Транзистор c1507 параметры цоколевка

Наименование производителя: 2SC1507

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

2SC1507 Datasheet (PDF)

0.2. 2sc1507.pdf Size:115K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC1507 DESCRIPTION With TO-220 package High collector-emitter voltage : VCEO=300V High frequency:fT=40MHz(Min) APPLICATIONS For color TV chroma output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PAR

0.3. 2sc1507-to220f.pdf Size:191K _inchange_semiconductor

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1507 DESCRIPTION With TO-220F package High collector-emitter voltage : VCEO=300V High frequency:fT=40MHz(Min) APPLICATIONS For use in line-operated color TV chroma output circuits and sound output circuits. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2mounting base Fig.

0.4. 2sc1507.pdf Size:187K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1507DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max) @I = 50mACE(sat) C100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in line-operated color T

Источник

Электроника и электронный инструмент. Справочник параметров транзисторов.

Высказывания:
У меня давняя дружба со смертью. Не исключено, что когда она придет, я скажу ей: ‘Присядьте, отдохните! Может быть, выпьем шампанского?’ Я ведь в глубине души трус.
Сальвадор Дали

Основные параметры транзистора 2SC1507 биполярного низкочастотного npn.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: NEC
Сфера применения: RF, Medium Power, High Voltage
Популярность: 6111
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2SC1507

Общий вид транзистора 2SC1507.	Цоколевка транзистора 2SC1507.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC1507.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник

Транзистор d2012 (2sd2012)

2SD2012 — биполярный, низкочастотный, силовой транзистор, изготовленный на кремниевой основе со структурой перехода NPN. Конструктивное исполнение — TO-220F.

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзистор 2sd2012 может быть использован в качестве:

Пример использования: усилитель мощности звуковой частоты.

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики

Типовые термические параметры

Электрические характеристики

Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.

Комплементарная пара

Для транзистора d2012 (2sd2012) комплементарной парой выступает PNP транзистор 2SB1375.

Аналоги

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Основные графические зависимости

Рис 1. Область безопасной работы транзистора. В области токов ограничением является максимальное значение тока коллектора, а в области напряжения максимальное напряжение коллектор-эмиттер.

Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE транзистора от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора I_C от напряжения управления (базы) U_BE.

Рис 5. Кривая снижения мощности. Показывает ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса T_C.

Источник

Транзистор 2SC4106 (C4106)

C4106 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, мезапланарный, высоковольтный и высокоскоростной, применяется в переключающих устройствах. Конструктивное исполнение – TO-220 (AB, C).

Предназначение

Транзистор разработан для применения в импульсных переключающих устройствах.

Корпус, цоколевка и монтажные размеры

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики

٭ — снято при длительности импульса ≤ 300 мкс и скважности ≤ 10%.

Электрические характеристики

٭ — весь диапазон изменения значений статического коэффициента усиления разделен на три группы в соответствии с таблицей:

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a=25°C.

Схема измерения временных параметров

Рис. 1. Схема измерения временных параметров транзистора t_on, t_s, t_f.

Единицы измерения: сопротивление резисторов – Ом, емкость конденсаторов – Ф.

Модификации (версии) транзистора

Все версии транзисторов разбиты на группы по величине статического коэффициента усиления тока базы в соответствии с таблицей:

Аналоги

Для замены C4106 могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

Отечественное производство

Зарубежное производство

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных значениях тока базы (указаны на поле рисунка).

Характеристика для схемы с общим эмиттером.

Рис. 3. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока коллектора I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В при нескольких значениях температуры внешней среды.

Характеристика для схемы с общим эмиттером.

Рис. 4. Зависимость статического коэффициента усиления транзистора h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при нескольких значениях температуры внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 5. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.

Рис. 7. Графики изменений временных параметров t_on, t_s, t_f при изменении коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной нагрузки, температуре корпуса T_c = 25°C. Ограничения:

— по току коллектора для постоянного тока — I_C (режим DC OPERATION), для однократного импульса — I_CP разных длительностей: ≤ 50 мкс, 100 мкс, 1 мс,10 мс;

— по напряжению U_CEO = 400 В;

— режим ограничений рассеиваемой мощности по условиям вторичного пробоя: S/B Limited (пояснения на поле рисунка).

Рис. 9. Расширенная область безопасной работы. Транзистор включен при обратном смещении и введены ограничения по напряжению коллектор-эмиттер U_CE(sus) = 500 В.

Рис. 10. Ограничения по величине рассеиваемой мощности, возникающие при увеличении температуры внешней среды T_a.

Нижняя характеристика снята при отсутствии охладителя транзистора (пояснение на поле рисунка — No heat sink).

Источник

Транзистор D5072 (2SD5072)

2SD5072 — кремниевый NPN транзистор, разработанный для систем горизонтальной развертки цветных телевизионных приемников. Конструктивное исполнение TO-3MPL.

Цоколевка и корпус

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики (при Ta=25°C)

Электрические характеристики (при Ta=25°C)

Модификации транзистора D5072

(по материалам компании-производителя ISC Inchange Semiconductor)

В таблице представлены только те параметры, которые изменяются от модели к модели.

Аналоги

Транзисторы кремниевые, NPN, переключательные, высоковольтные. Разработаны для применения в генераторах строчной развертки видеомодулей повышенной информационной емкости и источниках вторичного электропитания. Данные получены из даташитов производителей.

Советское производство

Зарубежное производство

Источник информации — даташит производителей.

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных значениях тока базы I_B.

Рис. 2. Передаточная характеристика: зависимость тока коллектора I_C от управляющего напряжения база-эмиттер U_BE.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления по току от величины тока коллектора I_C.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от тока коллектора I_C.

Рис. 5. Ограничение тепловой нагрузки P_C транзистора при возрастании температуры корпуса T_C.

Источник