транзистор e13009 2 параметры

Характеристики транзистора MJE13009

Отечественный аналог MJE13009

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Корпусное исполнение, цоколевка MJE13009

Характеристики транзистора MJE13009

Предельные параметры MJE13009

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (V_CBO):

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (V_CEO):

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (V_EBO):

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_C):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_CM):

Импульсный ток эмиттера (I_EM):

Импульсный ток базы (I_BM):

Общая рассеиваемая мощность (P_D):

Максимально допустимая температура перехода (T_j):

Температура хранения (T_stg):

Электрические характеристики транзисторов MJE13009 (Т_j=25 o С если не указано иное)

Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (V_CEO(sus))

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (V_CE(sat))

Напряжение насыщения база-эмиттеp (V_BE(sat))

Обратный ток эмиттера (I_EBO) (I_C = 0)

Коэффициент усиления транзистора по току(h_FE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (V_CE) 5 V:

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_T)

Источник

Характеристики транзистора MJE13009

Как пишут производители в технических характеристиках на биполярный транзистор MJE13009, но разрабатывался для установки в высоковольтных, высокоскоростных индуктивных схемах в качестве переключателя нагрузки. Они подходят для импульсных инверторов и устройств управления электрическими двигателями.

Цоколевка

Наибольшее распространение получил транзистор MJE13009 в корпусе ТО-220, но иногда используется упаковка ТО-3PN. В обеих случаях выводы расположены в следующем порядке: база, коллектор, эмиттер. Иногда при нанесении маркировки первые три буквы упускают и нанося только цифры 13009, цоколевка и внешний вид представлен на следующем рисунке.

Технические характеристики

Рассмотрение характеристик транзистора начнём с предельно допустимых параметров. Они показывают максимальные возможности MJE13009. Их измерение производилось при стандартной температуре – +25°С.

После максимальных, перейдём к рассмотрению электрических характеристик. От них также зависят возможности транзистора, снимаются они при температуре +25°C. Остальные параметры можно посмотреть в колонке «Режимы измерения».

Аналоги

Полных аналогов для транзистора 13009 нет. Но при необходимости можно заменить на следующие устройства:

Существуют также отечественные приборы с похожими параметрам:

Перед тем, как выбрать замену, нужно посмотреть технические характеристики.

Производители

Перечислим крупнейшие фирмы, занимающиеся выпуском MJE13009 и приведём их datasheet:

В России можно купить транзисторы, изготовленные следующими компаниями:

Источник

Транзистор 13009 (MJE13009)

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления моторами и работы релейных модулей.

Распиновка

Распространены в пластмассовом корпусе для силовых транзисторов ТО-220 и различных его модификациях (ТО-220AB, TO-220-3), или более мощных TO-3PN, ТО-225, ТО-247. Считается, что современный TO-3PN лучше отводит тепло при нагреве устройства и действительно в большинстве случаев именно он встречаются в мощных блоках питания (1 КВт и больше). Цоколевка 13009 у большинства производителей одинаковая, если смотреть на транзистор спереди, то его выводы слева на право такие:

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером U_{КЭ нас.} (V_{BE sat}):

напряжение насыщения между базой и эммитером U_{БЭ нас.} (V_{BE sat}):

Символ R_θ используется в технической литературе для обозначения теплового сопротивления радоэлементов.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009 находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

Комплементарная пара

Комплементарная пара отсутствует.

Маркировка

Замена и эквиваленты

Для 13009 можно подобрать замену из зарубежных транзисторов похожих по своим характеристикам: D209L, 2SC2335, BUT12A, BUJ106A или отечественного КТ8138И, КТ8209А, КТ8260А. Они немного отличаются характеристиками от рассматриваемого в статье устройства, поэтому перед заменой стоит ознакомится с их техническим описанием и выбрать наиболее подходящий для замены. Полными аналогами 13009, но с немного заниженными характеристиками являются mje13005, mje13007, mje13008. Они чаще всего встречаются в корпусе ТО-220.

Особенности

13009, по своим характеристикам, является силовым транзистором, который сильно греется при работе. Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором. Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором.

Безопасность при эксплуатации

Максимальное рабочее напряжение, которое может выдержать транзистор (U_КЭ) должно быть не более 400 В, при I_К = 10 мA. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер (U_КЭВ) при запирающем напряжении в цепи база-эммитер (U_БЭ) не должно быть больше 700 В.

Производители

Выберите производителя, чтобы ознакомится с его DataSheet на 13009:

Источник

Транзистор e13009 2 параметры

Наименование производителя: 13009

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

13009 Datasheet (PDF)

0.2. mje13009.pdf Size:451K _motorola

Order this documentMOTOROLAby MJE13009/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJE13009**Motorola Preferred DeviceDesigner’s Data Sheet12 AMPERESWITCHMODE SeriesNPN SILICONPOWER TRANSISTOR

0.3. phe13009.pdf Size:47K _philips

Philips Semiconductors Preliminary specification Silicon Diffused Power Transistor PHE13009 GENERAL DESCRIPTIONThe PHE13009 is a silicon npn power switching transistor in the TO220AB envelope intended for use in highfrequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems,etc.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITI

STH13009High voltage fast-switching NPN power transistorPreliminary data.Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speedApplications3 Switching mode power supplies21TO-220DescriptionThe device is manufactured using high voltage Figure 1. Internal schematic diagramMulti Epitaxial Planar technology for high

STWH13009High voltage fast-switching NPN power transistor.Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speedApplications3 Switching mode power supplies21TO-247DescriptionThe device is manufactured using high voltage Figure 1. Internal schematic diagramMulti Epitaxial Planar technology for high switching speed

ST13009High voltage fast-switchingNPN power transistorFeatures Low spread of dynamic parameters High voltage capability Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed3Applications21 Switch mode power suppliesTO-220DescriptionThe device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high Figure

MJE13009SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPEDESCRIPTIONThe MJE13009 is a multiepitaxial mesa NPNtransistor. It is mounted in Jedec TO-220 plasticpackage, intended for use in motor controls,switching regulators, deflection circuits, etc.321TO-220INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCEO Collector-Em

STW13009High voltage fast-switchingNPN power transistorFeatures Low spread of dynamic parameters High voltage capability Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed3Application21 Switch mode power suppliesTO-247DescriptionThe device is manufactured using high voltagemulti-epitaxial planar technology for highFigure 1

0.9. fjp13009.pdf Size:181K _fairchild_semi

March 2007FJP13009High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power SupplyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter

0.10. fja13009.pdf Size:194K _fairchild_semi

October 2008FJA13009High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor Control High Voltage Switch Mode ApplicationsTO-3P11.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings* Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V V Collector-Emitter Voltage 400 VCEO VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collec

0.11. fjpf13009.pdf Size:134K _fairchild_semi

December 2007FJPF13009NPN Silicon TransistorHigh Voltage Switch Mode Application High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Motor Control and Switching Mode Power Supply TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collec

0.14. kse13009f.pdf Size:25K _samsung

KSE13009F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 12 A Collector Current (Pulse) IC 24

0.15. mje13009-d.pdf Size:189K _onsemi

MJE13009GSWITCHMODEt SeriesNPN Silicon PowerTransistorsThe MJE13009G is designed for high-voltage, high-speed powerswitching inductive circuits where fall time is critical. They are http://onsemi.comparticularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applicationssuch as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,12 AMPERESolenoid/Relay drivers and Deflection circuits.NPN S

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13009-P NPN SILICON TRANSISTOR SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The MJE13009-P is designed for high-voltage, high-speedpower switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,Sole

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13009-K NPN SILICON TRANSISTOR SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The MJE13009-K is designed for high-voltage, high-speedpower switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,Sole

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13009 NPN SILICON TRANSISTOR SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The MJE13009 is designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13009 NPN SILICON TRANSISTOR SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The MJE13009 is designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13009D NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MJE13009D is a high voltage fast-switching NPN power transistor. It is characterized by high breakdown voltage,high current capability, high switching speed and high reliability. The UTC MJE13009D is intended to be used in a energy-saving lig

0.21. ts13009.pdf Size:272K _taiwansemi

TS13009 High Voltage NPN Transistor TO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 12A VCE(SAT) 1.5V @ IC / IB = 12A / 3A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing TS1

0.22. ts13009 a07.pdf Size:274K _taiwansemi

TS13009 High Voltage NPN Transistor TO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 12A VCE(SAT) 1.5V @ IC / IB = 12A / 3A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing TS1

SEMICONDUCTOR MJE13009FTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORSWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION.HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION.FEATURESExcellent Switching Times: ton=1.1 S(Max.), tf=0.7 S(Max.), at IC=8AHigh Collector Voltage : VCBO=700V.MAXIMUM RATING (Ta=25 )CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBOCollector-Base Voltage 700 V

SEMICONDUCTOR MJE13009TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORSWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION.HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION.FEATURESExcellent Switching Times: ton=1.1 S(Max.), tf=0.7 S(Max.), at IC=8AHigh Collector Voltage : VCBO=700V.MAXIMUM RATING (Ta=25 )CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBOCollector-Base Voltage 700 V

Spec. No. : HE200206HI-SINCERITYIssued Date : 2002.02.01Revised Date : 2006.07.04MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6HMJE13009A12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORDescriptionThe HMJE13009A is designed for high-voltage, high-speed power switchinginductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and220V switch-controls, Solenoid/Relay dri

0.27. mje13009a.pdf Size:252K _sisemi

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009ANPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009ANPN MJE

0.28. mje13009a 1.pdf Size:207K _sisemi

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009ANPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009ANPN MJE

0.29. mje13009.pdf Size:206K _sisemi

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009NPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009NPN MJE

0.30. 3dd13009k.pdf Size:327K _jilin_sino

0.31. mje13009z8.pdf Size:449K _blue-rocket-elect

0.32. br3dd13009x7r.pdf Size:463K _blue-rocket-elect

0.33. mje13009x8.pdf Size:423K _blue-rocket-elect

0.34. mje13009x7.pdf Size:463K _blue-rocket-elect

0.35. mje13009x9.pdf Size:445K _blue-rocket-elect

MJE13009X9(BR3DD13009X9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P NPN Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features High Speed Switching / Applications High frequency electronic lighting ballast applications. / Equivalent Circuit

0.36. br3dd13009x9p.pdf Size:445K _blue-rocket-elect

MJE13009X9(BR3DD13009X9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P NPN Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features High Speed Switching / Applications High frequency electronic lighting ballast applications. / Equivalent Circuit

0.37. mje13009zj.pdf Size:450K _blue-rocket-elect

MJE13009ZJ(BR3DD13009ZJ) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220S NPN Silicon NPN transistor in a TO-220S Plastic Package. / Features High VCEO High IC. / Applications High frequency electronic lighting ballast applications. / Equ

0.38. br3dd13009x8f.pdf Size:423K _blue-rocket-elect

0.39. br3dd13009z8f.pdf Size:449K _blue-rocket-elect

0.40. ksh13009w.pdf Size:141K _shantou-huashan

NPN R 3DD13009 A8 3DD13009 A8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W

NPN R 3DD13009 AN 3DD13009 AN NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 120 W

NPN R 3DD13009 C8 3DD13009 C8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W

NPN R 3DD13009 AN 3DD13009 AN NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 120 W

NPN R 3DD13009 X8D 3DD13009 X8D VCEO 200 V NPN IC 12 A Ptot TC=25 100 W

NPN R 3DD13009 X8D 3DD13009 X8D VCEO 200 V NPN IC 12 A Ptot TC=25 100 W

NPN R 3DD13009 C8 3DD13009 C8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W

NPN R 3DD13009 A8 3DD13009 A8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W

0.49. 13009sdl.pdf Size:121K _jdsemi

R13009SDL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.50. 13009t.pdf Size:112K _jdsemi

R13009T www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Computer Switch Power Supply 222FEA

0.51. p13009.pdf Size:115K _jdsemi

RP13009 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Computer Switch Power Supply 222FEA

0.52. 13009a.pdf Size:113K _jdsemi

R13009A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Computer Switch Power Supply 222FEA

0.53. p13009a.pdf Size:113K _jdsemi

RP13009A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Computer Switch Power Supply 222FE

0.54. 13009.pdf Size:114K _jdsemi

R13009 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Computer Switch Power Supply 222FEAT

0.55. sbp13009s.pdf Size:417K _winsemi

SBP13009-SSBP13009-SSBP13009-SSBP13009-SHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speedSwitching characteristics required such as lightingsystem,switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Para

0.56. sbp13009o.pdf Size:334K _winsemi

SBP13009-OSBP13009-OSBP13009-OSBP13009-OHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOABBBBCCCC

0.57. sbw13009o.pdf Size:404K _winsemi

SBW13009-OSBW13009-OSBW13009-OSBW13009-OHigh voltage Fast Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speedswitching characteristics required such as lightingsystem,switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Para

0.58. sbf13009-o.pdf Size:326K _winsemi

SBF13009-OSBF13009-OSBF13009-OSBF13009-OHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionG

0.59. wbp13009-k.pdf Size:328K _winsemi

WBP13009-KWBP13009-KWBP13009-KWBP13009-KHigh Voltage Fast- Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speedSwitching characteristics required such as lightingsystem,switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Par

0.60. sbw13009k.pdf Size:428K _winsemi

SBW13009-KSBW13009-KSBW13009-KSBW13009-KHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage,High speedswitching characteristics required such as lightingsystem,switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Param

0.61. sbw13009s.pdf Size:428K _winsemi

SBW13009-SSBW13009-SSBW13009-SSBW13009-SHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage,High speedswitching characteristics required such as lightingsystem,switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Param

0.62. sbp13009k.pdf Size:316K _winsemi

SBP13009-KSBP13009-KSBP13009-KSBP13009-KHighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speedSwitching characteristics required such as lightingsystem,switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter

0.63. mje13009z7.pdf Size:233K _foshan

MJE13009Z7(3DD13009Z7) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 12 A C P (Ta=25) 2.0 W CP (Tc=25) 100 W CT 150 j

0.64. mje13009z9.pdf Size:232K _foshan

MJE13009Z9(3DD13009Z9) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 12 A C P (Ta=25) 2.0 W CP (Tc=25) 100 W CT 150 j

0.65. ksh13009l.pdf Size:219K _semihow

KSH13009L SEMIHOW REV.A0,May 2003KSH13009LKSH13009LSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls12 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted100 WattsTO-3PCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Base2. CollectorC

0.66. ksh13009al.pdf Size:459K _semihow

0.67. ksh13009af.pdf Size:191K _semihow

0.68. ksh13009.pdf Size:227K _semihow

KSH13009KSH13009 SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130009KSH13009Switch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls12 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted100 WattsTO-220

0.69. ksh13009f.pdf Size:224K _semihow

KSH13009FKSH13009F SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130009FKSH13009FSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls12 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted100 WattsTO-2

0.70. ksh13009a.pdf Size:203K _semihow

0.71. mje13009-3pn.pdf Size:173K _inchange_semiconductor

0.72. fjp13009.pdf Size:232K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor FJP13009DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 400V(Min.)CEO(SUS)Collector Saturation Voltage: V = 1.5 (Max) @ I = 8.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed, power swit-ching in inductive circuit, they are p

0.73. mjf13009.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13009DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 400V(Min.)CEO(SUS)Collector Saturation Voltage: V = 1.5 (Max) @ I = 8.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed, power swit-ching in inductive circuit, they are p

0.74. 3dd13009n.pdf Size:253K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD13009NDESCRIPTIONHigh breakdown voltageHigh switching speedHigh current capabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEnergy-saving lighHigh frequency switching power supplyHigh frequency power transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI

0.75. 3dd13009k.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD13009KDESCRIPTIONHigh breakdown voltageHigh switching speedHigh current capabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEnergy-saving lighElectronic ballastsHigh frequency switching power supplyHigh frequency power transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

0.76. 3dd13009.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 3DD13009DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 400V(Min.)CEO(SUS)Collector Saturation Voltage: V = 1.5 (Max) @ I = 8.0ACE(sat) CSwitching Time: t = 0.7s(Max.)@ I = 8.0Af C100% testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesig

0.77. mje13009f.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor MJE13009FDESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 400V(Min.)CEO(SUS)Collector Saturation Voltage: V = 1.5 (Max) @ I = 8.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed, power swit-ching in inductive circuit, they are

0.78. mje13009.pdf Size:157K _inchange_semiconductor

0.79. 3dd13009nl.pdf Size:253K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD13009NLDESCRIPTIONHigh breakdown voltageHigh switching speedHigh current capabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEnergy-saving lighHigh frequency switching power supplyHigh frequency power transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

Источник