транзистор с945 параметры цоколевка
Транзистор С945
Цоколевка
Таблица предельных значений
При превышении значений параметров, указанных в таблице, производитель не гарантирует не только работу транзистора С945 в номинальных режимах и функционирование, в соответствии с графиками, но и целостность самого элемента.
Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.
| Обозначение | Параметр | Величина | ед.изм. |
|---|---|---|---|
| VCBO | Напряжение коллектор-база | 60 | В |
| VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер | 50 | В |
| VEBO | Напряжение эмиттер-база | 5 | В |
| IC | Постоянный ток коллектора | 150 | мА |
| PC | Мощность рассеяния | 400 | мВт |
| TJ | Максимальная рабочая температура | 125 | °C |
| Tstg | Интервал рабочих температур | -55…125 | °C |
Основные электрические параметры
Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.
| Обозначение | Параметр | Условия измерения | Величина | Ед. изм. |
|---|---|---|---|---|
| V(BR)CBO | Напряжение пробоя коллектор-база | IC=1мA, IE=0 | 60 | В |
| V(BR)CЕO | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | IC=100мкA, IВ=0 | 50 | В |
| V(BR)ЕBO | Напряжение пробоя эмиттер-база | IЕ=1мкA, IС=0 | 5 | В |
| ICBO | Ток отсечки коллектора | VCB=60В, IE=0 | 0,1 | мкА |
| ICЕO | Ток отсечки коллектора | VCЕ=45В, IE=0 | 0,1 | мкА |
| IЕВО | Ток отсечки эмиттера | VЕВ=45В, IС=0 | 0,1 | мкА |
| hFE(1) | Коэффициент усиления по постоянному току | VCE=6В, IC=1мA | 70…700 | |
| hFE(2) | VCE=6В, IC=0.1мA | 40 | ||
| VCE(sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC=100мA, IB=10мA | 0,3 | В |
| VBE(sat) | Напряжение насыщения база-эмиттер | IC=100мA, IB=10мA | 1 | В |
| fT | Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=6В, IC=10mA, f=30МГц | 200 | МГц |
| Cob | Выходная емкость коллектора | VCB=10В, IE=0, f=1МГц | 3 | пФ |
| NF | Уровень шума | VCE=6В, IC=0.1мА RG=10кОм, f=1МГц | 10 | dB |
Модификации транзистора по коэффициенту усиления hFE(1)
Отечественные и импортные аналоги
Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| C945 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 200 |
| Отечественное производство | |||||
| КТ3102 | 45 | 0,1 | 0,25 | 250 | 300 |
| Импорт | |||||
| KSC945 | 50 | 0,15 | 0,25 | 40 | 300 |
| 2N2222 | 30 | 0,8 | 0,5 | 100 | 250 |
| 2N3904 | 40 | 0,2 | 0,31 | 40 | 300 |
| 2SC3198 | 50 | 0,15 | 0,4 | 20 | 130 |
| 2SC1815 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 80 |
| 2SC2002 | 60 | 0,3 | 0,3 | 90 | 70 |
| 2SC3114 | 50 | 0,15 | 0,4 | 55 | 100 |
| 2SC3331 | 50 | 0,2 | 0,5 | 100 | 200 |
| 2SC2960 | 50 | 0,15 | 0,25 | 100 | 100 |
Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945. Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать.
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.
Типовые эксплуатационные характеристики
Рис.1 Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения коллектор-эмиттер (UCE).
Рис.2 Зависимость коэффициента усиления (hFE) от тока коллектора (IC).
Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер (UBEsat) от тока коллектора (IC).
Рис.4 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (UCEsat)от тока коллектора.
Рис.5 Зависимость граничной частоты передачи тока (fT) от тока коллектора (IC).
Примечание: по технической документации DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.
Характеристики транзистора C945
Как написано в технических характеристиках транзистора C945 (2SC945) – это кремниевое, высокочастотное, биполярное устройство, имеющий n-p-n структуру. Относится к средней мощности. Может использоваться в различных схемах, таких как усилители, генераторы и управляющая электроника.
Цоколевка
Изготавливается 2SC945 в корпусе для дырочного монтажа ТО-92 и для поверхностного монтажа SOT-23. Выводы расположены в следующем порядке, если считать слева направо эмиттер, коллектор и база. Но некоторые производители, например, южнокорейская компания Kwang Myoung установила такой порядок следования ножек: эмиттер, база, коллектор.
Поэтому перед установкой C945 рекомендуется точно проверить от какого производителя у вас транзистор. Компании при нанесении маркировки на ТО-92 часто пропускают первые два символа и получается C945. На упаковке SOT-23 имеется надпись CR.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик начнём с максимально допустимых параметров. Они важны, так как если превысить эти значения, то транзистор выйдет из строя. Их измерение производилось при температуре 25°С. Для 2SC945 они равны:
Теперь рассмотрим электрические характеристики, от них напрямую зависят возможности транзистора. Их измерения производились также при температуре 25°С. Остальные параметры, от которых зависят результаты измерения, приведены в следующейй таблице в отдельной колонке «Условия тестирования»
| Электрические характеристики транзистора BC547 (при Т = +25 о C) | ||||||
| Параметры | Условия тестирования | Обозначения | мин | тип | мах | Ед. изм |
| Напряжение пробоя К — Б | IК = 100 мкA, IЭ = 0 | BVCBO | 60 | В | ||
| Напряжение пробоя К — Э | IК = 1,0 mA, IБ = 0 | BVCЕO | 50 | В | ||
| Напряжение пробоя К — Э | IЭ = 10 мкA, IК = 0 | BVЕBO | 5 | В | ||
| Обратный ток коллектора | Uкэ=50В, Uкб=0В | ICBO | 0,1 | мкА | ||
| Обратный ток эмиттера | Uкб = 5В, Uэб=0В | ICBO | 0,1 | мкА | ||
| Статический к-т усиления | IК = 0,1 мA, Uкэ = 6В | hFE1 | 50 | |||
| IК = 1 мA, Uкэ = 6В | hFE2 | 135 | 600 | |||
| Напряжение насыщения К — Э | IК=100мA, IБ=10мA | VCE(sat) | 0,1 | 0,3 | В | |
| Б –Э напряжение включения | IК=2.0мA, Uкэ=5B | Uбэ(вкл) | 0,55 | 0,7 | В | |
| IК=10мA, Uкэ=5B | 0,77 | В | ||||
| Граничная частота к-та передачи тока | Uкэ=6B, IК=10мA, f=100МГц | fгр. | 150 | 600 | МГц | |
| Выходная емкость | Uкб=10В, IЭ=0, f=1МГц | Свых | 1,7 | 4,5 | пФ | |
| Входная емкость | Uкб=10В, IК=0, f=1МГц | Свх | 4 | пФ | ||
В зависимости от значения к-та усиления hFE разные производители классифицируют свои транзисторы по-разному. Большинство делят их на четыре части:
Другие делят на такие части:
Транзисторы в корпусе SOT-23, по к-ту hFE, могут делиться на две части:
Паять 2SC945 можно не ближе 5 мм от транзистора и не более 3 с. При этом температура паяльника на может быть выше +260°С.
Аналоги
Из наиболее близких аналогов для c945 назовём такие: 2SC1000
Существуют также отечественные аналоги, это: КТ3102А, КТ3102Б и КТ3102Д. Комплементарной парой для него является транзистор A733.
Производители
Среди крупнейших производителей 2SC945 (datasheet скачать можно кликнув по названию) приведём следующие компании:
В отечественных магазинах чаще всего встречаются изделия следующих производителей: Dc Components, NEC.
Транзистор с945 параметры цоколевка
Наименование производителя: C945
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130
C945 Datasheet (PDF)
0.1. 2pc945 3.pdf Size:47K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETndbook, halfpageM3D1862PC945NPN general purpose transistor1999 May 28Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 26Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor 2PC945FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 base2 collectorAPPLICATIONS3 emitter
0.3. ksc945.pdf Size:126K _fairchild_semi
Audio Frequency AmpIifier & High Frequency OSC. Complement to KSA733 Collector-Base Voltage : VCBO=60V High Current Gain Bandwidth Product : fT=300MHz (TYP.)TO-92 1. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN EpitaxiaI SiIicon TransistorAbsoIute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted SymboI Parameter VaIue UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Coll
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC945 NPN SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. FEATURES * Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity Lead-free: 2SC945L * Complimentary to UTC 2SA733
UTC KSC945 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC KSC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. 1FEATURES *Collector-Base voltage: BVCBO=60V TO-92*Collector current up to 150mA *High hFE linearity *Complimentary to KSA733 1:EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR ABSOLUT
STC945NPN Silicon TransistorDescription PIN Connection General small signal amplifier CFeatures B Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.25V(Max.) Low output capacitance : Cob=2pF(Typ.) E Complementary pair with STA733 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC945 STC945 TO-92 Absolute maximum ratings (Ta=25C) C
ST 2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurati
0.11. c945.pdf Size:160K _secos
0.12. c945t.pdf Size:496K _secos
C945TNPN SiliconElektronische BauelementePlastic-Encapsulate TransistorRoHS Compliant ProductA suffix of «-C» specifies halogen & lead-freeFEATURES Low noise TO-92Excellent hFE linearity Complementary to A733TMAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitsCollector-Base Voltage VCBO 60 V 1Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V23
0.13. csc945.pdf Size:259K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSC945CC8050TO-92Plastic PackageBCEAudio Frequency General Purpose and Driver Stage Amplifier ApplicationComplmentary CSA733ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 60 VVCEOCollector Em
SEMICONDUCTOR KTC945TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURESExcellent hFE Linearity.: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.)N DIM MILLIMETERSLow Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHzA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXComplementary to KTA733. GC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0.45_MAXIMUM RATING (Ta=2
0.15. ktc945b.pdf Size:272K _kec
SEMICONDUCTOR KTC945BTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURESExcellent hFE Linearity.: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.)N DIM MILLIMETERSLow Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHzA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXComplementary to KTA733B(O, Y, GR class). GC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0.45_MA
0.16. c945.pdf Size:653K _htsemi
0.17. c945.pdf Size:269K _gsme
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GMC945MAXIMUM RATINGS (Ta=25 )MAXIMUM RATINGS (Ta=25) MAXIMUM RATINGS (Ta=25 )CHARACTERISTIC Symbol Rating Unit Collector-Base VoltageVCBO 60 Vdc
C945(NPN) TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Excellent hFE linearity Low noise Complementary to A733 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VDimensions in inches and (millimeters)VEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Colle
C945 SOT-23 Transistor(NPN)SOT-231. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Excellent hFE Linearity: hFE(IC=0.1mA) hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) Low noise Complementary to A733 MARKING:CR Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltag
0.20. c945.pdf Size:2172K _wietron
0.21. c945lt1.pdf Size:2032K _wietron
0.22. c945.pdf Size:929K _willas
0.23. hsc945.pdf Size:51K _hsmc
0.24. c945.pdf Size:222K _shenzhen
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 C945 TRANSISTOR (NPN ) 1.EMITTER FEATURE Excellent hFE linearity 2.COLLECTOR Low noise 3. BASE Complementary to A733 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1 2 3 Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Volt
0.25. 2sc945.pdf Size:272K _shenzhen
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SC945 TRANSISTOR (NPN) FEATURE 1. BASE Excellent hFE Linearity2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to A733 MARKING:CR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emi
0.26. btc945a3.pdf Size:309K _cystek
Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2003.04.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.06.10 Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC945A3Description The BTC945A3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BTA733A3. Pb-free package Symbol Outline BTC945A3 TO-92 BBase C
0.27. c945.pdf Size:346K _can-sheng
TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsFEATURETO-92 Excellent hFE linearity Low noise1.EMITTER Complementary to A7332.BASEMAXIMUM RATINGSMAXIMUM RATINGSMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)MAXIMUM RATINGS3.COLLECTORSymbol Parameter Value UnitsSymbol Parameter Value UnitsSymbol Parameter Value UnitsSymbol Parameter Value Units1 2 3VCBO 60 V
0.28. c945 sot-23.pdf Size:285K _can-sheng
ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors C945 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to A733 MARKING:CR. MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Vol
0.29. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect
0.30. 2sc945lt1.pdf Size:634K _china
SEMICONDUCTOR 2SC945LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current: Ic= 150mA * Collector-Emitter Voltage:Vce= 50V * High Total Power Dissipation:Pc=225mW * High Hfe And Good Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V
0.31. ftc945b.pdf Size:66K _first_silicon
SEMICONDUCTORFTC945BTECHNICAL DATANPN TRANSISTOR B CFEATURE Excellent hFE linearity DIM MILLIMETERS Low noise A 4.70 MAXEB 4.80 MAXG Complementary to FTA733B C 3.70 MAXDD 0.55 MAXE 1.00MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) F 1.27G 0.85H 0.45Symbol Parameter Value Units_HJ 14.00 + 0.50L 2.30F FVCBO Collector-Base Voltage 60 V
0.32. 2sc945.pdf Size:781K _kexin
0.33. 2sc945.pdf Size:189K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Transistor 2SC945DESCRIPTIONHigh VoltageExcellent h linearityFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDsigned for use in driver stage of AF amplifierand low speed switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Vol