транзистор k2605 параметры цоколевка
Транзистор k2605 параметры цоколевка
Наименование прибора: 2SK2608
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.3 Ohm
2SK2608 Datasheet (PDF)
0.1. 2sk2608.pdf Size:413K _toshiba
2SK2608 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2608 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 3.73 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | 2.6 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0
4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) DS D
0.2. 2sk2608.pdf Size:260K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2608FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.78(TYP)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION Efficient and reliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
8.1. 2sk2604.pdf Size:404K _toshiba
2SK2604 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2604 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.9 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 3.8 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 640 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0
4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) DS D
8.2. 2sk2606.pdf Size:147K _toshiba
2SK2606 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2606 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mmApplications Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs|= 7.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 640 V) Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 1
8.3. 2sk2605.pdf Size:411K _toshiba
2SK2605 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2605 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.9 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 3.8 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 640 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0
4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) DS D
8.4. 2sk2603.pdf Size:410K _toshiba
2SK2603 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2603 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 3.0 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 2.6 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 640 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0
8.5. 2sk2607.pdf Size:413K _toshiba
2SK2607 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2607 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Moter Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.0 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | 7.0 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 640 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0
8.6. 2sk2601.pdf Size:412K _toshiba
2SK2601 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2601 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 0.75 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 7.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0
8.7. 2sk2602.pdf Size:407K _toshiba
2SK2602 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2602 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 0.9 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 5.5 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 600 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0
4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) DS DMa
8.9. 2sk260.pdf Size:228K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK260DESCRIPTIONDrain Current I =5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 400V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM
8.10. 2sk2601.pdf Size:208K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2601FEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER
Транзистор C3198
C3198 — кремниевый, планарно-эпитаксиальный транзистор с NPN структурой общего назначения и для переключающих цепей. Конструктивное исполнение ТО-92.
Предназначение
Транзистор в основном предназначен для применения в усилителях низкой частоты и в усилителях с требованиями низкого уровня шума.
Корпус, цоколевка и монтажные размеры
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при температуре окружающей среды Ta=25°C.
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | VCBO | 60 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | VCEO | 50 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | VEBO | 5 |
| Ток коллектора, А | IC | 0,15 |
| Ток базы, А | IB | 0,05 |
| Рассеиваемая мощность, Вт | PC | 0,625 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -55…+150 |
Электрические параметры (при Ta = 25°C)
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения | |
|---|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 60 В, IE = 0 | ≤ 0,1 | |
| Ток базы выключения, мкА | IEBO | UEB = 5 В, IC =0 | ≤ 0,1 | |
| Статический коэффициент усиления по току ٭ | hFE(1) | UCE = 6 В, IC = 0,002 А | 40…250 | |
| hFE(2) | UCE = 6 В, IC = 0,15 А | ≥ 25 | ||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 100мА, IB = 10 мА | 0,1…0,25 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 100мА, IB = 10 мА | ≤ 0,1 | |
| Частота среза, МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 1 мА | ≥ 80 | |
| Выходная емкость, pF | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | ≤ 3 | |
| Внутреннее сопротивление базового перехода, Ом | rbb’ | UCB = 10 В, IE = 1 мА, f = 30 МГц | 50 | |
| Коэффициент шума (типовое значение), dB | 2SC3198A | NF | UCE = 6 В, IC = 0,1 мА, f = 1 кГц, Rg = 10 кОм | 1 |
| 2SC3198L | NF | 0,2 | ||
٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:
| Обозначение транзистора в группе | 2SC3198 O | 2SC3198 Y | 2SC3198 GR | 2SC3198 BL |
|---|---|---|---|---|
| Диапазон величины hFE | 70…140 | 120…240 | 200…400 | 350…700 |
Модификации и группы транзистора C3198
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE ٭ | NF (типовое) dB | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | ≤ 10 | ||
| C SC3198 (O, Y, GR, BL) | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 80 | 3,5 | ≤ 10 | ||
| FTC3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | ≤ 10 | ||
| KTC3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | ≤ 10 | ||
| KTC3198A | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 1 | ||
| KTC3198L ٭٭ | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 0,5 (1) 0,2 (2) |
٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).
٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах в аппаратуре общего назначения.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | ||
| КТ604А/Б | 0,8 | 300 | 250 | 5 | 0,2 | 150 | 40 | ≤ 7 | ||
| КТ608А/Б | 0,8 | 60 | 60 | 4 | 0,4 | 150 | 200 | ≤ 15 | ||
| КТ611А/Б/В/Г | 0,8 | 200 | 180 | 4 | 0,1 | 150 | ≥ 60 | ≤ 5 | ||
| КТ6110 | 0,625 | 40 | 20 | 5 | 0,5 | 150 | — | — | ||
| КТ6111 | 0,45 | 50 | 45 | 5 | 0,1 | 150 | 150 | 3,5 | ||
| КТ6117А/Б | 0,625 | 180 | 160 | 15 | 0,6 | 150 | 100 | ≤ 6 | ||
| КТ6137 | 0,625 | 60 | 40 | 6 | 0,2 | 150 | 300 | 4 | ||
| КТ660А/Б | 0,5 | 50/30 | 5 | 0,8 | 150 | 200 | ≤ 10 | |||
| К125НТ1 | 0,4 | 45 | 4 | 0,4 | — | — | 15 | 10…150 | Транзисторная сборка | |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | от 25 до 700 | TO-92 |
| 2SA1246 | 0,4 | 60 | 50 | 15 | 0,15 | 150 | 100 | 9 | 100 | TO-92 |
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 175 | 80 | 3,5 | ≥ 70 | TO-92 |
| 2SC3331 | 0,5 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 200 | 3 | ≥ 100 | TO-92 |
| 2SC3382 | 0,4 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 2,7 | ≥ 100 | TO-92 |
| KTC3199 | 0,4 | 50 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 270 | TO-92S |
| 2N6428/A | 0,625 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 100 | — | 100 | TO-92 |
| 2SC5343T | 0,625 | 60 | 50 | — | 0,15 | — | 80 | — | 70 | TO-92 |
| 3DG1318 | 0,625 | 60 | 50 | 7 | 0,5 | 150 | 200 | — | 85 | TO-92 |
| BC431 | 0,625 | 60 | — | 5 | 0,5 | 150 | 100 | — | 63 | TO-92 |
| BC445A | 0,625 | 60 | 60 | 6 | 0,2 | 150 | 100 | — | 120 | TO-92 |
| BC547BA3 | 0,625 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 100 | — | 200 | TO-92 |
| BTC945A3 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,2 | 150 | 150 | — | 135 | TO-92 |
| DTD113Z | 0,625 | 60 | 50 | — | 0,5 | 150 | 200 | — | 200 | TO-92 |
| DTD143E | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,5 | 150 | 200 | — | 47 | TO-92, SOT-23, SOT-323 |
| FTC1318 | 0,625 | 60 | 50 | 7 | 0,5 | 150 | 200 | — | 85 | TO-92 |
| H1420 | 0,625 | 60 | 60 | 7 | 0,2 | 150 | 150 | — | 70 | TO-92 |
| KSP8098 | 0,625 | 60 | 60 | 6 | 0,5 | 150 | 150 | — | 100 | TO-92 |
| KTC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | — | 70 | TO-92 |
| KTC945/B | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 300 | — | 90/70 | TO-92 |
| STS5343 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | — | 120 | TO-92 |
| TEC9014A/B | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 150 | — | 60/100 | TO-92 |
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик транзистора
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ): зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы IB.
Характеристики сняты при температуре внешней среды Ta = 25°C.
Рис. 2. Входная характеристика транзистора в схеме ОИ: зависимость тока базы IB от напряжения эмиттер-база UBE.
Характеристика снята при трех значениях температуры внешней среды Ta и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 6 В.
Зависимость снята при трех значениях температуры внешней среды и соотношении токов IC/IB = 10.
Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при температуре внешней среды Ta = 25°C и соотношении токов IC/IB = 10.
Рис. 5. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при трех значениях температуры среды Ta.
Показан ход характеристик в области больших токов коллектора IC ˃ 50мА при двух значениях напряжения коллектор-эмиттер UCE 1В и 6 В.
Рис. 6. Зависимость частоты среза fT (полосы пропускания) от тока эмиттера IE транзистора в схеме ОЭ при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В и температуре среды Ta = 25°C.
Рис. 7. Ограничение рассеиваемой мощности PC транзистора при увеличении температуры внешней среды Ta.
МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ
Транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с двумя или более p-n-переходами и тремя или более выводами, который предназначен для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.
Наиболее широко применяются биполярные и полевые транзисторы. У полевых транзисторов управление выходным током производится с помощью электрического поля. Также полевые транзисторы имеют низкий уровень собственных шумов, что дает возможность использовать их в первых каскадах высококачественных усилителей звуковой частоты. Полевые транзисторы имеют три электрода: исток, затвор и сток. Электроды полевого транзистора в определенной степени соответствуют электродам биполярного транзистора — эмиттеру, базе и коллектору.
Управление величиной протекающего в выходной цепи (в цепи коллектора или эмиттера) биполярного транзистора тока осуществляется с помощью тока в цепи управляющего электрода — базы. Базой называется средний слой в структуре транзистора. Крайние слои называются эмиттер (испускать, извергать) и коллектор (собирать). Концентрация примесей (а, следовательно, и основных носителей зарядов) в эмиттере существенно больше, чем в базе и больше, чем в коллекторе. Поэтому эмиттерная область самая низкоомная.
УСЛОВНОЕ ОБОЗНАЧЕНИЕ ТРАНЗИСТОРА (НОВАЯ СИСТЕМА)
Условное обозначение состоит из 5 элементов.
ПЕРВЫЙ элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов:
ВТОРОЙ элемент указывает на тип транзистора:
ТРЕТИЙ элемент (цифра) указывает на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.
Транзисторы малой мощности (Pmax 1,5 Вт):
7 — большой мощности низкочастотный;
8 — большой мощности среднечастотный;
9 — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (fгр>300 Гц).
ЧЕТВЕРТЫЙ элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.
ПЯТЫЙ элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.
Например, транзистор КТ540Б, расшифровывается так: К — кремниевый транзистор, Т — биполярный, 5 — средней мощности среднечастотный, 40 — номер разработки, Б — группа.
КОДОВАЯ МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ
Транзисторы могут маркироваться или буквенно-цифровым кодом, иди кодом, состоящим из геометрических фигур. По коду можно узнать тип транзистора, месяц и год изготовления. Места маркировки и расшифровка цветовых кодов некоторых типов транзисторов приведены ниже.
Иногда транзисторы маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно-цифрового кода: КТ814 — серо-бежевый, КТ815 — серый или сиренево-фиолетовый, КТ816 — розово-красный, КТ817 — серо-зеленый, КТ683 — фиолетовый, КТ9115 — голубой.
ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ
Транзисторы маркируют с помощью цветового кода. Цветовой код состоит из изображения геометрических фигур (треугольников, квадратов, прямоугольников и др.), цветных точек и латинских букв.
Примеры цветовой маркировки некоторых транзисторов:
Каждый завод, который производит транзисторы, имеет свои кодовые и цветовые обозначения. В этом случае их можно отличить только по некоторым дополнительным признакам, например, по длине выводов коллектора и эмиттера, по торцевой окраске (противоположной выводам) поверхности транзистора.
ЦОКОЛЕВКА ТРАНЗИСТОРОВ (РАСПОЛОЖЕНИЕ ВЫВОДОВ)
Биполярные транзисторы малой мощности:
Биполярные транзисторы средней и большой мощности:
РЕЖИМЫ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
На каждый p-n-переход транзистора может быть подано как прямое, так и обратное напряжение. В соответствии с этим различают четыре режима работы биполярного транзистора.
1. В инверсном активном режиме переход БК открыт, а ЭБ наоборот — закрыт. Усилительные свойства в этом режиме, естественно, хуже некуда, поэтому транзисторы в этом режиме используются очень редко.
2. В режиме насыщения оба перехода находятся под прямым смещением. В этом случае выходной ток не зависит от входного и определяется только параметрами нагрузки. Цепь, содержащую транзистор в режиме насыщения можно считать короткозамкнутой, а сам этот радиоэлемент представлять в виде эквипотенциальной точки.
3. В режиме отсечки оба перехода транзистора закрыты, т.е. ток основных носителей заряда между эмиттером и коллектором прекращается. Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов. Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно возрастает. Поэтому часто считают, что транзистор, работающий в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи.
4. В барьерном режиме база напрямую или через малое сопротивление замкнута с коллектором. Также в коллекторную или эмиттерную цепь включают резистор, который задает ток через транзистор. Таким образом получается эквивалент схемы диода с последовательно включенным сопротивлением. Этот режим очень полезный, так как позволяет схеме работать практически на любой частоте, в большом диапазоне температур и нетребователен к параметрам транзисторов.