транзисторы 13005 13009 цоколевка параметры

Характеристики транзистора MJE13009

Как пишут производители в технических характеристиках на биполярный транзистор MJE13009, но разрабатывался для установки в высоковольтных, высокоскоростных индуктивных схемах в качестве переключателя нагрузки. Они подходят для импульсных инверторов и устройств управления электрическими двигателями.

Цоколевка

Наибольшее распространение получил транзистор MJE13009 в корпусе ТО-220, но иногда используется упаковка ТО-3PN. В обеих случаях выводы расположены в следующем порядке: база, коллектор, эмиттер. Иногда при нанесении маркировки первые три буквы упускают и нанося только цифры 13009, цоколевка и внешний вид представлен на следующем рисунке.

Технические характеристики

Рассмотрение характеристик транзистора начнём с предельно допустимых параметров. Они показывают максимальные возможности MJE13009. Их измерение производилось при стандартной температуре – +25°С.

После максимальных, перейдём к рассмотрению электрических характеристик. От них также зависят возможности транзистора, снимаются они при температуре +25°C. Остальные параметры можно посмотреть в колонке «Режимы измерения».

Аналоги

Полных аналогов для транзистора 13009 нет. Но при необходимости можно заменить на следующие устройства:

Существуют также отечественные приборы с похожими параметрам:

Перед тем, как выбрать замену, нужно посмотреть технические характеристики.

Производители

Перечислим крупнейшие фирмы, занимающиеся выпуском MJE13009 и приведём их datasheet:

В России можно купить транзисторы, изготовленные следующими компаниями:

Источник

Транзисторы mje13005(13005)и mje13009(13009)

Как выбрать

Прежде чем отправиться за покупкой мягкой мебели, определитесь со своими потребностями. Если вы планируете покупку дивана для гостей, остановитесь на бюджетной, но современной модели

Важно, чтобы обивка служила долго и не истиралась

Если же планируется покупка мебели для ежедневного сна, основное внимание нужно уделить прочности каркаса и качеству наполнителя. Они обеспечивают правильное положение человека во время сна, сохраняют здоровье позвоночника и обеспечивают качественный сон

В anderssen доступны разные модели диванов, которые обеспечивают наиболее удобную эксплуатацию. В первую очередь необходимо замерить помещение, в которое планируется покупать мебель

Важно, чтобы диван поместился на место установки. Затем посмотрите на подходящие модели

Если в одних случаях подойдет большой угловой диван, в других можно установить только небольшой диван или кресло. Среди самых популярных вариантов трансформации выделяют следующие:

На видео: диван аккордеон от андерссен.

KSE13009F Datasheet (PDF)

1.1. kse13009f.pdf Size:25K _samsung

KSE13009F NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION
TO-220F
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 700 V
Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V
Emitter-Base Voltage VEBO 9 V
Collector Current (DC) IC 12 A
Collector Current (Pulse) IC 24 A
Ba

3.1. kse13004,13005.pdf Size:48K _fairchild_semi

KSE13004/13005
High Voltage Switch Mode Application
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
TO-220
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage : KSE13004 600 V
: KSE13005 700 V
VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13004 300 V

3.2. kse13006,13007.pdf Size:48K _fairchild_semi

KSE13006/13007
High Voltage Switch Mode Application
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
TO-220
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage : KSE13006 600 V
: KSE13007 700 V
VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13006 300 V

3.3. kse13003.pdf Size:465K _fairchild_semi

March 2008
KSE13003
NPN Silicon Transistor
High Voltage Switch Mode Applications
High Voltage Capability
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
TO-126
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
Absolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 700 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 40

3.4. kse13003t.pdf Size:47K _fairchild_semi

KSE13003T
High Voltage Switch Mode Applications
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
TO-220
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 700 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V
VEBO Emitter-Base Voltage 9 V
IC Collector

3.5. kse13006.pdf Size:70K _samsung

KSE13006/13007 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION
High Speed Switching
TO-220
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
VCBO 600 V
Collector Base Voltage : KSE13006
V
: KSE13007 700
VCEO 300 V
Collector Emitter Voltage : KSE13006
V
: KSE13007 400
V
Emitter Base Voltage VEBO 9
A

3.6. kse13005f.pdf Size:23K _samsung

KSE13005F NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONS
TO-220F
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector Base Voltage VCBO 700 V
Collector Emitter Voltage V CEO 400 V
Emitter Base Voltage VEBO 9 V
Collector Current (DC) IC 4 A
Collector Current (Pulse) IC 8 A
Bas

3.7. kse13007f.pdf Size:23K _samsung

KSE13007F NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONS
TO-220F
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector Base Voltage VCBO 700 V
Collector Emitter Voltage V CEO 400 V
Emitter Base Voltage VEBO 9 V
Collector Current (DC) IC 8 A
Collector Current (Pulse) IC 16 A
Ba

3.8. kse13003t.pdf Size:21K _samsung

KSE13003 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONS
TO-126
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 700 V
Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V
Emitter-Base Voltage VEBO 9 V
Collector Current (DC) IC 1.5 A
Collector Current (Pulse) IC 3 A
Bas

Транзисторы MJE13001 и 13001

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные.
Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для
различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных
производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов. Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими

Тип прибора указывается на корпусе.

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими.
Тип прибора указывается на корпусе.

На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Мини-диваны

Это одно из лучших решений, предназначенных для малогабаритных квартир и студий. Если вы столкнулись с такой ситуацией, необязательно покупать полноразмерную мебель, которая займет все свободное пространство. Это хорошее решение и для тех, кто часто переезжает. Мебель anderssen небольшого размера отличается высоким качеством и удобными механизмами трансформации. Ее можно поставить в комнате ребенка, на кухне, в спальне и небольшой гостиной. Она хорошо смотрится в домашнем кабинете. Но ее можно установить и в просторной квартире, если вы склонны к минимализму или вам требуется дополнительный диван небольшого формата.

Мини-диваны зачастую оснащают механизмом еврокнижка, дополняют подушками со съемными чехлами и удобной спинкой. Такие чехлы особенно удобны тем, у кого есть дети и домашние животные. Их можно почистить и снова надеть на подушки. Когда диван раскладывается, подушки убирают, после чего выкатывают вперед сидение. Затем отпускают спинку. Вы можете выбрать и боковой вариант трансформации компактной мебели.

Вы должны учитывать, что боковая раскладка дополнительно требует свободное пространство слева или справа. Мебель нельзя ставить вплотную со стеной или шкафом. Многочисленные варианты мини-диванов anderssen дают возможность подобрать оптимальную модель. Выделяют следующие преимущества малогабаритных диванов:

Таким образом, при выборе дивана необходимо учитывать различные факторы, такие как размеры помещения, удобство использования, качество и надежность. Выбирая мягкую мебель anderssen, вы можете быть уверены в надежности и долгосрочности ее использования в своем доме.

Угловая модель

Это один из самых удобных вариантов для любого помещения. Выделяют различные варианты таких конструкций, которые наиболее удобны для квартир и офисов. Несмотря на основную форму, у мебели могут быть и другие особенности. В anderssen предлагают следующие варианты:

Большинство моделей anderssen оборудовано дополнительными элементами. Современные коллекции включают боковые полки, отличающиеся удобством и особым стилем. Некоторые модели становятся настоящим центром просторного помещения. Диваны оснащены всем необходимым для полноценного отдыха и включают просторные мягкие зоны, столик квадратной формы и полки для книг. У столика подходящая высота для расположения на нем ноутбука или планшета.

Угловые диваны оборудованы угловой полкой. Некоторые варианты трансформации позволяют превратить обычный столик во вместительную тумбу. В качестве столешницы можно использовать деревянные подлокотники. На них можно положить телефон, планшет или книгу.

На видео: угловой диван Дискавери.

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером U_{КЭ нас.} (V_BEsat):

напряжение насыщения между базой и эммитером U_{БЭ нас.} (V_{BE sat}):

коэффициент усиления по току у транзистора 13009 находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока —

от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A — от 8 до 12.
У MJE13003B — от 12 до 18.
У MJE13003C — от 18 до 27.
У MJE13003D — от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер —

Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А —

Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 — 1.4 ватт,
TO-220 — 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Одна из признанных мебельных компаний пересмотрела маркетинговую концепцию и запустила программу ребрендинга.

Ушедший 2013 год стал для фабрики мягкой мебели Anderssen во многом оценочным, поворотным.

«Мы вступили в новый этап, — комментирует генеральный директор Anderssen Елена Фетисова. — Было проанализировано всё, чего мы достигли, и определены перспективы развития компании на несколько лет вперёд — сформулировано видение и вытекающие из него цели.

Мы очень серьёзно, системно занялись оптимизацией и формализацией операционной деятельности. Дали старт девяти новым мощным проектам, связанным с построением корпоративной культуры на основе ценностей компании.

Всё это помогает позиционировать компанию на рынке, грамотно выстраивать внутренние и внешние коммуникации, точнее ставить акценты в маркетинговой политике».

Осенью 2013-го компания Anderssen провела ребрендинг.

«Ребрендинг был вызван изменением концепции компании, — говорит Вера Малова, коммерческий директор Anderssen. — Фабрика давно ушла от «детского» модельного ряда, ассортимент стал более широким, универсальным. Мы, например, стали делать не только раскладные диваны, но и модульные модели, диваны для сидения. Фабрика «выросла» из прежнего своего имиджа, и мы хотели, чтобы клиент увидел наше новое лицо. Если раньше в позиционировании мебели от Anderssen звучали утилитарные нотки — качество, ежедневный сон, практичность, надёжность, — то сейчас мы движемся дальше и стараемся через нашу мебель нести в дома покупателей заботу наших рук и тепло наших сердец. Чуть смягчилось начертание логотипа, изменился дескриптор — «Диваны для семейного тепла» вместо безэмоционального, бесстрастного — «Современная мягкая мебель».

Разумеется, перепозиционирование потребовало новых подходов к оформлению фирменных розничных площадок Anderssen. Экспериментировали на собственном 1000-метровом салоне при фабрике, и, надо признать, эксперимент удался. Получилось очень комфортное, обаятельное, обжитое пространство. Позитивная колористика, модные ткани на подиумных образцах, нетривиальные композиционные решения — всё это «работает» на образ дружелюбного, обустроенного с любовью и вкусом семейного «гнезда». Причём эффект полноценного жилого интерьера дизайнер компании Елена Попова смогла создать без «участия» корпусной мебели.

Салон грамотно зонирован. В центре — своеобразная рекреация, где вольготно расположились лаунж-диваны из коллекции Tanagra. Отдельная зона, озаглавленная Anderssen Kids, отдана под модельную линейку трансформируемых диванов для детей и тинейджеров. Раскладные диваны из базовой ассортиментной программы Anderssen (каждый — в своей мини-декорации) обрамляют торговый зал.

«Дилерам мы показали обновлённый салон в ноябре прошлого года, когда проводили на фабрике домашнюю выставку, — продолжает Вера Малова. — Все партнёры оценили нововведения, и сейчас идёт процесс переформатирования салонов. Для каждой торговой точки — с учётом её площади и архитектурных особенностей — специалисты Anderssen делают проект застройки, визуализацию. Сформирована коллекция тканей, в которых мы рекомендуем выставлять диваны в торговые залы».

В Москве в самое ближайшее время в новом свете предстанут площадки Anderssen в «Мебельграде» и на улице Полярной. Постепенно все фирменные места продаж — как в столице, так и в регионах — планируется привести к утверждённым визуальным стандартам.

За последние полтора года фабрика ввела в ассортимент 17 новинок. Значительно расширился размерный ряд диванов. Некоторые модели выпускаются в нескольких габаритных вариантах и на разной конструкционной базе — с выкатным механизмом или с металлическими трансформерами. Активно развивает Anderssen и тему классики: всё больше в модельном ряду диванов с подлокотниками-волютами, с басонным декором, в тканях с традиционными орнаментами.

«Понять, чего ждёт покупатель — задача, которую решает каждая компания, — говорит Елена Фетисова. — Конечно, профессионал интуитивно чувствует рынок, но всегда полезно подтверждать интуицию точными данными. Поэтому в прошлом году мы заказали независимому маркетинговому агентству целый пакет качественных исследований. Результаты фокус-групп, покупательских опросов, анкетирования клиентов легли в основу нашей работы по обновлению модельного ряда».

Маркером покупательского признания может служить победа в народном конкурсе-голосовании «Марка №1 в России», который проходит с 1998 года. В 2013-м компания Anderssen собрала наибольшее число голосов в номинации «Мягкая мебель». К слову, среди розничных клиентов компании велика доля тех, кто, однажды купив диван Anderssen, совершает покупки вновь и рекомендует продукцию фабрики своим друзьям и знакомым.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.
Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Источник

Транзистор 13003

13003 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиальный транзистор для высокоскоростных и высоковольтных переключений, общепромышленного применения.

Корпус и цоколевка

Предназначение

Прибор разработан для высоковольтных и высокоскоростных силовых переключений в индуктивных цепях, где критичной является величина времени спадания импульса коллекторного тока. Эти транзисторы хорошо подходят для работы в ключевых режимах в цепях 115 и 220 В.

Области применения

Характерные особенности

Представлены области безопасной работы с обратным смещением при индуктивной нагрузке и температуре корпуса транзистора T_C = 100°C.

Типичные диапазоны параметров индуктивных переключений: диапазон тока коллектора – 0,5…1,5 А; температура корпуса 25°С и 100°С; типичное время коммутационного процесса t_C = 290 нс при токе 1 А и температуре 100°С.

Выдерживаемые напряжения до 700 В.

Предельные эксплуатационные характеристики

Электрические параметры

٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a=25°C, если не указано иное.

Классификация по величине параметра h_FE

Модификации (версии) транзисторов серии 13003

Конструктивное исполнение — TO-92. T_a = 25°C.

Конструктивное исполнение ТО-126 (D/F/S). T_c = 25°C.

Конструктивное исполнение ТО-220 (AB/HW/F). T_c = 25°C (если не указано иное).

Конструктивное исполнение ТО-251. T_c = 25°C (если не указано иное).

Конструктивное исполнение ТО-252. T_c = 25°C (если не указано иное).

Конструктивные исполнения ТО-826, SOT23, SOT223, SOT89, LSTM. T_c = 25°C (если не указано иное).

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).

Зарубежное производство

Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).

Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C / I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C / I_B = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE(sat) при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE(ON) при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Источник