транзистор с1740 параметры цоколевка

Транзистор с1740 параметры цоколевка

Наименование производителя: 2SC1740S

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

2SC1740S Datasheet (PDF)

General purpose transistor (50V, 0.15A) 2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 / 2SC1740S Features Dimensions (Unit : mm) 1. Low Cob. Cob=2.0pF (Typ.)Cob=2.0pF (Typ.) 2SC2412K 2SC4081 2SC46172. Complements the 2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774H / 2SA2029 / 2SA933AS. (1)(2)(3)1.251.6 0.82.12.81.6Structure Epitaxial planar type 0.1Min. 0.1Min.0.3Min.NPN

MCCMicro Commercial Components 2SC1740S-QTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 2SC1740S-RPhone: (818) 701-49332SC1740S-SFax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/Rohs Compliant («P»Suffix designates NPNCompliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulate Moisture Sensitivity

0.3. 2sc1740s.pdf Size:294K _secos

560 D 15.1 15.5 E 2.9

2SC1740S TO-92S Transistor (NPN) 1. EMITTER TO-92S 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 Features Low CobMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current Continuous 150 mA PC Collector Power Dissipation 300 mW TJ Junction Te

0.5. 2sc1740s.pdf Size:209K _sunroc

SUNROC 2SC1740S TRANSISTOR (NPN) TO-92S FEATURES 1. EMITTER Low Cob 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 3. BASE VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V 1 2 3 VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current Continuous 150 mA PC Collector Power Dissipation 300 mW TJ Junction

Источник

Транзистор с1740 параметры цоколевка

Технические данные (datasheet)

ТранзисторU_КЭ0 /
U_{КБ0 ПРОБ}
ВI_{К, МАКС}
мАP_{К, МАКС}
мВтh_21Эf_гр
МГцИзготовительмин.макс.I_К
мАU_КЭ
ВНазвание (полное)Название (сокращённое)2SC174040/5010030012016180Continental Device India LtdContin Dev

Цоколёвка

ТипНомера выводов1233 выводаBCE

U_{КЭ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

I_К — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

f_ГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.

Источник

Транзистор с1740 параметры цоколевка

Технические данные (datasheet)

ТранзисторU_КЭ0 /
U_{КБ0 ПРОБ}
ВI_{К, МАКС}
мАP_{К, МАКС}
мВтh_21Эf_гр
МГцИзготовительмин.макс.I_К
мАU_КЭ
ВНазвание (полное)Название (сокращённое)2SC1740S40/5010030027016180Continental Device India LtdContin Dev

Цоколёвка

ТипНомера выводов1233 выводаBCE

U_{КЭ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

I_К — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

f_ГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.

Источник

Характеристики транзистора C1815

Кремниевым биполярный транзистор C1815 по своим характеристикам имеет n-p-n структуру. Его часто используют в усилителях и генераторах, работающих на средней и высокой частоте. При его производстве использовалась эпитаксиально-планарная технология.

Цоколевка

При изготовлении используют два типа корпусов ТО-92 и SOT-23. Хотя полное наименование транзистора 2SC1815, но его часто маркируют как C1815. В SOT-23 его обозначают двумя буквами «HF». Расположение выводов то есть цоколевка C1815 приведена на рисунки ниже.

Технические характеристики

Рассмотрение технических характеристик C1815 начнём с предельно допустимых величин. Именно от них зависит, в каком режиме сможет работать транзистор и на что он будет способен. Как обычно, тестирование происходит при стандартной температуре +25°С.

После предельных рассмотрим электрические характеристики. Они также важны и от них зависит в какой схеме его можно использовать. При измерении этих параметров важны условия, в которых производилось тестирование. Все необходимые сведения приведены в следующей таблице.

Электрические характеристики транзистора C1815 (при Т = +25°C)
Параметры	Условия тестирования	Обоз	мин	тип	мах	Ед. изм
Пробивное напряжение К-Б	IC = 100 мкA	V(BR)CВO	60	В
Пробивное напряжение К-Э	IC = 100 мкA	V(BR)CEО	50	В
Пробивное напряжение Э-Б	IE= 100 мкA	V(BR)EBO	5	В
Обратный ток коллектора	VCB = 60 В, IЭ = 0	ICBO	0,1	мкА
Обратный ток эмиттера	IC = 0; VEB = 5 В	IEBO	0,1	мкА
Коэффициент усиления	IC = 2 мА; VCE = 6 В	hFE	70	700
	IC = 150 мА; VCE = 6 В		25
Напряжение насыщения К — Э	IC =100 мA; IB = 10 мA	VCE(sat)	0,1	0,25	В
Напряжение насыщения Б — Э	IC =100 мA; IB = 10 мA	VВE(sat)	1,0	В
Напряжение Б-Э	IЕ =310 мA	VBE	1,45	В
Граничная частота коэффициента усиления	IC = 1 мA; VCE = 10 В;	fт	80	МГц
Выходная ёмкость	VCB =10В, IE =0, f=1МГц	Cob	2,0	3,0	пФ
Коэффициент шума	VCE=6В, IC=0,1мA, RS=10кОм, f=1Гц	NF	1,0	1,0	дБ

Некоторые производители, например, Fairchild Semiconductor, делят транзисторы на четыре группы, в зависимости от значения коэффициента усиления:

Классификация	O	Y	GR	L
hFE1	70 … 140	120 … 240	200 … 400	350 … 700

Есть также производители, такие как GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, которые делят свои изделия на две группы:

Классификация	L	H
hFE1	130 … 200	200 … 400

Аналоги

При необходимости заменить C1815 можно на такие зарубежные аналоги:

Существуют также отечественные транзисторы с идентичными параметрами, это КТ3102А и КТ3102Б. В качестве комплементарной пары рекомендуется использовать 2SA1015.

Производители

Изготовлением C1815 занимаются много зарубежных фирм:

Наиболее распространены в России и обычно продаются в наших магазинах продукция следующих компаний:

Скачать datasheet на C1815 можно кликнув на название производителя.

Источник