транзистор irfp460 параметры на русском

Транзистор irfp460 параметры на русском

Наименование прибора: IRFP460

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 100 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 500 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm

IRFP460 Datasheet (PDF)

0.2. irfp460c.pdf Size:770K _fairchild_semi

February 2002IRFP460C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 500V, RDS(on) = 0.24 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 130nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF)This advanced technology has been especially tailored to

0.3. irfp460n.pdf Size:94K _international_rectifier

PD-94098SMPS MOSFETIRFP460NHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.24 20A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Current

0.4. irfp460.pdf Size:873K _international_rectifier

0.5. irfp460p.pdf Size:154K _international_rectifier

PD-93946AIRFP460P Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFET Repetitive Avalanche RatedD Isolated Central Mounting HoleVDSS = 500V Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.27G Solder Plated for ReflowingID = 20ADescriptionSThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of f

0.6. irfp460as.pdf Size:115K _international_rectifier

PD-94011ASMPS MOSFETIRFP460ASHEXFET Power MOSFETApplications SMPS, UPS, Welding and High SpeedVDSS Rds(on) max IDPower Switching500V 0.27 20ABenefits Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Isolated Central Mounting Hole Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements Solder plated and leadformed for surface mountingDescriptionThird

0.7. irfp460apbf.pdf Size:206K _international_rectifier

PD- 94853SMPS MOSFETIRFP460APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 500V 0.27 20Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance andAvalanc

0.8. irfp460lc.pdf Size:154K _international_rectifier

0.9. irfp460a.pdf Size:95K _international_rectifier

PD- 91880SMPS MOSFETIRFP460AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.27 20A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Current

0.10. irfp460lcpbf.pdf Size:205K _international_rectifier

0.11. irfp460npbf.pdf Size:161K _international_rectifier

PD-94809SMPS MOSFETIRFP460NPbFHEXFET Power MOSFETApplications Switch Mode Power Supply ( SMPS )VDSS Rds(on) max ID Uninterruptable Power Supply500V 0.24 20A High speed power switching Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Lead-FreeBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Character

IRFP460LC, SiHFP460LCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 120COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQgs (nC) 32 Isolated Central Mounting HoleQgd (nC) 49 Dynamic dV/dt RatingConfiguratio

IRFP460B, SiHG460Bwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.25- Low Input Capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 170- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 14- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 28- Avalanche Energy Rate

IRFP460A, SiHFP460AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 105 COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 26 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 42 and CurrentConfigurat

IRFP460N, SiHFP460NVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.24 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 124 COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 40 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 57Configura

IRFP460, SiHFP460Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 210COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 29Qgd (nC) 110 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Le

IRFP460LC, SiHFP460LCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 120COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQgs (nC) 32 Isolated Central Mounting HoleQgd (nC) 49 Dynamic dV/dt RatingConfiguratio

0.18. irfp460p.pdf Size:172K _infineon

PD-93946AIRFP460P Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFET Repetitive Avalanche RatedD Isolated Central Mounting HoleVDSS = 500V Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.27G Solder Plated for ReflowingID = 20ADescriptionSThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of f

0.19. irfp460.pdf Size:77K _ixys

MegaMOSTM IRFP 460 VDSS = 500 VPower MOSFET ID(cont) = 20 ARDS(on) = 0.27N-Channel Enhancement Mode, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C20 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse wi

0.20. irfp460.pdf Size:234K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP460FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.27(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies a

0.21. irfp460apbf.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP460APBFFEATURESWith TO-247 packagingUninterruptible power supplyHigh speed switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-So

0.22. irfp460b.pdf Size:375K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP460BFEATURESDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.25(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Источник

Характеристики транзистора IRFP460

Характеристики транзистора IRFP460 сочетают в себе технологии третьего поколения HEXFET известной во всём мире компании International Rectifier (IR). Это кремниевый силовой МОП-тран-р имеет N-канальный переход, с достаточно низким сопротивлением R_DS(ON) (до 0,27 Ом). При этом, производитель заявляет в datasheet о способности устройства выдерживать максимальное напряжения между стоком-истоком до 500 В и постоянным током до 20 А. Предельная рассеиваемая мощность может достигать 280 Вт.

Данный MOSFET используется преимущественно в блоках питания, стабилизаторах, синхронных выпрямителях, инверторах, системах управления электрическими двигателями, различными схемами переключения более мощных устройств. Там где необходима высокая скорость работы и низкий уровень управляющего сигнала (4-5 В). Поддерживается управление непосредственно от микроконтроллера.

Цоколёвка

IRFP460 выполнен в усиленном корпусе TO-247, который применяется там, где высокие уровни мощности не допускают использование универсального ТО-220, и немного превосходит более раннюю версию ТО-218. Для крепления его на радиатор имеется специальное изолированное отверстием в центре. Если смотреть на маркировку (рисунок ниже), то слева направо находятся выводы: затвора (З), стока (С) и истока (И).

Устройство не содержит свинца (Pb-free), о чём указанно в самом начале технического описания (datasheet). Допускается его монтаж на плату с помощью дешёвых оловянно-свинцовых припоев, никак не влияющих на последующую работу изделия в целом. Этим моментом пользуются производители, везущие свою продукцию в страны, где пока не требуется выполнение стандартов по соблюдению экологических норм.

Технические характеристики

Из datasheet на IRFP460 можно узнать все его параметры, на русском языке они представлены ниже. В первую очередь необходимо обратить внимание на максимально возможные, предельно допустимые параметры изделия. Обычно они указываются первыми в описании и сильно зависят от температуры кристалла (T_C) и окружающей среды (T_A), о чём указывается дополнительно.

Максимальные значения

Электрические параметры

Транзистор выделяется довольно низким сопротивлением открытого канала R_ds(on) (до 0,27 Ом) по сравнению с более ранними версиями подобных устройств.

Аналоги

У IRFP460 есть достойный аналог. Чаще всего вместо него рекомендуют установить относительно недорогой транзистор STW20NK50Z (STM) или более мощный SPW20N60C3 (Infineon Technologies). Оба устройства исполнены в корпусе ТО-247 и имеют похожую распиновку. Полностью идентичным также является SiHFP460 (Vishay).

В настоящее время существуют обновлённые версии транзистора IRFP460LC и IRFP460A от компании Vishay. Они имеет сравнительно лучшие характеристики относительно рассматриваемого, но по основным параметрам почти ничем не отличаются. Например, оба выдерживают более высокое напряжение между стоком-истоком (V_GS до 30 В), имеют сниженную выходную/входную/проходную ёмкость и заряд затвора.

Примеры применения

Наверное, самыми популярными конструкциями для начинающих радиолюбителей на транзисторе IRFP460 являются схема катушки Тесла и качер Бровина. Устройства состоит из небольшого набора радиодеталей и не требует глубоких познаний в области радиоэлектроники. Вот небольшой видеоролик по сборке одного из них.

Производители

Скачать datasheet на транзистор IRFP460 можно по ссылке с наименовании производителя. В настоящее время его производят следующие компании: Infineon Technologies (в 2014 поглотившая IR), Vishay Siliconix, Inchange Semiconductor, IXYS Corporation, NXP Semiconductors, STMicroelectronics, Intersil Corporation. В отечественных магазинах, чаще всего, встречаются изделия фирмы Vishay.

Источник

Транзистор irfp460 параметры на русском

Наименование прибора: IRFP460C

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 235 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 130 nC

Время нарастания (tr): 150 ns

Выходная емкость (Cd): 380 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO247TO3PN

IRFP460C Datasheet (PDF)

0.1. irfp460c.pdf Size:770K _fairchild_semi

February 2002IRFP460C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 500V, RDS(on) = 0.24 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 130nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF)This advanced technology has been especially tailored to

7.2. irfp460n.pdf Size:94K _international_rectifier

PD-94098SMPS MOSFETIRFP460NHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.24 20A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Current

7.3. irfp460.pdf Size:873K _international_rectifier

7.4. irfp460p.pdf Size:154K _international_rectifier

PD-93946AIRFP460P Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFET Repetitive Avalanche RatedD Isolated Central Mounting HoleVDSS = 500V Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.27G Solder Plated for ReflowingID = 20ADescriptionSThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of f

7.5. irfp460as.pdf Size:115K _international_rectifier

PD-94011ASMPS MOSFETIRFP460ASHEXFET Power MOSFETApplications SMPS, UPS, Welding and High SpeedVDSS Rds(on) max IDPower Switching500V 0.27 20ABenefits Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Isolated Central Mounting Hole Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements Solder plated and leadformed for surface mountingDescriptionThird

7.6. irfp460apbf.pdf Size:206K _international_rectifier

PD- 94853SMPS MOSFETIRFP460APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 500V 0.27 20Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance andAvalanc

7.7. irfp460lc.pdf Size:154K _international_rectifier

7.8. irfp460a.pdf Size:95K _international_rectifier

PD- 91880SMPS MOSFETIRFP460AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.27 20A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Current

7.9. irfp460lcpbf.pdf Size:205K _international_rectifier

7.10. irfp460npbf.pdf Size:161K _international_rectifier

PD-94809SMPS MOSFETIRFP460NPbFHEXFET Power MOSFETApplications Switch Mode Power Supply ( SMPS )VDSS Rds(on) max ID Uninterruptable Power Supply500V 0.24 20A High speed power switching Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Lead-FreeBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Character

IRFP460LC, SiHFP460LCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 120COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQgs (nC) 32 Isolated Central Mounting HoleQgd (nC) 49 Dynamic dV/dt RatingConfiguratio

IRFP460B, SiHG460Bwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.25- Low Input Capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 170- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 14- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 28- Avalanche Energy Rate

IRFP460A, SiHFP460AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 105 COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 26 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 42 and CurrentConfigurat

IRFP460N, SiHFP460NVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.24 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 124 COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 40 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 57Configura

IRFP460, SiHFP460Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 210COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 29Qgd (nC) 110 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Le

IRFP460LC, SiHFP460LCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 120COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQgs (nC) 32 Isolated Central Mounting HoleQgd (nC) 49 Dynamic dV/dt RatingConfiguratio

7.17. irfp460p.pdf Size:172K _infineon

PD-93946AIRFP460P Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFET Repetitive Avalanche RatedD Isolated Central Mounting HoleVDSS = 500V Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.27G Solder Plated for ReflowingID = 20ADescriptionSThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of f

7.18. irfp460.pdf Size:77K _ixys

MegaMOSTM IRFP 460 VDSS = 500 VPower MOSFET ID(cont) = 20 ARDS(on) = 0.27N-Channel Enhancement Mode, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C20 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse wi

7.19. irfp460.pdf Size:234K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP460FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.27(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies a

7.20. irfp460apbf.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP460APBFFEATURESWith TO-247 packagingUninterruptible power supplyHigh speed switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-So

7.21. irfp460b.pdf Size:375K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP460BFEATURESDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.25(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Источник

Характеристики транзистора IRFP460

По характеристикам IRFP460 относится к силовым, МОП-транзисторам третьего поколения. Имеет N канал и кремниевый затвор. Используется в блоках питания, стабилизаторах, системах управления электрическими двигателями и в различных схемах для переключения мощных биполярных транзисторов, там где требуется высокая скорость при низком уровне управляющего сигнала. IRFP460 можно управлять непосредственно от интегральных схем.

Цоколевка

Для производства IRFP460 используется корпус TO-247, в котором мы и рассмотрим цоколевку. Его применение обусловлено тем, что TO-220 не подходит для устройств такой мощности как это транзистор. TO-247 похож на TO-218, но отличается от него наличием изолированного монтажного отверстия. Если смотреть на устройство сверху, прямо на маркировку, то слева направо будут идти: затвор, сток, исток.

Технические характеристики

Чтобы спроектировать надёжное устройство или подобрать замену для вышедшего из строя транзистора нужно в первую очереди знакомиться с предельными техническими значениями. Их превышение может привести у поломке устройства. Обычно измерение их происходит при 25 О С. Для IRFP460 эти характеристики следующие:

Паять можно при температуре жала на более 300 О С, на расстоянии до 1,6 мм от корпуса, на протяжении 10 с.

Электрические характеристики также важны, так как по ним можно судить о возможностях устройства. Они разбиты производителями на три категории: статические, динамические и канальные. Условия, при которых производилось тестирование, приведены в отдельной колонке «Режимы измерения».

Аналоги

Существуют полевые транзисторы, параметры которых совпадают с рассматриваемым, это:

В качестве ближайших аналогов IRFP460 обычно называют:

Если не можете найти ни одного транзистора из перечисленных выше, то можно попробовать использовать 2SK2057, но, перед тем ка принимать решение, нужно предварительно ознакомиться с техническими документациями обеих устройств.

Производители и DataSheet

Полевой транзистор IRFP460 (datasheet по клику на название) изготавливают такие компании:

В отечественных магазинах, чаще всего, встречаются изделия фирмы:

Источник