить обратный ток диода, световые характеристики фотодиода, обратный ток p-n –перехода полевого транзистора и измерить ток утечки конденсатора:
Рис 1. Измерение Iкбо
На рис.2 показана схема измерения тока базы, прямого тока через p-n- переход и напряжения на нем у диодов и тиристоров. Резистором R3 задается требуемый ток базы (грубо) и с помощью R4 – точно. Если в вашем распоряжении есть только один измерительный прибор (тестер), то после установления необходимого тока базы вместо микроамперметра включается его эквивалент (резистор R1, показан пунктиром), а тестер включается в качестве второго прибора – вольтметра. Резистор R2, также как в первой схеме, ограничивает ток через прибор при пробитом переходе измеряемого элемента.
Рис 2. Измерение Iб
На рис.3 дана схема измерения коллекторного тока транзистора. Если необходимо при этом измерить напряжение между коллектором и эмиттером транзистора или анодом и катодом тиристора, то вместо микроамперметра включают эквивалентное сопротивление R2, а измерительный прибор включат согласно схеме как вольтметр.
Рис 3. Измерение Iк
На рис.4 показаны способы измерения характеристик полевых транзисторов. В нижнем по схеме положении движка резистора R1 можно измерить начальный ток стока полевого транзистора или межбазовый ток однопереходного транзистора в закрытом состоянии. Межбазовое сопротивление при необходимости можно вычислить, разделив значение напряжения батареи (4,5 В в данном случае) на измеренное значение межбазового тока. В некотором положении движка R1 ток стока полевого транзистора станет равным нулю (мерить нужно на самом нижнем пределе измерения применяемого тестера или вольтметра!). При этом вольтметр «2» покажет напряжение отсечки транзистора.
Рис 4. Полевые и однопереходные транзисторы
Простой способ проверки работоспособности тиристора
С помощью простой схемы можно проверить работоспособность тиристора на переменном и постоянном токе.
Рис 5. Схема проверки тиристоров
S1 – кнопка на замыкание без фиксации. В качестве диода VD1 можно применить любой выпрямительный диод средней мощности (Д226, КД105, КД202, КД205 и др.). Лампа – от фонарика или любая малогабаритная на напряжение 6 – 9 В. Вместо лампы можно, конечно, включить тестер (в режиме измерения тока до 1 А).
Трансформатор маломощный с напряжением на вторичной обмотке от 5 до 9 В. Проверка переменным током: S2 установить в положение «1». При каждом нажатии S1 лампа должна загораться, при отпускании гаснуть; Проверка постоянным током: S2 установить в положение «3». При нажатии S1 лампа загорается и горит при отпускании кнопки. Чтобы ее выключить, то есть «закрыть» тиристор, нужно снять напряжение питания, переключив S2 в положение «2».
Если тиристор неисправен, то лампа будет гореть постоянно либо не будет загораться вообще.